18video性欧美19sex,欧美高清videosddfsexhd,性少妇videosexfreexxx片中国,激情五月激情综合五月看花,亚洲人成网77777色在线播放

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

MOSFET開(kāi)關(guān)時(shí)間參數(shù)的重要性介紹

TI視頻 ? 來(lái)源:ti ? 2019-05-05 06:26 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

對(duì)于任何半導(dǎo)體來(lái)說(shuō)除了額定電壓、額定電流這些,所有電子元件都去關(guān)心的參數(shù)以外開(kāi)關(guān)時(shí)間的參數(shù)尤為重要,因?yàn)楦痰拈_(kāi)關(guān)時(shí)間意味著開(kāi)關(guān)頻率可以變高,那么電路中的儲(chǔ)能元件電容、電感還有變壓器它們的體積、容量都可以成倍地減小,那么高頻化實(shí)際上是電源技術(shù)發(fā)展的一個(gè)主要方向。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    150

    文章

    9182

    瀏覽量

    226689
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    336

    文章

    29611

    瀏覽量

    253079
  • ti
    ti
    +關(guān)注

    關(guān)注

    114

    文章

    8047

    瀏覽量

    217280
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    開(kāi)關(guān)速度看MOSFET在高頻應(yīng)用中的性能表現(xiàn)

    一、MOSFET開(kāi)關(guān)速度的定義與影響因素開(kāi)關(guān)速度是MOSFET在導(dǎo)通(開(kāi))和關(guān)斷(關(guān))狀態(tài)之間的切換速度,通常以上升時(shí)間(tr)、下降
    的頭像 發(fā)表于 07-01 14:12 ?411次閱讀
    從<b class='flag-5'>開(kāi)關(guān)</b>速度看<b class='flag-5'>MOSFET</b>在高頻應(yīng)用中的性能表現(xiàn)

    分享原子鐘在科研領(lǐng)域的重要性

    ,以其無(wú)與倫比的精度和穩(wěn)定性,成為了科研領(lǐng)域的核心設(shè)備之一。本文將深入探討原子鐘在科研領(lǐng)域的重要性,揭示其如何推動(dòng)科學(xué)技術(shù)的進(jìn)步。1.天文學(xué)與宇宙研究在天文學(xué)領(lǐng)域,
    的頭像 發(fā)表于 05-15 15:55 ?371次閱讀
    分享原子鐘在科研領(lǐng)域的<b class='flag-5'>重要性</b>

    SiC MOSFET 開(kāi)關(guān)模塊RC緩沖吸收電路的參數(shù)優(yōu)化設(shè)計(jì)

    模塊壽命,提高系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)。文獻(xiàn) [12] 針對(duì) IGBT 開(kāi)關(guān)模塊的緩沖吸收電路進(jìn)行了參數(shù)設(shè)計(jì)和研究,該電路比較復(fù)雜,文中沒(méi)有給出參數(shù)選取的優(yōu)化區(qū)間。由于 SiC-
    發(fā)表于 04-23 11:25

    MOSFET開(kāi)關(guān)損耗計(jì)算

    、參數(shù)與應(yīng)用,除針對(duì)目前低電壓 Power MOSFET 的發(fā)展趨勢(shì)做簡(jiǎn)單介紹外,還將簡(jiǎn)單比較新一代 Power MOSFET 的性能。 Power
    發(fā)表于 03-24 15:03

    連接器氣密檢測(cè)的重要性

    。連接器氣密檢測(cè)的重要性?惡劣環(huán)境電氣連接保障:潮濕、粉塵、腐蝕性氣體、溫度劇變等惡劣環(huán)境,氣密不良將導(dǎo)致觸點(diǎn)腐蝕、絕緣下降、信號(hào)中斷等故障,威脅設(shè)備安全運(yùn)行
    的頭像 發(fā)表于 03-17 11:01 ?532次閱讀
    連接器氣密<b class='flag-5'>性</b>檢測(cè)的<b class='flag-5'>重要性</b>

    PCB拼板設(shè)計(jì)全解析:重要性、優(yōu)勢(shì)與應(yīng)用實(shí)踐

    一站式PCBA智造廠家今天為大家講講PCB拼板設(shè)計(jì)的重要性表現(xiàn)哪些方面?PCB拼板設(shè)計(jì)的基本概念及其重要性。在電子制造行業(yè),SMT貼片工藝中,PCB拼板設(shè)計(jì)是一項(xiàng)極為關(guān)鍵的步驟。通過(guò)優(yōu)化PCB拼板
    的頭像 發(fā)表于 03-13 09:35 ?936次閱讀
    PCB拼板設(shè)計(jì)全解析:<b class='flag-5'>重要性</b>、優(yōu)勢(shì)與應(yīng)用實(shí)踐

