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ADS9815/ADS9817 產(chǎn)品技術文檔總結

科技綠洲 ? 2025-10-24 10:06 ? 次閱讀
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ADS981x是一款8通道數(shù)據(jù)采集(DAQ)系統(tǒng),基于雙通道、同步采樣、18位逐次逼近寄存器(SAR)模數(shù)轉換器ADC)。ADS981x為每個通道提供完整的模擬前端,具有輸入箝位保護電路、1MΩ輸入阻抗和具有用戶可選帶寬選項的可編程增益放大器(PGA)。高輸入阻抗允許直接與傳感器和變壓器連接,從而消除了對外部驅動電路的需求。ADS981x可配置為接受共模電壓高達±12V的單極性或雙極性輸入。

該器件還具有用于ADC的4.096V基準電壓源和用于外部電路的2.5V基準電壓源輸出。支持1.2V至1.8V工作的數(shù)字接口使ADS981x無需外部電壓電平轉換器即可使用。
*附件:ads9815.pdf

特性

  • 8通道、18位ADC,帶模擬前端:
    • 雙通道、同步采樣:4 × 1 通道
    • 恒定的 1MΩ 輸入阻抗前端
  • 可編程模擬輸入范圍:
    • ±12V、±10V、±7V、±5V、±3.5V和±2.5V
    • 單端和差分輸入
    • ±12V 共模電壓范圍
    • 輸入過壓保護:高達 ±18V
  • 用戶可選擇的模擬輸入帶寬:
    • 21kHz 和 400kHz
  • 集成低漂移精密基準電壓源
    • ADC基準電壓源:4.096V
    • 2.5V 基準輸出,用于外部電路
  • 全通量下的出色交流和直流性能:
    • DNL:±0.5LSB,INL:±0.8LSB
    • 信噪比:92dB,總諧波擾:–113dB
  • 電源
    • 模擬和數(shù)字:5V 和 1.8V
    • 數(shù)字接口:1.2V 至 1.8V
  • 溫度范圍:–40°C 至 +125°C

參數(shù)

image.png

方框圖

image.png
ADS9815/ADS9817 是德州儀器(TI)推出的兩款 18 位雙通道同步采樣模數(shù)轉換器(ADC),集成完整模擬前端,具備高輸入阻抗、寬輸入范圍與靈活數(shù)據(jù)接口,適用于參數(shù)測量單元(PMU)、電池化成測試設備、數(shù)據(jù)采集(DAQ)等高精度數(shù)據(jù)采集場景。兩款器件核心架構一致,僅在采樣速率與功耗上存在差異,可根據(jù)應用對吞吐量的需求靈活選擇。

一、核心特性與器件差異

1. 共性核心特性

  • 通道與采樣能力 :8 通道模擬輸入(可配置為單端或差分),雙 ADC 同步采樣,支持每通道獨立配置輸入范圍與帶寬,無需外部驅動電路即可直接連接傳感器或變壓器。
  • 輸入性能 :固定 1MΩ 輸入阻抗(全采樣頻率與輸入范圍下),輸入過壓保護達 ±18V;可編程輸入范圍覆蓋 ±2.5V、±3.5V、±5V、±7V、±10V、±12V,支持 ±12V 寬共模電壓。
  • 精度與動態(tài)性能 :18 位分辨率(無失碼),差分非線性(DNL)±0.5LSB(典型值),積分非線性(INL)±0.8LSB(典型值,-40°C 至 125°C);動態(tài)性能優(yōu)異,低帶寬模式下信噪比(SNR)最高 92dBFS,總諧波失真(THD)-113dB,無雜散動態(tài)范圍(SFDR)113dB。
  • 濾波與參考 :支持用戶可選模擬低通濾波(LPF),低帶寬模式(21kHz)優(yōu)化噪聲,寬帶寬模式(最高 400kHz)優(yōu)化響應速度;集成 4.096V 低漂移 ADC 參考電壓,同時提供 2.5V 外部參考輸出(REFOUT_2V5)。
  • 可靠性與兼容性ESD 防護達人體放電模式(HBM)±2000V、帶電器件模式(CDM)±500V;數(shù)字接口支持 1.2V-1.8V 操作,無需外部電平轉換,適配不同主控芯片。

2. 器件差異(ADS9815 vs ADS9817)

參數(shù)ADS9815ADS9817
每通道最大采樣速率1MSPS2MSPS
最大總功耗(典型值)165mW232mW
采樣時鐘頻率范圍3.9-4.1MHz3.9-8.1MHz
適用場景中低速高精度采集高速高精度采集

