Microchip Technology MCP649x EMI濾波運(yùn)算放大器采用低至1.8V單電源供電，靜態(tài)電流低至2.5mA（每個(gè)放大器最大值）。這些運(yùn)算放大器提供低輸入失調(diào)電壓（±1.6mV，最大值）、軌到軌輸入/輸出運(yùn)行、30MHz增益帶寬（典型值）和穩(wěn)定的單位增益。EMI保護(hù)可最大限度地減少外部源電磁干擾的影響，因此這些元件適合用于EMI敏感型應(yīng)用，例如電源線、廣播電臺(tái)和移動(dòng)通信。這些運(yùn)算放大器采用單通道 (MCP6496)、雙通道 (MCP6497) 和四通道 (MCP6499) 封裝。Microchip Technology MCP649x EMI濾波運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)采用先進(jìn)的CMOS工藝，額定擴(kuò)展溫度范圍為-40°C至+125°C。

數(shù)據(jù)手冊(cè)：*附件：Microchip Technology MCP649x EMI濾波運(yùn)算放大器數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf

特性

• 增強(qiáng)EMI保護(hù)
• 軌到軌輸入/輸出
• 單位增益穩(wěn)定
• 無(wú)相位反轉(zhuǎn)
• 符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)
• 小型封裝選項(xiàng)
  • SC70-5和SOT-23-5封裝（單通道版本）
  • SOIC-8和MSOP-8封裝（雙通道版本）
  • SOIC-14和TSSOP-14封裝（四通道版本）

封裝

MCP649x系列EMI濾波運(yùn)算放大器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

一、產(chǎn)品概述與關(guān)鍵特性

Microchip Technology的MCP6496/6R/6U/7/9是一系列集成EMI濾波功能的高性能運(yùn)算放大器，具有以下突出特性：

?核心參數(shù)指標(biāo)?：

• 增益帶寬積：30MHz（典型值）
• 輸入失調(diào)電壓：±1.6mV（最大值）
• 靜態(tài)電流：2.5mA/放大器（最大值）
• 電源電壓范圍：1.8V至5.5V
• 啟動(dòng)時(shí)間：2μs（典型值）
• 工作溫度范圍：-40°C至+125°C

?差異化特性?：

1. ?增強(qiáng)型EMI保護(hù)?：內(nèi)置EMI濾波電路，有效抑制400MHz至5800MHz頻段的電磁干擾，EMIRR指標(biāo)達(dá)30-52dB
2. ?軌到軌輸入/輸出?：支持輸入電壓低至VSS-0.3V，高達(dá)VDD+0.3V；輸出擺幅距電源軌僅3.5mV（典型值）
3. ?多封裝選項(xiàng)?：提供單通道(SC70-5/SOT23-5)、雙通道(SOIC-8/MSOP-8)和四通道(SOIC-14/TSSOP-14)封裝

二、電氣特性深度分析

2.1 直流特性

• ?輸入偏置電流?：典型值±1pA（25°C），隨溫度升高至±200pA（125°C）
• ?開環(huán)增益?：130dB（典型值），在滿載條件下保持105dB最小值
• ? 電源抑制比(PSRR) ?：100dB（典型值），確保電源波動(dòng)對(duì)輸出影響極小

2.2 交流特性

• ?壓擺率?：40V/μs（VDD=5.5V）
• ?0.1%建立時(shí)間?：0.4μs（5V階躍輸入）
• ? 總諧波失真+噪聲(THD+N) ?：0.002%（1kHz，1VRMS）

表：關(guān)鍵AC參數(shù)對(duì)比

三、典型應(yīng)用電路設(shè)計(jì)

3.1 EMI敏感型信號(hào)調(diào)理

利用內(nèi)置EMI濾波器特性，特別適合以下應(yīng)用場(chǎng)景：

• ?汽車傳感器接口?：曲軸位置傳感器、氧傳感器等
• ?醫(yī)療設(shè)備?：ECG前端放大、生物電信號(hào)采集
• ?無(wú)線通信設(shè)備?：基站射頻信號(hào)調(diào)理

設(shè)計(jì)要點(diǎn) ：

• 電源引腳必須放置0.1μF去耦電容（距離<2mm）
• 敏感信號(hào)走線需采用保護(hù)環(huán)技術(shù)（Guard Ring）

3.2 有源濾波器設(shè)計(jì)

三階多反饋低通濾波器配置：

• 截止頻率公式：fc = 1/(2π√(R2R3R4C1C3C4))
• 建議先確定電容值再計(jì)算電阻
• 使用雙通道(MCP6497)可構(gòu)建立體聲濾波器

四、PCB布局指南

1. ?熱管理?：
   • SC70封裝θJA=331°C/W，需保證足夠的銅箔面積
   • 高溫應(yīng)用中優(yōu)先選擇SOIC封裝（θJA=150°C/W）
2. ?抗干擾設(shè)計(jì)?：
   • 敏感輸入引腳采用保護(hù)環(huán)布局
   • 避免高速數(shù)字信號(hào)線與模擬信號(hào)平行走線
3. ?未使用運(yùn)放處理?：
   • 雙/四通道器件中未用運(yùn)放應(yīng)配置為電壓跟隨器
   • 輸出端可接10kΩ負(fù)載電阻提高穩(wěn)定性