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GCME-SCD

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為了將盡可能多的分立元器件集成到IPM封裝中,我們采用了將IGBT和FWD集成為單個芯片中的RC-I....
的頭像 GCME-SCD 發(fā)表于 10-27 11:29 ?5486次閱讀

2018三菱電機功率模塊技術研討會順利落幕

從晶圓制造到模塊生產(chǎn),從低壓到高壓,山田部長層層剝繭式的演講方式深受觀眾好評。他介紹到,與傳統(tǒng)S....
的頭像 GCME-SCD 發(fā)表于 10-19 16:20 ?4967次閱讀

三菱電機開發(fā)了首款6.5kV全SiC(Silicon Carbide)功率模塊

6.5kV新型全SiC MOSFET功率模塊內(nèi)部采用半橋拓撲,一般的大功率應用可以采用并聯(lián)連接來提高....
的頭像 GCME-SCD 發(fā)表于 09-13 15:04 ?6600次閱讀

谷歌無人車入華,無人車發(fā)展史介紹

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的頭像 GCME-SCD 發(fā)表于 08-27 18:51 ?8598次閱讀

高分辨率WXGA新品,彩色TFT液晶模塊

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的頭像 GCME-SCD 發(fā)表于 08-27 18:51 ?4639次閱讀

GTO的基本結構和基本工作原理是什么?詳細概述

GTO是一種電流控制型的自關斷雙極型器件。跟全控器件BJT一樣,當門極(對晶體管稱基極)引入正向電流....
的頭像 GCME-SCD 發(fā)表于 08-12 11:34 ?46627次閱讀
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晶閘管在阻斷狀態(tài)和導通狀態(tài)的工作原理詳細概述

晶閘管的基本工作原理體現(xiàn)在阻態(tài)、通態(tài)以及阻態(tài)和通態(tài)之間的轉換。
的頭像 GCME-SCD 發(fā)表于 07-15 10:49 ?20957次閱讀
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三菱電機SiC功率模塊的發(fā)展里程碑

2015年4月,Bodo’s Power上報道了三菱電機1款800 A/1200 V的全SiC 2i....
的頭像 GCME-SCD 發(fā)表于 05-26 10:38 ?13114次閱讀
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晶閘管的基本結構知識詳解

晶閘管各部分的摻雜濃度如圖4所示。其中與陽極和陰極相連的分別為重摻雜的P+和N+層,與門極相連的重摻....
的頭像 GCME-SCD 發(fā)表于 05-23 08:38 ?13522次閱讀
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三菱觸摸屏工業(yè)用彩色TFT液晶模塊詳解

三菱電機株式會社于2月28日開始提供搭載投射式電容觸摸屏的8.0寸WVGA和12.1寸XGA/WXG....
的頭像 GCME-SCD 發(fā)表于 04-04 16:27 ?8099次閱讀
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雙極晶體管的工作原理

從PN結分析知道,基射極電壓UBE決定了發(fā)射結的注入水平,即調節(jié)了集電區(qū)的電流。當撤掉基極驅動,即撤....
的頭像 GCME-SCD 發(fā)表于 03-24 11:46 ?39136次閱讀
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高壓IGBT模塊在濕度影響下的壽命預估模型

在一些電力電子應用場合,不僅需要高壓IGBT模塊有優(yōu)異的性能,還需要具有相當高的可靠性;為了滿足實際....
的頭像 GCME-SCD 發(fā)表于 03-13 16:34 ?12660次閱讀

雙極晶體管的基本結構

本文將介紹雙極型晶體管的基本結構。雙極晶體管是雙極型結型晶體管(BJT)的簡稱,在電力半導體中,也稱....
的頭像 GCME-SCD 發(fā)表于 03-05 16:12 ?26796次閱讀
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三菱電機成功開發(fā)6.5kV全SiC功率模塊 實現(xiàn)世界最高功率密度額定輸出功率

1月31日,三菱電機株式會社宣布已成功開發(fā)出6.5kV耐壓等級全SiC功率半導體模塊,該模塊采用單芯....
的頭像 GCME-SCD 發(fā)表于 02-03 11:52 ?9780次閱讀