晶體管開關電路在現(xiàn)在電路設計中十分常見。三極管開關電路分為兩大類,一類是經(jīng)典的TTL三極管開關電路,一類是MOS管開關電路。三極管和MOS管作為開關管時,有很多相似之處,也有不同之處,那么在電路設計時,兩者之間該如何選擇呢?
三極管有NPN型和PNP型,同理MOS管也有N溝道和P溝道的,三極管的三個引腳分別是基極B、集電極C和發(fā)射極E,而MOS管的三個引腳分別是柵極G、漏極D和源極S。
對于MOS管,我們在電路設計中都會遇到,那么應該如何設計一個MOS管的開關電路呢?
MOS管開關電路
我們一般會用一個三極管去控制,如下圖!

MOS管開關電路
但是這個電路的缺點也是顯而易見,由于MOS管有一個寄生的二極管,如果CD5V的濾波電容過大,或者后端有別的電壓串進來,會把前端給燒壞!
電流路徑如下:

后端電流路徑
如何改善這個問題呢?
有兩個方式,一種是在后端串聯(lián)二極管。

防止后端電壓電流串擾的電路
優(yōu)點,電路簡單,BOM成本低!
缺點,二極管動態(tài)負載電阻大,特別不適合后盾負載變化大的!
另外一種,便是后端串聯(lián)一個同規(guī)格的MOS管!

防止后端電壓電流串擾的電路
優(yōu)點,MOS管開通電阻極小,對于后端負載電流變化不敏感。
缺點,BOM成本高!
審核編輯:湯梓紅
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