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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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K2925-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): K2925-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
  • ID 18A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
K2925-VB 是一款高性能單通道N型功率MOSFET,采用TO252封裝,專為中低電壓、高電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該器件的最大漏源極電壓(VDS)為60V,柵源極電壓(VGS)可達(dá)到±20V,閾值電壓(Vth)為1.7V。在柵源極電壓為4.5V和10V時(shí),其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))分別為85mΩ和73mΩ,最大漏極電流(ID)為18A。K2925-VB 采用槽式(Trench)技術(shù),具備極低的導(dǎo)通損耗和良好的熱性能,適合在各種電源管理和電力電子應(yīng)用中使用。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:
1. **漏源極電壓 (VDS)**: 60V  
2. **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V  
3. **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V  
4. **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 
  - 85mΩ @ VGS=4.5V  
  - 73mΩ @ VGS=10V  
5. **最大漏極電流 (ID)**: 18A  
6. **封裝類型**: TO252  
7. **技術(shù)類型**: Trench(槽式技術(shù))  
8. **工作溫度范圍**: -55°C 至 150°C  
9. **功率耗散**: 30W  
10. **開(kāi)關(guān)速度**: 快,適合高頻應(yīng)用

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例:
1. **開(kāi)關(guān)電源 (SMPS)**: K2925-VB 適用于開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS),其高效的電源轉(zhuǎn)換能力確保電源輸出穩(wěn)定,廣泛應(yīng)用于電源適配器和高效電源模塊。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**: 該MOSFET 可用于驅(qū)動(dòng)電動(dòng)機(jī)(如直流電機(jī)和步進(jìn)電機(jī)),能夠提供可靠的開(kāi)關(guān)控制,適合于自動(dòng)化和機(jī)器人系統(tǒng)中,以實(shí)現(xiàn)高效電機(jī)驅(qū)動(dòng)。

3. **LED照明驅(qū)動(dòng)**: K2925-VB 在LED驅(qū)動(dòng)電源中能夠高效控制電流,提供穩(wěn)定的電源輸出,適合用于LED照明解決方案,包括商業(yè)照明和戶外照明。

4. **電池管理系統(tǒng) (BMS)**: 該器件可用于電池管理系統(tǒng),能夠有效監(jiān)控和管理電池的充放電過(guò)程,特別是在電動(dòng)汽車和儲(chǔ)能設(shè)備中,提高系統(tǒng)的安全性和性能。

5. **逆變器應(yīng)用**: K2925-VB 適合在逆變器中作為開(kāi)關(guān)元件,特別是在太陽(yáng)能逆變器的DC-AC轉(zhuǎn)換過(guò)程中,提供高效的能量轉(zhuǎn)換。

6. **消費(fèi)電子設(shè)備**: 在各種消費(fèi)電子產(chǎn)品中,K2925-VB 可用于電源管理和開(kāi)關(guān)控制,例如智能手機(jī)、平板電腦和家用電器,以提升設(shè)備的性能和能效。

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