動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-09-16 14:03

  昆泰芯KTH3102-SS3線性Hall傳感器模擬輸出提供線性磁場響應(yīng)?

  

  昆泰芯KTH3102-SS3低功耗線性霍爾，3-5.5V寬壓，1.65-2.5mV/Gs高靈敏度，30kHz快響，S極N極識別，小SOT-23封裝，全能磁場檢測芯。

  傳感器 霍爾開關(guān)

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• 發(fā)布了文章 2025-09-15 14:00

  華邦低功耗NOR Flash為數(shù)字儀表盤續(xù)航賦能

  

  華邦電子128Mb NOR Flash（W25Q128JWSIQ）憑借車規(guī)級可靠性（AEC-Q100認(rèn)證）、52MB/s讀取帶寬及-40℃~125℃寬溫支持，為車載儀表盤提供毫秒級啟動與20年數(shù)據(jù)安全保障。

  NOR flash 數(shù)字儀表板 閃存

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• 發(fā)布了文章 2025-09-15 09:47

  ??得一微YEESTOR EMMC圖像采集存儲技術(shù)引領(lǐng)者?

  

  得一微YEESTOR EMMC為圖像采集提供高性能存儲解決方案，具備高速讀寫、工業(yè)級可靠性和32GB容量優(yōu)勢。

  emmc 圖像采集 存儲技術(shù)

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• 發(fā)布了文章 2025-09-11 14:26

  晶振溫度穩(wěn)定性指標(biāo)直接決定系統(tǒng)溫漂特性

  

  晶振選型須量化頻率精度、溫漂、功耗、尺寸、環(huán)境適應(yīng)性，匹配負(fù)載電容、輸出電平，規(guī)避過冗余與溫漂盲區(qū)，經(jīng)全溫老化驗證，平衡成本，確保系統(tǒng)時鐘長周期穩(wěn)定可靠。

  時鐘信號 晶振 穩(wěn)定性

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• 發(fā)布了文章 2025-09-10 14:29

  ??富士通FRAM寬電壓設(shè)計簡化LED顯示電源方案?

  

  富士通256Kbit FRAM MB85RS256BPNF-G-JNERE1為LED顯示系統(tǒng)提供高速、高耐久性數(shù)據(jù)存儲方案，支持納秒級寫入與10^12次擦寫，解決傳統(tǒng)存儲器延遲高、壽命短問題，適用于智能交通、戶外廣告等嚴(yán)苛環(huán)境，顯著提升系統(tǒng)響應(yīng)與可靠性。

  fram led 存儲芯片 寬電壓

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• 發(fā)布了文章 2025-09-09 13:57

  雅特力MCU智能監(jiān)測系統(tǒng)為電鉆提供全鏈路保護(hù)

  

  雅特力AT32M412EBP7以240 MHz Cortex-M4F硬核驅(qū)動無刷FOC，65 N·m零速啟停，4 MSPS ADC精檢電流，-40~105 ℃寬溫運行，動態(tài)功耗僅80 μA/MHz，為工業(yè)與家用智能電鉆提供極致算力與可靠性。

  mcu 單片機(jī) 智能監(jiān)測 雅特力

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• 發(fā)布了文章 2025-09-08 11:27

  鴻星工業(yè)級壓控晶振應(yīng)對基站RTC復(fù)雜戶外環(huán)境?

  

  鴻星D7SV壓控晶振（1.75~54MHz）以±25ppm頻率穩(wěn)定度、-150dBc/Hz@10kHz超低相位噪聲及50G抗振性能，為通信基站RTC提供納秒級時間同步精度，保障5G網(wǎng)絡(luò)時序可靠性。

  RTC VCXO 晶振

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• 發(fā)布了文章 2025-09-05 11:50

  博雅NOR FLASH XIP技術(shù)實現(xiàn)電力儀表毫秒級快速啟動?

  

  博雅128Mbit NOR Flash BY25Q128ESSIG為智能電力儀表提供高可靠存儲方案，133MHz讀取速度與-40℃~105℃寬溫保障數(shù)據(jù)實時性與穩(wěn)定性。

  flash內(nèi)存 博雅科技 存儲 閃存

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• 發(fā)布了文章 2025-09-05 09:32

  得一微eMMC高速接口協(xié)議降低車載觸控延遲?

  

  在智能座艙中，車載觸摸屏的流暢體驗高度依賴高性能存儲。得一微電子（YEESTOR）的 SGM8005H 4GB eMMC 憑借 pSLC技術(shù) 實現(xiàn)95MB/s讀取速度與3萬次擦寫壽命，其 -40℃~105℃寬溫域 和 50G抗振 能力滿足車規(guī)級可靠性要求，顯著提升觸控響應(yīng)速度與數(shù)據(jù)安全性，為多屏聯(lián)動與OTA升級提供核心存儲保障。

  emmc eMMC NAND 車載 高速接口

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• 發(fā)布了文章 2025-09-03 11:06

  ?ISSI SRAM滿足5G基站高帶寬需求?

  

  ISSI IS62WV51216BLL-55TLI是一款8Mb（512K×16）高速異步SRAM，采用55ns訪問速度、2.5V~3.6V寬電壓設(shè)計，支持-40℃~85℃工業(yè)級溫度范圍，適用于車載導(dǎo)航、工業(yè)控制及通信設(shè)備等高可靠性場景。

  5G基站 sram SRAM芯片 存儲芯片

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