Texas Instruments LM61430EVM-AS-2MHZ轉(zhuǎn)換器評(píng)估模塊 (EVM) 設(shè)計(jì)幫助評(píng)估LM61430-Q1的性能。LM61430-Q1是一款同步降壓轉(zhuǎn)換器。該評(píng)估模塊實(shí)現(xiàn)LM61430-Q1，采用14引腳可濕性側(cè)翼Hotrod?封裝。該評(píng)估模塊配置為5V輸出電壓，直流負(fù)載電流高達(dá)3A。Texas Instruments LM61430EVM-AS-2MHZ經(jīng)過優(yōu)化實(shí)現(xiàn)小解決方案尺寸和低噪聲。

數(shù)據(jù)手冊(cè)：*附件：Texas Instruments LM61430EVM-AS-2MHZ轉(zhuǎn)換器評(píng)估模塊數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf

板布局

LM61430-Q1同步降壓轉(zhuǎn)換器評(píng)估模塊深度解析與技術(shù)應(yīng)用?

?一、模塊核心特性與設(shè)計(jì)亮點(diǎn)?

TI的LM61430EVM-AS-2MHZ評(píng)估模塊專為LM61430-Q1同步降壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)，具有以下技術(shù)特性：

?寬輸入電壓范圍?：6V至36V輸入，支持5V/3A輸出，滿足工業(yè)與車載應(yīng)用的嚴(yán)苛需求
?高集成封裝?：采用14引腳Hotrod? wettable flanks封裝（4.0mm×3.5mm×1.0mm），兼具小尺寸與高散熱性能
?低EMI優(yōu)化?：通過多層PCB布局（4層設(shè)計(jì)，2oz銅平面+熱過孔陣列）降低電磁干擾，符合汽車電子標(biāo)準(zhǔn)

?關(guān)鍵參數(shù)驗(yàn)證?：

輸出紋波需結(jié)合手冊(cè)中EMI濾波器參數(shù)（L1=1μH，C4-C9=2.2μF×4+470nF×2）優(yōu)化
熱性能測(cè)試顯示，在13.5V輸入/5V輸出/3A負(fù)載下，芯片表面溫度需控制在安全閾值內(nèi)（參考圖5-1熱成像數(shù)據(jù)）

?二、硬件設(shè)計(jì)要點(diǎn)解析?

?1. 電源拓?fù)渑c外圍電路設(shè)計(jì)?

?輸入濾波電路?：
- 采用π型濾波器（L1+C4-C9組合）抑制高頻噪聲，電容需選用AEC-Q200車規(guī)級(jí)器件（如CGA4J3X7R1H225K125AE）
- 輸入電容C10（22μF鋁電解）用于抑制低頻脈動(dòng)，布局時(shí)需靠近VIN引腳
?功率回路優(yōu)化?：
- 開關(guān)節(jié)點(diǎn)（SW_PIN）與電感L2（1.5μH金屬復(fù)合屏蔽電感）走線需最短化，降低輻射損耗
- 輸出電容C11/C12（47μF陶瓷電容）采用1210封裝以降低ESR，提升瞬態(tài)響應(yīng)

?2. 關(guān)鍵功能引腳配置?

引腳名稱	功能說明	設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)
EN/SYNC	使能/同步輸入	通過R7（255kΩ）設(shè)置欠壓鎖定閾值，同步時(shí)鐘需經(jīng)C16（1000pF）濾波
PGOOD	電源狀態(tài)指示	開漏輸出，需上拉至VOUT，用于系統(tǒng)級(jí)電源時(shí)序控制
VOUTS	輸出Kelvin檢測(cè)	消除PCB走線IR壓降，提升負(fù)載調(diào)整率精度

?三、典型應(yīng)用場(chǎng)景與實(shí)測(cè)建議?

?1. 車載信息娛樂系統(tǒng)供電?

?場(chǎng)景適配?：輸入兼容12V/24V車輛電池，輸出5V可為MCU及傳感器供電
?實(shí)測(cè)步驟?：
1. 輸入接6-36V電源，負(fù)載接電子負(fù)載儀（≤3A）
2. 用示波器監(jiān)測(cè)SW引腳波形，驗(yàn)證開關(guān)頻率穩(wěn)定性（2MHz同步模式）
3. 通過VOUTS檢測(cè)點(diǎn)校準(zhǔn)輸出電壓精度（±1%以內(nèi)）

?2. 工業(yè)PLC模塊電源?

?噪聲敏感設(shè)計(jì)?：
- 啟用CLK引腳外部同步功能，避開敏感頻段（如433MHz ISM波段）
- 參考手冊(cè)第4章布局建議，將AGND與PGND通過單點(diǎn)連接降低地彈噪聲

?四、設(shè)計(jì)風(fēng)險(xiǎn)規(guī)避指南?

?熱管理風(fēng)險(xiǎn)?：
- 避免連續(xù)滿載運(yùn)行，需預(yù)留20%電流余量（實(shí)測(cè)3A負(fù)載下IC溫升約45℃）
- 優(yōu)先選用手冊(cè)推薦的Würth Elektronik電感（74438356015）以降低磁損
?BOM選型誤區(qū)?：
- 反饋電阻 RFBT/RFBB（100kΩ/24.9kΩ）需選用±1%精度型號(hào)（如ERJ-2RKF2492X），防止輸出電壓漂移
- 禁止替換CBOOT電容（C13=0.1μF），其ESR特性直接影響高邊MOSFET驅(qū)動(dòng)效率

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