18video性欧美19sex,欧美高清videosddfsexhd,性少妇videosexfreexxx片中国,激情五月激情综合五月看花,亚洲人成网77777色在线播放

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

智多晶CPRI協(xié)議DEMO介紹

智多晶 ? 來源:智多晶 ? 作者:智多晶 ? 2025-10-22 09:13 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

引言

5G 乃至未來 6G 通信網絡中,基站作為核心基礎設施,其內部射頻拉遠單元(RRU)與基帶處理單元(BBU)之間的數(shù)據(jù)傳輸效率,直接決定了通信質量與網絡性能。而 CPRI(通用公共無線電接口)協(xié)議,正是保障這一傳輸過程高效、穩(wěn)定的關鍵技術標準。今天,我們就帶大家深入解讀西安智多晶微電子有限公司的 CPRI 協(xié)議演示方案,看看這項技術如何為無線通信賦能。

CPRI 協(xié)議Demo介紹

CPRI Demo中的核心模塊CPRI基于智多晶的SERDES IP核實現(xiàn)信號的高速傳輸,在Seal 5000高性能FPGA系列SA5T-100-D0可以支持到10Gbps。Demo使用了兩塊SA5T-100-D0開發(fā)板,一塊作為主端,另一塊作為從端。兩塊開發(fā)板之間通過FMC子板連接的光模塊進行交互,負責將FPGA輸出的電信號轉換為光信號,或接收光信號并還原為電信號,實現(xiàn)10Gbps速率的光傳輸。板載100MHz差分時鐘晶振作為整個系統(tǒng)的時鐘源,內置SERDES的CDR技術保障了數(shù)據(jù)傳輸?shù)馁|量。

9d859164-aa2c-11f0-8c8f-92fbcf53809c.png

Demo傳輸系統(tǒng)示意圖

在Demo演示環(huán)境中,CPRI主端利用信號生成模塊來模擬用戶并行輸入信號,CPRI Master模塊會與SERDES之間進行時鐘、數(shù)據(jù)和控制信號的交互。串行數(shù)據(jù)通過光模塊傳輸至另一開發(fā)板的SERDES,同樣與CPRI從端進行交互。CPRI Slave模塊解析并恢復主端發(fā)送的數(shù)據(jù),然后Check模塊會對輸出的數(shù)據(jù)進行校驗,以提示是否有比特錯誤。

Demo效果

信號生成模塊產生4通道、12位I/Q信號,通過從端的錯誤檢測和計數(shù)器,對接收到的數(shù)據(jù)進行誤碼率評估,從端能夠正確恢復主端發(fā)送數(shù)據(jù),實測誤碼率為0。

Demo特性

支持4通道、12位并行差分數(shù)據(jù)輸入;

支持10Gbps數(shù)據(jù)傳輸;

能夠恢復數(shù)據(jù)和時鐘;

具備數(shù)據(jù)校驗功能;

應用場景

6.4G、8G和10G速率的光纖數(shù)據(jù)傳輸;

基帶信號與射頻信號的高速、穩(wěn)定交互;

ADC多通道輸入信號的高速傳輸;

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 射頻
    +關注

    關注

    106

    文章

    5861

    瀏覽量

    172301
  • CPRI
    +關注

    關注

    1

    文章

    12

    瀏覽量

    9066
  • 智多晶微電子

    關注

    0

    文章

    14

    瀏覽量

    193

原文標題:“芯”技術分享 | 智多晶CPRI協(xié)議DEMO,解鎖基站數(shù)據(jù)傳輸新可能

文章出處:【微信號:智多晶,微信公眾號:智多晶】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    多晶Bit_CDR Demo介紹

    在高速串行通信中,CDR(Clock-Data-Recovery)時鐘與數(shù)據(jù)恢復功能起著關鍵作用。CDR電路可以從數(shù)據(jù)流中同時提取出數(shù)據(jù)和時鐘,鏈路上不再需要伴隨信號發(fā)送隨路時鐘,大量節(jié)省IO資源和布線成本,并且完全消除在高速通訊中因數(shù)據(jù)和時鐘相位偏差導致的傳輸錯誤,對長距離傳輸友好;采用了CDR電路的系統(tǒng),數(shù)據(jù)收發(fā)兩端在時鐘系統(tǒng)上可以完全解耦,帶來非常大的系統(tǒng)靈活性。
    的頭像 發(fā)表于 09-30 17:35 ?1396次閱讀
    智<b class='flag-5'>多晶</b>Bit_CDR <b class='flag-5'>Demo</b><b class='flag-5'>介紹</b>

    多晶SerDes 2.0 IP介紹

    為了滿足用戶對SerDes日益增漲和多樣化的要求。智多晶SerDes IP推出了2.0版本的升級,本次升級相比1.0版本主要帶來了以下的變化。
    的頭像 發(fā)表于 08-16 15:32 ?813次閱讀
    智<b class='flag-5'>多晶</b>SerDes 2.0 IP<b class='flag-5'>介紹</b>

    多晶AXI視頻通訊DEMO方案介紹

    在圖像與視頻處理領域,靈活、高效、低延遲的解決方案一直是行業(yè)追求的目標。西安智多晶微電子有限公司推出的AXI視頻通訊DEMO方案,基于智多晶SA5Z-30-D1-8U213C FPGA器件,通過
    的頭像 發(fā)表于 08-07 13:57 ?5182次閱讀
    智<b class='flag-5'>多晶</b>AXI視頻通訊<b class='flag-5'>DEMO</b>方案<b class='flag-5'>介紹</b>