二、封裝與引腳

1. 封裝規(guī)格

  • 均采用 7mm×7mm 56 引腳 VQFN(RSH 封裝),內(nèi)置裸露熱焊盤(需接地以優(yōu)化散熱與機械性能),工作溫度范圍 -40°C 至 125°C,MSL 等級 3(260°C 峰值回流焊,168 小時濕度敏感等級)。

2. 關鍵引腳功能

引腳名稱類型核心功能
AIN1P/AIN1M~AIN8P/AIN8M模擬輸入8 對差分模擬輸入通道,支持單端 / 差分配置,內(nèi)置過壓鉗位保護
AVDD_5V模擬電源5V 模擬電源,需并聯(lián) 1μF+0.1μF 去耦電容接地
VDD_1V8模擬電源1.8V 模擬電源,為內(nèi)部數(shù)字核心供電,需去耦電容接地
IOVDD數(shù)字電源1.2V-1.8V 數(shù)字 I/O 電源,為 SPI 與數(shù)據(jù)接口供電
REFIO模擬 I/O內(nèi)部參考輸出(使能時)或外部參考輸入(禁用內(nèi)部參考時),需 10μF 去耦電容
REFOUT_2V5模擬輸出2.5V 參考電壓輸出,供外部電路使用,需 10μF 去耦電容
SMPL_CLKP/CLKM數(shù)字輸入采樣時鐘輸入(差分或單端,單端時 CLKM 接地)
D0~D3數(shù)字輸出串行數(shù)據(jù)輸出通道(2 通道 / 4 通道模式可選)
DCLKOUT/FCLKOUT數(shù)字輸出數(shù)據(jù)時鐘(源同步)/ 幀同步時鐘,用于數(shù)據(jù)采集同步
CS/SCLK/SDI/SDO數(shù)字 I/OSPI 配置接口(CS 低有效,SCLK 時鐘,SDI 數(shù)據(jù)輸入,SDO 數(shù)據(jù)輸出)
PWDN/RESET數(shù)字輸入掉電控制(低有效)/ 復位控制(低有效),均內(nèi)置 100kΩ 上拉電阻

三、電氣規(guī)格與工作條件

1. 電源要求

電源類型電壓范圍典型值備注
AVDD_5V4.75V-5.25V5V模擬前端與采樣開關供電
VDD_1V81.75V-1.85V1.8V內(nèi)部模擬電路與數(shù)字核心供電
IOVDD1.15V-1.85V1.8V數(shù)字 I/O 與 SPI 接口供電

2. 關鍵電氣參數(shù)(典型值,TA=25°C)

  • 輸入特性 :輸入電容 10pF,輸入阻抗溫漂 10-25ppm/°C;寬共模模式下,CMRR(直流)-70dB,通道隔離串擾 -100dB。
  • 參考特性 :內(nèi)部 4.096V 參考電壓溫漂 10-25ppm/°C,REFIO 輸出電壓精度 ±0.1%。
  • 功耗 :ADS9815 在 1MSPS 時,AVDD_5V 電流 19-25mA,VDD_1V8 電流 35-43mA;ADS9817 在 2MSPS 時,AVDD_5V 電流 26-32mA,VDD_1V8 電流 50-70mA。

四、工作模式與控制

1. 核心工作模式

  • 正常模式 :需接入自由運行的采樣時鐘(SMPL_CLK),ADC 對 8 通道同步采樣,數(shù)據(jù)通過 D0~D3 輸出(支持 2 通道 / 4 通道、單數(shù)據(jù)率 SDR / 雙數(shù)據(jù)率 DDR 模式)。
  • 掉電模式 :通過 PWDN 引腳拉低或寄存器 PD_CH 配置(0xC0 寄存器)進入,寄存器配置保留,功耗降至 μA 級。
  • 復位模式 :通過 RESET 引腳拉低或寄存器 RESET 位(0x00 寄存器)觸發(fā),寄存器恢復默認值,需重新執(zhí)行初始化序列。

2. 初始化序列

器件上電或復位后需執(zhí)行固定初始化流程(含寄存器 bank 切換、INIT 位配置、增益校準使能等),確保模擬前端與 ADC 穩(wěn)定,關鍵步驟如下(完整序列見文檔表 6-10):

  1. 選擇寄存器 bank1(0x03 寄存器寫 0x0002),配置 INIT_2=1(0xF6 寄存器)。
  2. 切換至 bank2(0x03 寄存器寫 0x0010),配置 INIT_3~INIT_5 位,等待 10μs 后復位 INIT_5。
  3. 使能增益校準(0x33、0x34 寄存器),選擇數(shù)據(jù)格式(二進制補碼 / 無符號二進制,0x0D 寄存器)。

