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AMC0106M05 ±50mV輸入功能隔離式δ-Σ調(diào)制器技術(shù)手冊

科技綠洲 ? 2025-10-22 10:28 ? 次閱讀
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該AMC0106M05是一種精密、功能隔離的三角積分調(diào)制器,輸入電壓范圍為±50mV。隔離柵將系統(tǒng)中在不同共模電壓電平下運(yùn)行的部分分開。隔離柵支持高達(dá) 200VRMS / 280VDC 的工作電壓和高達(dá) 570VRMS / 800VDC 的瞬態(tài)過電壓。

該AMC0106M05具有小封裝尺寸和低輸入電壓范圍,專為空間受限應(yīng)用中的高精度隔離電流檢測而設(shè)計。電流隔離柵支持高共模瞬變,并允許將敏感控制電路與功率級的開關(guān)噪聲隔離開來。
*附件:amc0106m05.pdf

AMC0106M05的輸出比特流與外部時鐘同步。結(jié)合 sinc3、OSR 256 濾波器,該器件可實現(xiàn) 16 位分辨率,動態(tài)范圍為 84dB,數(shù)據(jù)速率為 78kSPS。

該AMC0106M05采用8引腳、0.65mm間距VSON封裝,額定工作范圍為–40°C至+125°C的擴(kuò)展工業(yè)溫度范圍。

特性

  • 線性輸入電壓范圍:±50mV
  • 電源電壓范圍:
    • 高側(cè) (AVDD):3.0V 至 5.5V
    • 低側(cè) (DVDD):2.7V 至 5.5V
  • 低直流誤差:
    • 失調(diào)誤差:±200μV (最大值)
    • 失調(diào)漂移:±1.2μV/°C(最大值)
    • 增益誤差:±0.3%(最大值)
    • 增益漂移:±50ppm/°C(最大值)
  • 高 CMTI:150V/ns(最小值)
  • 缺少高側(cè)電源檢測
  • 低 EMI:符合 CISPR-11 和 CISPR-25 標(biāo)準(zhǔn)
  • 功能隔離:
    • 200VRMS,280VDC工作電壓
    • 570VRMS,800VDC 瞬態(tài)過壓(60 秒)
  • 在擴(kuò)展的工業(yè)溫度范圍內(nèi)完全額定:–40°C 至 +125°C

參數(shù)

image.png

方框圖

image.png

一、核心特性

  1. 精度與電氣性能
    • 低直流誤差:失調(diào)誤差最大 ±200μV,失調(diào)漂移最大 ±1.2μV/°C;增益誤差最大 ±0.3%,增益漂移最大 ±50ppm/°C,確保寬溫范圍內(nèi)測量準(zhǔn)確性。
    • 高抗干擾能力:共模瞬態(tài)抗擾度(CMTI)最低 150V/ns,滿足高噪聲工業(yè)環(huán)境需求;電磁干擾(EMI)符合 CISPR-11 和 CISPR-25 標(biāo)準(zhǔn),減少對周邊設(shè)備干擾。
    • 輸入與時鐘:模擬輸入阻抗隨時鐘頻率變化,20MHz 時鐘下為 5.3-7.3kΩ;支持 5-21MHz 外部時鐘,時鐘高 / 低電平時間最小 21.5ns,輸出比特流與時鐘同步。
  2. 隔離與封裝
    • 功能隔離:隔離屏障支持 200VRMS/280VDC 工作電壓,60s 瞬態(tài)過壓 570VRMS/800VDC,實現(xiàn)高低壓域隔離,保護(hù)敏感控制電路。
    • 封裝規(guī)格:采用 8 引腳 VSON 封裝(DEN 類型),尺寸 3.5mm×2.7mm,適合空間受限設(shè)計;工作溫度范圍 - 40°C 至 + 125°C,覆蓋工業(yè)級應(yīng)用需求。
  3. 功耗與啟動
    • 功耗:高側(cè)電源(AVDD)電流典型 6.2mA、最大 8.0mA,低側(cè)電源(DVDD)電流典型 4.5mA、最大 7.0mA,功耗較低。
    • 啟動:AVDD 從 0V 升至 3.0V(DVDD≥2.7V)時,啟動時間典型 100μs,比特流即可穩(wěn)定輸出;支持高側(cè)電源缺失檢測,缺失時輸出恒定低電平,便于故障排查。

二、適用場景

憑借高精度、高隔離特性,AMC0106M05 主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域:

  • 電機(jī)驅(qū)動與變頻器 :48V 電機(jī)驅(qū)動、48V 變頻器中的電流采樣,隔離功率級開關(guān)噪聲與控制電路,確保電流檢測精度。
  • 模擬輸入模塊工業(yè)自動化中的模擬信號采集模塊,實現(xiàn)高低壓域信號隔離傳輸,提升系統(tǒng)抗干擾能力。
  • 電源設(shè)備 :電源系統(tǒng)中的電流監(jiān)測,如開關(guān)電源的輸出電流采樣,保障電源穩(wěn)定運(yùn)行。

三、硬件設(shè)計要點(diǎn)

  1. 電源與去耦
    • 電源要求:高側(cè) AVDD 電壓范圍 3.0-5.5V,低側(cè) DVDD 電壓范圍 2.7-5.5V,無需特定上電順序。
    • 去耦配置:AVDD 和 DVDD 均需并聯(lián) 100nF 與 1μF 低 ESR 電容,且電容需緊貼器件電源引腳,減少電源噪聲干擾;推薦使用 MLCC 電容,需考慮直流偏置下的實際電容值衰減。
  2. 輸入電路設(shè)計
    • 分流電阻選型:根據(jù)線性輸入范圍(±50mV)和最大采樣電流確定阻值,例如 25A 電流采樣需選 2mΩ 電阻;需考慮電阻功率,建議工作功率不超過額定值的 2/3。
    • 輸入濾波:INP 與 INN 間需接至少 10nF 電容,推薦搭配 10Ω 電阻構(gòu)成差分 RC 濾波,截止頻率需低于時鐘頻率一個數(shù)量級,衰減高頻噪聲;可額外添加 1nF 共模電容(INP/INN 分別到 AGND),提升高頻共模抑制能力。
  3. 隔離與布局
    • 隔離注意:器件高側(cè)(1-4 引腳)與低側(cè)(5-8 引腳)需滿足爬電距離(≥1mm)和電氣間隙(≥1mm),避免隔離失效;隔離屏障基于 SiO?電容,抗磁場干擾能力強(qiáng)。
    • 布局準(zhǔn)則:分流電阻需靠近 INP/INN 引腳,減少信號路徑損耗;AGND 單獨(dú)布線并直接連接分流電阻,避免與 INN 在器件端直接短接,降低失調(diào)誤差;數(shù)字信號(CLKIN、DOUT)與模擬信號(INP、INN)分開布局,減少串?dāng)_。
  4. 比特流處理
    • 濾波要求:輸出比特流需經(jīng)數(shù)字低通濾波器處理,推薦采用 sinc3 濾波器(過采樣率 OSR=256),可實現(xiàn) 16 位分辨率、84dB 動態(tài)范圍,數(shù)據(jù)率 78kSPS;可通過 MCU(如 TI C2000 系列)或 FPGA 實現(xiàn)濾波,部分 MCU 提供專用硬件濾波模塊,簡化設(shè)計。

四、工作模式與異常處理

  1. 五種工作模式
    • 關(guān)閉狀態(tài):DVDD 低于欠壓閾值,DOUT 呈高阻態(tài),內(nèi)部由 ESD 二極管鉗位至 DVDD/DGND。
    • 高側(cè)電源缺失:DVDD 正常但 AVDD 低于欠壓閾值(典型 2.05V),DOUT 持續(xù)輸出低電平,無 128 時鐘周期脈沖,可區(qū)分負(fù)滿量程輸入。
    • 共模輸入違規(guī):AVDD、DVDD 正常,但共模電壓((INP+INN)/2)超出 - 0.032-1V 范圍,輸出無效數(shù)據(jù)。
    • 差分輸入超量程:輸入電壓絕對值≥64mV(鉗位電壓),DOUT 每 128 個時鐘周期輸出一個 1 或 0,指示滿量程狀態(tài)(負(fù)滿量程輸出 1、正滿量程輸出 0)。
    • 正常工作:所有參數(shù)均在推薦范圍內(nèi),DOUT 輸出與輸入電壓成比例的比特流,16 位分辨率下對應(yīng)代碼范圍 7168(-50mV)-58368(+50mV)。
  2. 異常保護(hù)
    • 過壓保護(hù):輸入電壓超出絕對最大額定值時,需限制輸入電流在 ±10mA 以內(nèi),避免 ESD 保護(hù)電路損壞。
    • 高溫保護(hù):結(jié)溫最高 150°C,需通過 PCB 散熱設(shè)計(如暴露熱焊盤并多過孔連接地平面)控制溫度,避免高溫導(dǎo)致性能下降。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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