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?STMicroelectronics M24C64X-DRE 64Kb I2C EEPROM技術(shù)解析與應(yīng)用指南

科技觀察員 ? 2025-10-15 09:37 ? 次閱讀
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STMicroelectronics M24C64X-DRE 64Kb串行I^2^C總線電子擦除可編程只讀存儲(chǔ)器 (EEPROM) 組織為8K x 8位。STMicroelectronics M24C64X-DRE的工作電源電壓范圍為1.7V至5.5V,時(shí)鐘頻率高達(dá)1MHz,環(huán)境工作溫度范圍為-40°C至+105°C。該電子擦除可編程只讀存儲(chǔ)器 (EEPROM) 提供一個(gè)額外的8位芯片使能寄存器,用于實(shí)現(xiàn)可配置設(shè)備地址 (CDA) 和存儲(chǔ)器寫(xiě)保護(hù)功能。憑借這兩項(xiàng)特性,M24C64X-DRE能夠提供可配置設(shè)備地址(經(jīng)軟件授權(quán)),以配置多達(dá)八個(gè)芯片使能地址,并通過(guò)設(shè)置(經(jīng)軟件)軟件寫(xiě)保護(hù)位來(lái)提供整個(gè)存儲(chǔ)器陣列的寫(xiě)保護(hù)。

數(shù)據(jù)手冊(cè):*附件:STMicroelectronics M24C64X-DRE 64Kb串行I2C總線電子擦除可編程只讀存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf

特性

  • 兼容以下I^2^C總線模式
    • 1MHz(高速傳輸率)
    • 400 kHz(快速模式)
    • 100kHz(標(biāo)準(zhǔn)模式)
  • 存儲(chǔ)器
    • 64-Kbit(8KB)EEPROM
    • 32字節(jié)頁(yè)面大小
  • 電源電壓范圍:1.7V至5.5V
  • 擴(kuò)展工作溫度范圍:-40°C至+105°C
  • 快速寫(xiě)入周期時(shí)間 - 字節(jié)和頁(yè)面寫(xiě)入時(shí)間為5ms(典型值為3.5ms)
  • 芯片使能寄存器
  • 軟件寫(xiě)保護(hù)
  • 隨機(jī)和順序讀取模式
  • 性能
    • 增強(qiáng)型4kV ESD/閉鎖保護(hù)
    • 超過(guò)400萬(wàn)次寫(xiě)入循環(huán)
    • 數(shù)據(jù)保留逾200年
  • 超低功耗電流消耗
    • 待機(jī)電源電流:300nA(典型值)
    • 讀取時(shí)電源電流:170μA(典型值)
    • 寫(xiě)入時(shí)電源電流:250μA(典型值)
  • WLCSP 4焊球(兼容ECOPACK2)封裝

邏輯圖

1.png

方框圖

2.png

?STMicroelectronics M24C64X-DRE 64Kb I2C EEPROM技術(shù)解析與應(yīng)用指南?

?一、芯片核心特性概述?

STMicroelectronics M24C64X-DRE是一款64Kbit(8KB)串行I2C總線EEPROM,具有以下突出特性:

  • ?寬電壓支持?:1.7V至5.5V單電源供電,兼容工業(yè)級(jí)應(yīng)用環(huán)境(-40°C至+105°C)。
  • ?高速接口?:支持1MHz(高速模式)、400kHz(快速模式)和100kHz(標(biāo)準(zhǔn)模式)時(shí)鐘頻率。
  • ?高可靠性?:
    • 數(shù)據(jù)保存期限超過(guò)200年
    • 擦寫(xiě)壽命超過(guò)400萬(wàn)次(25°C環(huán)境下)
    • 增強(qiáng)型4kV ESD/閂鎖保護(hù)
  • ?低功耗設(shè)計(jì)?:
    • 待機(jī)電流低至300nA(典型值)
    • 寫(xiě)入電流250μA(典型值)

?二、關(guān)鍵功能模塊解析?

?2.1 存儲(chǔ)器組織?

  • ?容量結(jié)構(gòu)?:8K×8位陣列,頁(yè)大小為32字節(jié),支持頁(yè)寫(xiě)入(最大32字節(jié)/次)。
  • ?地址分配?:16位地址尋址(A15-A0),分為高字節(jié)(A15-A8)和低字節(jié)(A7-A0)。

? 2.2 芯片使能寄存器(Chip Enable Register) ?

  • ?可配置設(shè)備地址?(C2/C1/C0):支持8種地址組合,解決I2C總線多設(shè)備沖突問(wèn)題。
  • ?軟件寫(xiě)保護(hù)位?(SWP):
    • SWP=0:允許讀寫(xiě)操作(默認(rèn)狀態(tài))
    • SWP=1:全局寫(xiě)保護(hù)(只讀模式)
  • ?非易失性配置?:寄存器值在斷電后保留,上電自動(dòng)加載。

?2.3 I2C協(xié)議實(shí)現(xiàn)?

  • ?標(biāo)準(zhǔn)通信流程?:
    • 起始條件(START):SCL高電平時(shí)SDA下降沿
    • 停止條件(STOP):SCL高電平時(shí)SDA上升沿
    • 數(shù)據(jù)有效性:SDA在SCL高電平期間需保持穩(wěn)定
  • ?設(shè)備尋址?:7位設(shè)備地址(1010XXX,XXX為C2/C1/C0配置值)+ R/W位。

?三、典型應(yīng)用場(chǎng)景與設(shè)計(jì)要點(diǎn)?

?3.1 寫(xiě)入操作優(yōu)化?

  • ?頁(yè)寫(xiě)入模式?:連續(xù)寫(xiě)入同頁(yè)內(nèi)數(shù)據(jù)(≤32字節(jié)),減少協(xié)議開(kāi)銷。
    ?注意?:跨頁(yè)寫(xiě)入會(huì)觸發(fā)“回繞”(地址自動(dòng)歸零)。
  • ?寫(xiě)入輪詢策略?:通過(guò)ACK polling檢測(cè)內(nèi)部寫(xiě)入完成(典型時(shí)間3.5ms),避免總線阻塞。

?3.2 硬件設(shè)計(jì)建議?

  • ?上拉電阻計(jì)算?:
    • 400kHz模式:Rbus×Cbus ≤ 400ns
    • 1MHz模式:Rbus×Cbus ≤ 150ns
      (參考數(shù)據(jù)手冊(cè)圖12-13)
  • ?電源去耦?:VCC引腳需并聯(lián)10nF-100nF電容,確保電壓穩(wěn)定。

?四、性能參數(shù)與選型參考?

參數(shù)條件典型值最大值
寫(xiě)入時(shí)間(tW)字節(jié)/頁(yè)寫(xiě)入3.5ms5ms
待機(jī)電流VCC=1.8V300nA1.5μA
工作電流(讀?。?/td>VCC=3.3V, 1MHz170μA2.5mA
數(shù)據(jù)保存溫度55°C環(huán)境-200年

?五、封裝與訂購(gòu)信息?

  • ?封裝類型?:WLCSP4(0.711×0.731mm超薄封裝),符合ECOPACK2環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)。
  • ?型號(hào)命名規(guī)則?:
    M24C64X-F CU 8 T / T F
    • F:1.7-5.5V電壓范圍
    • CU:WLCSP4封裝
    • 8:工業(yè)級(jí)溫度(-40°C至+105°C)
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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