3. 校準功能

  • 增益誤差校準 :通過 GE_CAL_EN1~GE_CAL_EN4 寄存器位(0x0D、0x33、0x34)全局使能,校準后輸入范圍精度提升,未校準時光柵范圍會擴大 2.4%(如 ±5V 變?yōu)?±5.12V)。
  • 偏移誤差校準 :支持通過外部電路短路輸入(AINxP=AINxM),采集偏移數(shù)據(jù)后寫入寄存器補償。

五、接口與數(shù)據(jù)傳輸

1. SPI 配置接口

  • 功能 :用于寄存器讀寫(配置輸入范圍、濾波模式、參考選擇等),支持菊花鏈拓撲(多器件級聯(lián)減少 SPI 引腳),幀長度 24 位(8 位地址 + 16 位數(shù)據(jù))。
  • 關鍵時序 :SCLK 最高頻率 20MHz,CS 高電平最小持續(xù)時間 220ns,SDI 數(shù)據(jù)建立時間 10ns、保持時間 5ns。

2. 數(shù)據(jù)輸出接口

  • 模式配置 :通過 DATA_LANES(0xC1 寄存器)選擇 2 通道(D3、D1 輸出)或 4 通道(D3~D0 輸出),DATA_RATE 選擇 SDR 或 DDR 模式,數(shù)據(jù)格式為 24 位(18 位轉換結果 + 6 位 0),MSB 優(yōu)先。
  • 同步與時鐘 :SMPL_SYNC 引腳用于多 ADC 同步采樣;DCLKOUT 頻率由采樣時鐘、通道數(shù)與數(shù)據(jù)率決定(如 ADS9817 4 通道 DDR 模式下,DCLKOUT=48MHz)。
  • 測試模式 :支持固定模式、數(shù)字斜坡、交替模式等測試圖案(0x13~0x1B 寄存器),用于驗證數(shù)據(jù)接口完整性。

六、寄存器配置

1. 寄存器 bank 劃分

  • Bank0(地址 00h-06h) :全局控制,如寄存器 bank 選擇(0x03)、復位(0x00)、菊花鏈長度(0x01)。
  • Bank1(地址 0Dh、12h、C0h-C5h 等) :核心功能配置,如輸入范圍(C2h/C3h)、濾波帶寬(C0h)、參考選擇(C1h)、增益校準(0x0D、0x33)、數(shù)據(jù)接口(C1h)。
  • Bank2(地址 0Ah、12h、13h) :初始化控制,如 INIT_3~INIT_5 位(用于上電初始化)。

2. 關鍵寄存器示例

寄存器地址功能關鍵位配置示例
0x0D數(shù)據(jù)格式與增益校準DATA_FORMAT=1(二進制補碼),GE_CAL_EN1=3(全局增益校準使能)
0xC0帶寬與掉電控制ANA_BW [7:0]=0xFF(所有通道寬帶寬模式),PD_CH=0(正常工作)
0xC1參考與數(shù)據(jù)接口PD_REF=0(啟用內(nèi)部參考),DATA_LANES=0(4 通道),DATA_RATE=0(DDR 模式)
0xC2/C3輸入范圍RANGE_CH1=0(±5V),RANGE_CH8=5(±12V)

七、應用與設計建議

1. 典型應用場景

  • 參數(shù)測量單元(PMU) :用于半導體測試設備,同步采集多通道電壓 / 電流信號,配合 DAC 實現(xiàn)高精度力 / 測功能(見圖 8-1/8-2)。
  • 電池化成測試 :監(jiān)測電池充電 / 放電過程中的電壓、電流變化,寬輸入范圍適配不同電池類型(如鋰電池、鉛酸電池)。
  • 高精度 DAQ :用于工業(yè)過程控制、醫(yī)療設備(如超聲設備前端),低噪聲模式提升小信號采集精度。

2. 設計建議

  • 電源與去耦 :AVDD_5V、VDD_1V8、IOVDD 需獨立去耦(1μF 鉭電容 + 0.1μF 陶瓷電容靠近引腳),模擬地與數(shù)字地單點連接(熱焊盤處)。
  • 輸入驅動 :雖支持直接接傳感器,但長距離信號需加緩沖(如 THS4551);輸入過壓時需串聯(lián)限流電阻(如 1kΩ),避免輸入電流超 10mA。
  • 參考電路 :REFIO 引腳需并聯(lián) 10μF 陶瓷電容(靠近引腳),外部參考推薦 REF7040(低溫漂 4.096V 參考)。
  • PCB 布局 :模擬信號(AINxP/AINxM、REFIO)與數(shù)字信號(SCLK、D0~D3)分開布線,避免交叉;熱焊盤通過過孔連接至地平面,優(yōu)化散熱。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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