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2018年全球晶圓代工產(chǎn)值再創(chuàng)新高 三星或?qū)⒎闯_積電

半導(dǎo)體動態(tài) ? 來源:工程師吳畏 ? 作者:拓墣產(chǎn)業(yè)研究院 ? 2019-01-08 17:11 ? 次閱讀
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根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院最新統(tǒng)計,2018年全球晶圓代工產(chǎn)值再創(chuàng)新高,有望突破600億美元大關(guān),年成長達(dá)5%(2017年成長8.1%)。

晶圓代工產(chǎn)業(yè)自2017年便開始呈現(xiàn)「一位難求」,客戶排隊等產(chǎn)能景象,整體產(chǎn)業(yè)榮景延伸至2018上半年,部分晶圓代工廠商甚至在2018上半年交出2位數(shù)年成長幅度。在2018下半年,客戶需求開始趨緩,眾多制程產(chǎn)品市場表現(xiàn)不如預(yù)期(尤以28nm節(jié)點最明顯)。

成熟制程產(chǎn)品穩(wěn)健發(fā)展

自2017年開始,市場呈現(xiàn)8寸晶圓代工產(chǎn)能比12寸代工產(chǎn)能更加緊缺局勢,可想而知,成熟制程技術(shù)的應(yīng)用需求依然處在穩(wěn)健成長態(tài)勢,其中包含電源管理、顯示驅(qū)動、指紋識別、影像感測與MCU等眾多應(yīng)用,制成節(jié)點從40/45nm開始一路往上涵蓋至0.25/0.35/0.5μm等技術(shù)。

事實上,晶圓代工產(chǎn)業(yè)的二把手和三把手,格芯和聯(lián)電皆于2018年相繼宣布放棄競逐先進(jìn)制程技術(shù),轉(zhuǎn)而將資源集中于12/14nm以上產(chǎn)品市場,可想而知,在物聯(lián)網(wǎng)大趨勢下,已有部分晶圓代工廠商改采穩(wěn)扎穩(wěn)打的市場策略,將深耕相對成熟的制程產(chǎn)品。

臺積電大談10nm以下先進(jìn)制程商機(jī)

相較格芯和聯(lián)電,晶圓代工產(chǎn)業(yè)龍頭臺積電則持續(xù)于產(chǎn)業(yè)內(nèi)維持其先進(jìn)芯片代工技術(shù)的身分地位。

2018年領(lǐng)先同業(yè)量產(chǎn)7nm技術(shù)后便立即籌劃7nm升級版,預(yù)計2019年將EUV引入7nm產(chǎn)品并量產(chǎn),臺積電為保持未來5年領(lǐng)導(dǎo)地位,已明確規(guī)劃和投資臺南廠區(qū),期望分別于2020年與2022年量產(chǎn)更先進(jìn)的5nm和3nm技術(shù)。

從臺積電公開資料中可得知,2018上半年便已有不少客戶將產(chǎn)品從10nm轉(zhuǎn)投至更高技術(shù)規(guī)格的7nm,顯現(xiàn)出市場對更高規(guī)格技術(shù)需求。

三星成晶圓代工先進(jìn)制程技術(shù)關(guān)鍵廠商

除了上述3間重點「純」晶圓代工廠商于2018下半年接連發(fā)布重大策略外,英特爾和三星一直以來也是晶圓代工產(chǎn)業(yè)中值得關(guān)注的廠商。

英特爾和三星雖然都是IDM廠商,但因自身有與臺積電相匹配的先進(jìn)制程技術(shù),一直以來也是Fabless芯片設(shè)計廠商重點關(guān)注的潛力供應(yīng)商,但隨著英特爾因長年耕耘晶圓代工市場無果而漸進(jìn)式退出,三星將成為客戶在10nm以下產(chǎn)品的唯二選擇。

從數(shù)月前SFF Japan 2018發(fā)布進(jìn)度觀察,三星將于2018~2020年依序完成7nm、5/4nm與3nm,以實現(xiàn)反超臺積電的目標(biāo)。

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