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內(nèi)存標準向來都是系統(tǒng)性能的決定因素，從開始的SDR（單數(shù)據(jù)速率RAM）到最近的DDR（雙數(shù)據(jù)速率），內(nèi)存標準一直與時俱進。

SRAM 到 DDR，標準不斷更新，是為了滿足日新月異的超現(xiàn)代創(chuàng)新需求。DDR4最新系列產(chǎn)品控制功能穩(wěn)健、性能更上一層，贏得市場青睞。不但如此，企業(yè)、平板電腦、微服務器和超薄客戶端應用的能源效率也得以提高。

大多數(shù)應用都開始采用使用DDR4更新的版本，因為高級版本比其他版本具有更多優(yōu)勢。數(shù)據(jù)速率為2GB至16GB，可實現(xiàn)大容量子系統(tǒng)。DDR4標準允許的DIMM容量最高可達64GB，而DDR3的最大容量為16GB/DIMM。

市場上有多種DDR4插座和模塊。超薄型(ULP)垂直DIMM插座最適合超薄應用，便于擴展臺式機、服務器、工作站、通信和工業(yè)設備嵌入式應用的內(nèi)存。

DDR4拓寬了道路，為大規(guī)模技術(shù)創(chuàng)新奠定基礎，并且沒有停下步伐，技術(shù)仍在大步邁前。即將推出的DDR5行業(yè)標準不但更快，性能也更優(yōu)越，目前其設計適用于顯卡、游戲機和高性能計算。

DDR4 內(nèi)存模塊插槽

Amphenol ICC 的DDR4 DIMM垂直插槽擁有間距為0.85毫米的288個端子，其設計可容納JEDEC MO-309標準的DDR4內(nèi)存模塊。這種插槽允許服務器、工作站、臺式電腦、筆記本電腦以及通信和工業(yè)設備的嵌入式應用進行內(nèi)存擴展。

低電阻端子還支持使用RDIMM（寄存DIMM），RDIMM能幫助進一步降低數(shù)據(jù)中心硬件（例如服務器、存儲器和網(wǎng)絡設備）的功耗。2.4毫米的低模塊底座面和細長的彈出器設計減小了連接器和安裝模塊的總體尺寸，幫助優(yōu)化氣流。

提供表面封裝(SMT)、電鍍通孔(PTH)焊接和壓接(PF)連接器終端選項。

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超薄型內(nèi)存模塊插槽

內(nèi)存模塊系列產(chǎn)品

DDR5 Memory Module Sockets (SMT)

DDR4 SO-DIMM 內(nèi)存模塊插槽

DDR4超薄型內(nèi)存模塊插槽

DDR4 內(nèi)存模塊插槽

DDR3 內(nèi)存模塊插槽

DDR2 SO-DIMM 內(nèi)存模塊插槽

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原文標題：從SDR到DDR4，連接器如何趕上內(nèi)存進化的步伐？

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