    芯片制造中薄膜厚度量測(cè)的重要性

    本文論述了芯片制造中薄膜厚度量測(cè)的重要性,介紹了量測(cè)納米級(jí)薄膜的原理,并介紹了如何在制造過(guò)程中融入薄膜量測(cè)技術(shù)。
    的頭像 發(fā)表于 02-26 17:30 ?1959次閱讀
    芯片制造中薄膜厚度量測(cè)的<b class='flag-5'>重要性</b>

    MOSFET開(kāi)關(guān)損耗和主導(dǎo)參數(shù)

    本文詳細(xì)分析計(jì)算開(kāi)關(guān)損耗,并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開(kāi)通過(guò)程和自然零電壓關(guān)斷的過(guò)程,從而使電子工程師知道哪個(gè)參數(shù)起主導(dǎo)作用并更加深入理解MOSFET
    發(fā)表于 02-26 14:41

    構(gòu)建綜合指揮調(diào)度系統(tǒng)的重要性

    構(gòu)建綜合指揮調(diào)度系統(tǒng)的重要性不言而喻,它對(duì)于提升應(yīng)急響應(yīng)速度、優(yōu)化資源配置、加強(qiáng)跨部門協(xié)作、提高決策效率和確保公共安全等方面都具有至關(guān)重要的作用。以下是古河云科技構(gòu)建綜合指揮調(diào)度系統(tǒng)重要性的幾個(gè)關(guān)鍵方面:
    的頭像 發(fā)表于 02-06 16:56 ?778次閱讀

    如何理解射頻開(kāi)關(guān)IC規(guī)格書中定義的開(kāi)關(guān)時(shí)間 Switching Time

    等指標(biāo)外,還有一個(gè)較為重要的指標(biāo)switching time,以日清紡微電子的車規(guī)SPDT開(kāi)關(guān)NJG1801BKGC-A為例,其規(guī)格書標(biāo)稱開(kāi)關(guān)時(shí)間在100ns左右。 除了switching time
    的頭像 發(fā)表于 02-06 16:47 ?1115次閱讀
    如何理解射頻<b class='flag-5'>開(kāi)關(guān)</b>IC規(guī)格書中定義的<b class='flag-5'>開(kāi)關(guān)時(shí)間</b> Switching Time

    電橋在電子測(cè)試中的重要性

    電橋在電子測(cè)試中的重要性體現(xiàn)在多個(gè)方面,以下是詳細(xì)的分析: 一、精確測(cè)量電參數(shù) 電橋作為一種精密的測(cè)量工具,能夠精確測(cè)量電阻、電容、電感等電參數(shù)
    的頭像 發(fā)表于 01-09 10:03 ?1274次閱讀

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測(cè)試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠?

    隨著電力電子技術(shù)的不斷進(jìn)步,碳化硅MOSFET因其高效的開(kāi)關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分,柵極氧化層對(duì)器件的整體性
    發(fā)表于 01-04 12:37

    漏電開(kāi)關(guān)重要性及作用

    在現(xiàn)代生活中,電能已成為不可或缺的能源之一。隨著電氣設(shè)備的普及,電氣安全問(wèn)題也日益凸顯。漏電開(kāi)關(guān)作為電氣安全的重要組成部分,其重要性和作用不容忽視。 一、漏電開(kāi)關(guān)的定義與原理 漏電
    的頭像 發(fā)表于 12-30 16:26 ?2698次閱讀

    PCB板元器件點(diǎn)膠加固的重要性

    PCB板元器件點(diǎn)膠加固的重要性PCB板元器件點(diǎn)膠加固在電子制造過(guò)程中起到了至關(guān)重要的作用,其重要性主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面:一、提高機(jī)械強(qiáng)度點(diǎn)膠加固可以顯著降低電子元件的翹曲和變形現(xiàn)象,從而提高整個(gè)
    的頭像 發(fā)表于 12-20 10:18 ?2062次閱讀
    PCB板元器件點(diǎn)膠加固的<b class='flag-5'>重要性</b>

    晶圓制造recipe(工藝配方)的定義、重要性、種類及構(gòu)建和驗(yàn)證方式

    本文介紹了在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,recipe(工藝配方)的定義、重要性、種類,以及構(gòu)建和驗(yàn)證方式,并介紹了優(yōu)化方向。 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,recipe(工藝配方)是指一套精確定義的工藝參數(shù)
    的頭像 發(fā)表于 12-10 17:11 ?3883次閱讀