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Nexperia推出高功率工業(yè)應(yīng)用專用MOSFET

安世半導(dǎo)體 ? 來源:安世半導(dǎo)體 ? 2025-10-10 11:22 ? 次閱讀
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Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布,為旗下不斷擴充的應(yīng)用專用MOSFET (ASFET)產(chǎn)品組合再添新產(chǎn)品。ASFET系列的產(chǎn)品特性經(jīng)優(yōu)化調(diào)校,可滿足特定終端應(yīng)用的嚴苛需求。其中,80 V PSMN1R9-80SSJ與100 V PSMN2R3-100SSJ兩款開關(guān)器件能夠提供增強的動態(tài)均流功能,專為需要并聯(lián)多個匹配MOSFET的高功率48 V應(yīng)用設(shè)計。此類應(yīng)用涵蓋叉車、電動滑板車、代步設(shè)備等電動交通工具的電機驅(qū)動系統(tǒng),或高功率工業(yè)電機。

在并聯(lián)兩個或多個MOSFET以實現(xiàn)高電流能力和降低導(dǎo)通損耗的過程中,設(shè)計人員往往難以確保在導(dǎo)通與關(guān)斷階段,負載電流可在各獨立器件間均勻分配。VGS(th)值最低的MOSFET會最先導(dǎo)通,進而承受更高熱應(yīng)力,可能會加速器件失效。為保障足夠的安全裕量,工程師通常會對終端應(yīng)用中所用MOSFET的規(guī)格進行過度設(shè)計。這種方式不僅會增加成本、消耗更多時間,還需開展額外的測試,但仍難以保證器件在高負載電流(數(shù)十安培級別)場景下具有穩(wěn)定表現(xiàn)。另一種方案是向供應(yīng)商采購經(jīng)過篩選匹配的器件,但同樣會增加終端應(yīng)用的整體成本。

Nexperia PSMN1R9-80SSJ和PSMN2R3-100SSJ ASFET憑借優(yōu)異的特性和增強的動態(tài)均流功能,可幫助設(shè)計人員規(guī)避上述兩種方案的局限。在導(dǎo)通/關(guān)斷過程中,針對單器件電流達50 A的應(yīng)用場景,這兩款開關(guān)能使并聯(lián)器件間的電流差值減少50%;同時,VGS(th)參數(shù)差異范圍縮小50%(最大值與最小值僅差0.6 V)。這一特性結(jié)合1.9 mΩ或2.3 mΩ的低RDS(on),有助于在功率開關(guān)應(yīng)用中提升能效表現(xiàn)。

新款A(yù)SFET采用兼具耐用性與空間效率的8 mm×8 mm銅夾片LFPAK88封裝,工作溫度范圍為-55℃至+175℃。

Nexperia (安世半導(dǎo)體)

Nexperia(安世半導(dǎo)體)總部位于荷蘭,是一家在歐洲擁有豐富悠久發(fā)展歷史的全球性半導(dǎo)體公司,目前在歐洲、亞洲和美國共有12,500多名員工。作為基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件開發(fā)和生產(chǎn)的領(lǐng)跑者,Nexperia(安世半導(dǎo)體)的器件被廣泛應(yīng)用于汽車、工業(yè)、移動和消費等多個應(yīng)用領(lǐng)域,幾乎為世界上所有電子設(shè)計的基本功能提供支持。

Nexperia(安世半導(dǎo)體)為全球客戶提供服務(wù),每年的產(chǎn)品出貨量超過1,000億件。這些產(chǎn)品在效率(如工藝、尺寸、功率及性能)方面成為行業(yè)基準,獲得廣泛認可。Nexperia(安世半導(dǎo)體)擁有豐富的IP產(chǎn)品組合和持續(xù)擴充的產(chǎn)品范圍,并獲得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001標準認證,充分體現(xiàn)了公司對于創(chuàng)新、高效、可持續(xù)發(fā)展和滿足行業(yè)嚴苛要求的堅定承諾。

Nexperia:效率致勝。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:新品快訊 | Nexperia推出應(yīng)用專用MOSFET,為高功率工業(yè)應(yīng)用提供增強的動態(tài)均流功能

文章出處:【微信號:Nexperia_China,微信公眾號:安世半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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