文章來源:Jeff的芯片世界
原文作者:Jeff的芯片世界
本文介紹了SOI是什么、該技術的優(yōu)勢、應用領域與挑戰(zhàn)。
在半導體行業(yè)持續(xù)追求更高性能、更低功耗的今天,一種名為“SOI(Silicon-On-Insulator)”的工藝技術逐漸成為行業(yè)焦點。無論是智能手機、自動駕駛汽車,還是衛(wèi)星通信系統(tǒng),SOI技術都在幕后扮演著關鍵角色。
什么是SOI?
SOI全稱為Silicon-On-Insulator,是一種基于特殊襯底材料的半導體制造工藝。與傳統(tǒng)硅基工藝不同,SOI晶圓由三層結構組成:
頂部為單晶硅層(用于制造晶體管),中間為二氧化硅絕緣層(埋氧層),底部為硅襯底。這種結構通過物理或化學方法將硅層與襯底隔離,形成獨立的電學環(huán)境。SOI技術的核心在于利用絕緣層阻斷電流泄露路徑,從而顯著降低器件功耗,同時提升抗干擾能力。該技術自20世紀80年代進入工業(yè)化階段以來,已成為先進制程的重要分支。
SOI的技術優(yōu)勢
與傳統(tǒng)體硅(Bulk Silicon)工藝相比,SOI技術具備多項突破性優(yōu)勢。
一、低功耗特性
由于絕緣層的存在,晶體管漏電流可降低90%以上,尤其適用于對續(xù)航要求嚴苛的移動設備。
二、抗輻射能力
絕緣層可屏蔽宇宙射線和電磁干擾,使SOI芯片在航空航天、核工業(yè)等極端環(huán)境中穩(wěn)定運行。
三、高頻性能優(yōu)異
寄生電容的減少使得SOI器件在高頻信號處理(如5G通信)中延遲更低、效率更高。
四、設計靈活性
SOI襯底支持更簡化的制造流程,例如無需阱區(qū)摻雜,從而降低工藝復雜度。
SOI技術的應用領域
SOI技術已滲透至多個高精尖領域。在消費電子領域,蘋果、華為等廠商的射頻前端模組(如5G濾波器)廣泛采用SOI工藝,以實現(xiàn)更快的信號傳輸和更低的能耗。在汽車電子領域,特斯拉、英飛凌等公司利用SOI制造車規(guī)級雷達芯片,確保自動駕駛系統(tǒng)在高溫、震動環(huán)境下的可靠性。在航空航天領域,歐洲航天局(ESA)的衛(wèi)星通信設備大量使用SOI器件,以抵御太空輻射干擾。此外,SOI還在物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、醫(yī)療傳感器等場景中展現(xiàn)潛力,例如植入式醫(yī)療設備的長期低功耗監(jiān)測。
SOI技術的挑戰(zhàn)與局限
盡管優(yōu)勢顯著,SOI技術仍面臨產業(yè)化瓶頸。首先是成本問題:SOI晶圓價格是傳統(tǒng)硅片的3-5倍,限制了其在低成本芯片中的普及。其次是工藝復雜度高:絕緣層的引入對光刻、蝕刻等步驟提出更高要求,部分企業(yè)需重新設計制造流程。第三是材料缺陷風險:頂部硅層的均勻性若控制不當,可能導致器件性能波動。此外,SOI技術在超高壓、大電流場景(如功率半導體)中的應用仍待突破,需與其他材料(如氮化鎵)結合優(yōu)化。
-
半導體
+關注
關注
336文章
29609瀏覽量
253054 -
晶體管
+關注
關注
77文章
10098瀏覽量
145001 -
SOI
+關注
關注
4文章
81瀏覽量
18233 -
工藝技術
+關注
關注
0文章
20瀏覽量
9712
原文標題:SOI工藝技術介紹
文章出處:【微信號:bdtdsj,微信公眾號:中科院半導體所】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
Sic mesfet工藝技術研究與器件研究
FD-SOI(全耗盡型絕緣層上硅)
半導體工藝技術的發(fā)展趨勢
半導體工藝技術的發(fā)展趨勢是什么?
《炬豐科技-半導體工藝》III-V/SOI 波導電路的化學機械拋光工藝開發(fā)
創(chuàng)建靈敏的MEMS結構的工藝技術介紹
超細線蝕刻工藝技術介紹
蜂窩趨勢引領半導體工藝技術發(fā)展方向
工藝技術的發(fā)展推動蜂窩網(wǎng)絡技術
曝光成像與顯影工藝技術的原理及特點
SONNET中的工藝技術層介紹

評論