該DRV10964是一款集成功率MOSFET的三相無(wú)傳感器電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。它 專(zhuān)為高效、低噪音、低外部元件數(shù)量的電機(jī)而設(shè)計(jì) 驅(qū)動(dòng)應(yīng)用程序。專(zhuān)有的無(wú)傳感器無(wú)窗 180° 正弦控制方案提供 超靜音電機(jī)驅(qū)動(dòng)性能。DRV10964包含智能鎖檢測(cè)功能， 結(jié)合其他內(nèi)部保護(hù)電路，確保安全運(yùn)行。DRV10964是 采用熱效率高的 10 引腳 USON 封裝，帶有裸露的導(dǎo)熱墊。
*附件：drv10964.pdf

特性

• 專(zhuān)有的無(wú)傳感器無(wú)
  窗口 180° 正弦控制方案
• 輸入電壓范圍 2.1 至 5.5 V
• 500mA 輸出電流
• 睡眠模式下的低靜態(tài)電流為15 μA（典型值）
• 總驅(qū)動(dòng)器 H+L Rdson 小于 1.5 Ω
• 電流限制和短路電流保護(hù)
• 鎖檢測(cè)
• 抗電壓浪涌 （AVS）
• UVLO的
• 熱關(guān)斷

參數(shù)

方框圖

?1. 產(chǎn)品概述?
DRV10964是德州儀器（TI）推出的5V三相無(wú)傳感器正弦波BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，集成功率MOSFET，專(zhuān)為高效、低噪聲、低外部元件數(shù)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用設(shè)計(jì)。核心特點(diǎn)包括：

• ?電壓范圍?：2.1V至5.5V輸入，兼容低電壓系統(tǒng)。
• ?輸出能力?：500mA持續(xù)電流，總驅(qū)動(dòng)電阻低于1.5Ω。
• ?低功耗?：睡眠模式靜態(tài)電流僅15μA（典型值）。
• ?控制方案?：專(zhuān)利無(wú)傳感器180°正弦波控制，實(shí)現(xiàn)超靜音運(yùn)行。

?2. 關(guān)鍵特性?

• ?驅(qū)動(dòng)模式?：支持正弦波控制，優(yōu)化電機(jī)效率與噪聲性能。
• ?保護(hù)功能?：
  • 電流限制與短路保護(hù)
  • 轉(zhuǎn)子鎖定檢測(cè)
  • 抗電壓浪涌（AVS）
  • 欠壓鎖定（UVLO）及熱關(guān)斷
• ?接口配置?：PWM調(diào)速、FG速度反饋、FR方向控制、CONFIG引腳設(shè)置切換閾值。

?3. 應(yīng)用場(chǎng)景?

• 筆記本CPU散熱風(fēng)扇
• 游戲機(jī)散熱風(fēng)扇
• ASIC芯片冷卻系統(tǒng)

?4. 技術(shù)細(xì)節(jié)?

• ?封裝?：10引腳USON（3mm×3mm），帶散熱焊盤(pán)。
• ?控制算法?：
  • 初始速度檢測(cè)（ISD）與轉(zhuǎn)子對(duì)齊（Align）
  • 開(kāi)環(huán)到閉環(huán)平滑切換（可配置閾值）
• ?保護(hù)機(jī)制?：
  • 5種鎖定檢測(cè)方案（如頻率溢出、BEMF異常等）
  • 短路過(guò)流保護(hù)（ISHT）
  • 溫度保護(hù)（TSD=160°C，遲滯10°C）

?5. 典型應(yīng)用電路?

• 外部?jī)H需2.2μF VCC濾波電容和100kΩ配置電阻。
• 支持FG引腳輸出電機(jī)轉(zhuǎn)速信號(hào)（可選每極對(duì)或每電周期脈沖）。

?6. 文檔結(jié)構(gòu)?

• ?功能框圖?：詳細(xì)展示邏輯核心、MOSFET驅(qū)動(dòng)及保護(hù)模塊。
• ?電氣參數(shù)?：涵蓋絕對(duì)最大額定值、ESD等級(jí)、熱阻（RθJA=40.9°C/W）。
• ?應(yīng)用曲線(xiàn)?：提供啟動(dòng)、開(kāi)環(huán)/閉環(huán)切換等實(shí)測(cè)波形圖。

?7. 設(shè)計(jì)支持?

• 提供調(diào)諧指南（Tuning Guide）優(yōu)化電機(jī)參數(shù)。
• 布局建議：強(qiáng)調(diào)散熱焊盤(pán)連接與低噪聲布線(xiàn)。

該文檔為工程師提供從選型到實(shí)現(xiàn)的完整參考，適用于需低噪聲、高效率的小型BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)場(chǎng)景。