特征

低噪聲（0.1 Hz至10.0 Hz）：2.500 V輸出時3.5 μV P-P

無需外部電容器

低溫系數(shù)

一年級：最多10 ppm/°C

B等級：3 ppm/°C

負載調(diào)節(jié)：15 ppm/ma

線條法規(guī)：20 ppm/v

廣泛的工作范圍

ADR430：4.1 V至18 V

ADR431：4.5 V至18 V

ADR433：5.0 V至18 V

ADR434：6.1 V至18 V

ADR435：7.0 V至18 V

高輸出源和水槽電流：30 mA和-20 mA

溫度范圍：-40°C至 +125°C

申請

精確數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)

高分辨率數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器

醫(yī)療儀器

工業(yè)過程控制系統(tǒng)

光學(xué)控制電路

精密儀器

一般描述

ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR4351系列是一個 XFET?電壓引用的家族具有低噪音，高噪聲 準確性和低溫漂移性能。使用模擬 設(shè)備，Inc。，溫度漂移曲率校正和額外 植入交界處FET（XFET）技術(shù)，電壓變化VS。 

ADR430/ADR431/ADR433/的溫度非線性ADR434/ADR435最小化。

XFET參考在較低電流（800 μA）和 較低的電源電壓凈空（2 V）比埋入的齊納 參考。埋葬的齊納參考需要超過5 V 

手術(shù)的凈空。 ADR430/ADR431/ADR433/ ADR434/ADR435 XFET參考是低噪聲解決方案 5 V系統(tǒng)。

ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435家庭 

最多可采購30 mA輸出電流和水槽的能力 

最多為-20 mA。它還帶有一個修剪端子來調(diào)整 

輸出電壓在±0.5％的范圍內(nèi) 表現(xiàn)。 

1由美國專利編號5,838,192保護。

ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435是

有8鉛MSOP和8帶窄的SOIC包裝。全部 在擴展的工業(yè)溫度下指定版本 -40°C至 +125°C的范圍。