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深圳市泰凌微電子有限公司

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中科君芯JFG14N40G 40V N溝道增強型功率驅動器

型號: JFG14N40G

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOP-8L

--- 產(chǎn)品詳情 ---

中科君芯JFG14N40G ?40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET?是種特定的功率場效應晶體管(MOSFET)主要應用在消費適配器、電子工具和 DC/DC 轉換器,MOSFET由于其低導通電阻、大電流能力和邏輯電平驅動的特性,特別適用于需要高效、大電流驅動的電路,如汽車電子、工業(yè)控制等領域?。其關鍵參數(shù)和特性如下:

?電壓等級?:這種MOSFET的最大工作電壓為40V,適用于需要承受較低電壓的電路;
?電流能力?:其最大連續(xù)漏極電流為14A,適合需要大電流驅動的應用;
?導通電阻?:在VGS為10V,ID= 8A時,RDS(ON)為5.7mΩ,在VGS為4.5V,ID= 6A時,RDS(ON)為8.8mΩ,表現(xiàn)出較低的導通電阻,有利于減少能量損耗和提高效率;
?專有高密度溝槽技術;
?環(huán)保標準?:符合RoHS 標準,無鉛封裝,環(huán)保性能良好,不含鹵素或鹵素含量極低
?封裝形式?:采用SOP-8L封裝
描述:電氣特性 除非另有說明,TC=25℃

?VDS(Drain-Source Voltage)?:40V
?VGS(Gate-Source Voltage)?:±20V
?ID(Continuous Drain Current)?:Tc=25°對應最大漏極電流上限14        A,Tc=100°對應漏極電流上限最大值11A
?IDM(Pulsed Drain Current):115A
PD(Total Power Dissipation)?:TC =25℃ 對應2.15W,TA = 70℃對應1.37W
EAS單脈沖雪崩能量:39mJ
RθJA(Junction to Ambient (mounted on 1 inch square PCB)熱阻:58°C\W
RθJL:結到殼的熱阻:20°C\W
?TJ?\TSTG?:-55 to +150°C
————其他詳細參數(shù)請聯(lián)系深圳市泰凌微電子有限公司團隊————————————
 

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