動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-07-23 14:32

  晶圓清洗工藝有哪些類型

  

  晶圓清洗工藝是半導體制造中的關(guān)鍵步驟，用于去除晶圓表面的污染物（如顆粒、有機物、金屬離子和氧化物），確保后續(xù)工藝（如光刻、沉積、刻蝕）的良率和器件性能。根據(jù)清洗介質(zhì)、工藝原理和設(shè)備類型的不同，晶圓清洗工藝可分為以下幾類：1.濕法清洗（WetCleaning）（1）槽式清洗（BatchCleaning）原理：將多片晶圓（通常25-50片）放入化學槽中，依次浸泡

  半導體

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• 發(fā)布了文章 2025-07-22 16:54

  晶圓清洗后表面外延顆粒要求

  

  晶圓清洗后表面外延顆粒的要求是半導體制造中的關(guān)鍵質(zhì)量控制指標，直接影響后續(xù)工藝（如外延生長、光刻、金屬化等）的良率和器件性能。以下是不同維度的具體要求和技術(shù)要點：一、顆粒污染的核心要求顆粒尺寸與數(shù)量小尺寸晶圓（2-6英寸）：允許顆粒尺寸通?！?μm，數(shù)量控制在＜1000顆/cm2（具體取決于工藝節(jié)點）。部分應用（如功率器件）可接受更低標準，但需避免肉眼可見污

  半導體制造

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• 發(fā)布了文章 2025-07-22 16:51

  不同晶圓尺寸清洗的區(qū)別

  

  不同晶圓尺寸的清洗工藝存在顯著差異，主要源于其表面積、厚度、機械強度、污染特性及應用場景的不同。以下是針對不同晶圓尺寸（如2英寸、4英寸、6英寸、8英寸、12英寸等）的清洗區(qū)別及關(guān)鍵要點：一、晶圓尺寸與清洗挑戰(zhàn)小尺寸晶圓（2-6英寸）特點：面積小、厚度較?。ㄈ?英寸晶圓厚度約500μm），機械強度低，易受流體沖擊損傷。挑戰(zhàn)：清洗槽體積較小，易因流體不均勻?qū)е?

  晶圓 超聲波清洗機

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• 發(fā)布了文章 2025-07-21 14:42

  硅清洗液不能涂的部位有哪些

  

  在硅片清洗過程中，某些部位需避免接觸清洗液，以防止腐蝕、污染或功能失效。以下是需要特別注意的部位及原因：一、禁止接觸清洗液的部位1.金屬互連線與焊墊（MetalInterconnects&Pads）風險：強酸/堿清洗液（如DHF、BOE）會腐蝕鋁（Al）、銅（Cu）等金屬層；焊墊氧化或污染可能導致后續(xù)焊接失效。保護措施：使用光刻膠或硬質(zhì)掩膜（如SiO?）覆蓋

  大硅片 硅片

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• 發(fā)布了文章 2025-07-21 14:38

  硅清洗機配件有哪些

  

  硅清洗機的配件種類繁多，具體取決于清洗工藝類型（如濕法化學清洗、超聲清洗、等離子清洗等）和設(shè)備結(jié)構(gòu)。以下是常見的配件分類及典型部件：一、核心功能配件清洗槽（Tank）材質(zhì)：耐腐蝕材料（如PFA、PTFE、聚丙烯PP或不銹鋼316L）。類型：單槽、多槽串聯(lián)（如RCA清洗用SC-1/SC-2槽）、噴淋槽等。功能：容納清洗液（如DHF、BOE、SC溶液等），直接接

  清洗機 硅片

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2025-07-15 15:25

  QDR清洗設(shè)備 芯矽科技

  

  產(chǎn)品型號：qdrqxsb 非標定制：根據(jù)客戶需求定制

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2025-07-15 15:14

  臥式石英管舟清洗機 芯矽科技

  

  產(chǎn)品型號：wssygzqxj 非標定制：根據(jù)需求定制

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• 發(fā)布了文章 2025-07-15 15:00

  晶圓蝕刻擴散工藝流程

  

  晶圓蝕刻與擴散是半導體制造中兩個關(guān)鍵工藝步驟，分別用于圖形化蝕刻和雜質(zhì)摻雜。以下是兩者的工藝流程、原理及技術(shù)要點的詳細介紹：一、晶圓蝕刻工藝流程1.蝕刻的目的圖形化轉(zhuǎn)移：將光刻膠圖案轉(zhuǎn)移到晶圓表面，形成所需的電路或結(jié)構(gòu)（如金屬線、介質(zhì)層、硅槽等）。材料去除：通過化學或物理方法選擇性去除暴露的薄膜或襯底。2.蝕刻分類干法蝕刻：依賴等離子體或離子束（如ICP、R

  半導體制造 晶圓 晶圓蝕刻

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• 發(fā)布了文章 2025-07-15 14:59

  晶圓蝕刻后的清洗方法有哪些

  

  晶圓蝕刻后的清洗是半導體制造中的關(guān)鍵步驟，旨在去除蝕刻殘留物（如光刻膠、蝕刻產(chǎn)物、污染物等），同時避免對晶圓表面或結(jié)構(gòu)造成損傷。以下是常見的清洗方法及其原理：一、濕法清洗1.溶劑清洗目的：去除光刻膠、有機殘留物和部分蝕刻產(chǎn)物。常用溶劑：丙酮（Acetone）：溶解正性光刻膠。醋酸乙酯（EthylAcetate）：替代丙酮的環(huán)保溶劑。N-甲基吡咯烷酮（NMP）

  半導體制造 晶圓蝕刻

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• 發(fā)布了文章 2025-07-14 13:15

  酸性溶液清洗劑的濃度是多少合適

  

  酸性溶液清洗劑的濃度選擇需綜合考慮清洗目標、材料特性及安全要求。下文將結(jié)合具體案例，分析濃度優(yōu)化與工藝設(shè)計的關(guān)鍵要點。酸性溶液清洗劑的合適濃度需根據(jù)具體應用場景、清洗對象及污染程度綜合確定，以下是典型范圍和參考：1.一般工業(yè)清洗（金屬除銹、氧化層）硫酸（H?SO?）：5%~15%適用于去除鐵銹、氧化鋁等，濃度過高易導致金屬過腐蝕或氫脆。鹽酸（HCl）：5%~

  半導體晶圓 清洗劑

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