    多晶eSPI_Slave IP介紹

    eSPI總線具有低功耗、管腳數(shù)量少、高效的數(shù)據(jù)傳輸?shù)葍?yōu)點,常用于與EC、BMC、SIO等外設的通信,是PC中CPU與這些外設通信的主流協(xié)議。智多晶eSPI_Slave IP符合eSPI標準規(guī)范,支持相關協(xié)議屬性。
    的頭像 發(fā)表于 05-08 16:44 ?869次閱讀
    智<b class='flag-5'>多晶</b>eSPI_Slave IP<b class='flag-5'>介紹</b>

    多晶FIFO_Generator IP介紹

    FIFO_Generator是智多晶設計的一款通用型FIFO IP。當前發(fā)布的FIFO_Generator IP是2.0版本,相比之前的1.1版本主要新增了非等比輸入輸出數(shù)據(jù)位寬支持和異步FIFO跨時鐘級數(shù)配置功能。
    的頭像 發(fā)表于 04-25 17:24 ?1324次閱讀
    智<b class='flag-5'>多晶</b>FIFO_Generator IP<b class='flag-5'>介紹</b>

    多晶LPC_Controller IP介紹

    在FPGA設計領域,西安智多晶微電子有限公司推出的LPC_Controller IP正逐漸嶄露頭角,為工程師們提供了強大的工具,助力他們在數(shù)據(jù)傳輸領域大展身手。今天,就讓我們一同揭開LPC_Controller IP的神秘面紗,探尋其獨特魅力。
    的頭像 發(fā)表于 04-18 11:52 ?1315次閱讀
    智<b class='flag-5'>多晶</b>LPC_Controller IP<b class='flag-5'>介紹</b>

    多晶硅鑄造工藝中碳和氮雜質的來源

    本文介紹了在多晶硅鑄造工藝中碳和氮雜質的來源、分布、存在形式以及降低雜質的方法。
    的頭像 發(fā)表于 04-15 10:27 ?894次閱讀
    <b class='flag-5'>多晶</b>硅鑄造工藝中碳和氮雜質的來源

    LPCVD方法在多晶硅制備中的優(yōu)勢與挑戰(zhàn)

    本文圍繞單晶硅、多晶硅與非晶硅三種形態(tài)的結構特征、沉積技術及其工藝參數(shù)展開介紹,重點解析LPCVD方法在多晶硅制備中的優(yōu)勢與挑戰(zhàn),并結合不同工藝條件對材料性能的影響,幫助讀者深入理解硅材料在先進微納制造中的應用與工藝演進路徑。
    的頭像 發(fā)表于 04-09 16:19 ?1382次閱讀
    LPCVD方法在<b class='flag-5'>多晶</b>硅制備中的優(yōu)勢與挑戰(zhàn)

    芯片制造中的多晶介紹

    多晶硅(Polycrystalline Silicon,簡稱Poly)是由無數(shù)微小硅晶粒組成的非單晶硅材料。與單晶硅(如硅襯底)不同,多晶硅的晶粒尺寸通常在幾十到幾百納米之間,晶粒間存在晶界。
    的頭像 發(fā)表于 04-08 15:53 ?2335次閱讀
    芯片制造中的<b class='flag-5'>多晶</b>硅<b class='flag-5'>介紹</b>

    晶體管柵極多晶硅摻雜的原理和必要性

    本文介紹多晶硅作為晶體管的柵極摻雜的原理和必要性。
    的頭像 發(fā)表于 04-02 09:22 ?1797次閱讀
    晶體管柵極<b class='flag-5'>多晶</b>硅摻雜的原理和必要性

    單晶圓系統(tǒng):多晶硅與氮化硅的沉積

    本文介紹了單晶圓系統(tǒng):多晶硅與氮化硅的沉積。 在半導體制造領域,單晶圓系統(tǒng)展現(xiàn)出獨特的工藝優(yōu)勢,它具備進行多晶硅沉積的能力。這種沉積方式所帶來的顯著益處之一,便是能夠實現(xiàn)臨場的多晶硅和
    的頭像 發(fā)表于 02-11 09:19 ?831次閱讀
    單晶圓系統(tǒng):<b class='flag-5'>多晶</b>硅與氮化硅的沉積

    為什么采用多晶硅作為柵極材料

    本文解釋了為什么采用多晶硅作為柵極材料 ? 柵極材料的變化 ? 如上圖,gate就是柵極,柵極由最開始的鋁柵,到多晶硅柵,再到HKMG工藝中的金屬柵極。 ? 柵極的作用 ? 柵極的主要作用是控制
    的頭像 發(fā)表于 02-08 11:22 ?987次閱讀
    為什么采用<b class='flag-5'>多晶</b>硅作為柵極材料

    多晶DDR Controller使用注意事項

    最后一期我們主要介紹多晶DDR Controller使用時的注意事項。
    的頭像 發(fā)表于 01-24 11:14 ?1158次閱讀
    智<b class='flag-5'>多晶</b>DDR Controller使用注意事項

    多晶DDR Controller介紹

    本期主要介紹多晶DDR Controller的常見應用領域、內部結構、各模塊功能、配置界面、配置參數(shù)等內容。
    的頭像 發(fā)表于 01-23 10:29 ?991次閱讀
    智<b class='flag-5'>多晶</b>DDR Controller<b class='flag-5'>介紹</b>

    多晶硅柵工藝的制造流程

    與亞微米工藝類似,多晶硅柵工藝是指形成 MOS器件的多晶硅柵極,柵極的作用是控制器件的關閉或者導通。淀積的多晶硅是未摻雜的,它是通過后續(xù)的源漏離子注入進行摻雜,PMOS 的柵是p型摻雜,NMOS 的柵是n型摻雜。
    的頭像 發(fā)表于 11-07 08:58 ?2122次閱讀
    <b class='flag-5'>多晶</b>硅柵工藝的制造流程