之前談過美國、日本、南韓三國的半導體發(fā)展策略，12月歐盟會議也做出決議，由法、義、德、英29家公司共同研發(fā)半導體5個項目，至2024年止由參與國政府支持17.5億歐元。

歐洲半導體從來不是強項，現(xiàn)在說得上名字的大廠只有英飛凌(Infineon)和意法半導體(STMicroelectronics)。這兩家產(chǎn)品集中于功率元件與車用電子，只是比例上略有不同。既然在先進邏輯制程和存儲器技術失去了動量，集中精力于己長以及應用面的考量，似乎是政策的必然。

這5項領域分別為功率半導體、節(jié)能芯片、智慧傳感器、先進光學設備，還有化合物材料。

這里面比較費解的是第四項先進光學設備，但是從參與計劃的兩家德國公司Carl Zeiss與Advanced Mask Technology Center (AMTC)來看，講的大概不是如硅光子類的芯片，而真的是光學機器設備。AMTC的產(chǎn)品是光罩，Carl Zeiss大家的印象是鏡片和相機，但是Carl Zeiss也是ASML在EUV的策略伙伴、并且也制造光罩卻是較少為人知的。有趣的是ASML并未參加此一項目，這是業(yè)界常態(tài)，也就是最強的公司毋需政府照拂。

第一項節(jié)能芯片是過去所有行動器具芯片的共同要求，譬如DRAM中的LP DDR4講的就是低功率界面，同樣的需求還有未來的IoT。有趣的是計劃引用的應用例子單為車用半導體。

笫二項功率半導體過去德、日二分天下，尤其英飛凌過去的DRAM技術以挖深溝(trench)見長，在功率元件的工藝技術上亦頗為受用。計劃的目標為改進可靠性，即功率元件永久的命題，應用為智慧家電，以及，又是車用電子。這個項目的中低階產(chǎn)品預計未來會受中國強烈的沖擊。國內(nèi)的功率元件自給率比平均IC的自給率還低，只有10%，進口替代成為政策目標，受到政策影響的，就是德、日這兩個功率元件大國。

第三項傳感器主要是改善光學、行動和磁場傳感器的效能和精確度，應用的對象仍是車用電子。

第五項化合物材料(compound materials)是指取代硅的化合物，國內(nèi)稱之為第三代半導體。目前主要的候選人為SiC與GaN這兩種寬帶隙材料；前者耐高壓，后者速度快。這是功率元件的下世代產(chǎn)品，在高壓、高電流、低功耗、散熱、面積和速度上都期待比硅基功率元件要有所提升。參加這項目的公司看來獨缺英飛凌，想來與ASML在光學設備缺席的原因相仿。功率半導體與化合物半導體的應用領域利潤最高的都是引擎蓋下(under the hood)的原廠設備(OE)元件，對于可靠性的要求極為嚴苛，要達ppb等級。這個項目主要應用領域也是車用電子。

從歐盟支持的政策可以看到3個想法。一是鞏固自己的強項，拉大差距。再者，應用集中，主要在車用電子和新能源。第三則是由半導體制造向上、下游兩邊推進，上游是材料和機器設備，下游是應用。這都是后摩爾定律時代半導體增值的幾種基本策略。