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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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NDD04N60ZT4G-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): NDD04N60ZT4G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2200mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、NDD04N60ZT4G-VB 產(chǎn)品簡介  

NDD04N60ZT4G-VB 是一款高性能單 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,專為高電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。其最大漏源電壓 (V\(_{DS}\)) 達(dá)到 650V,柵源電壓 (V\(_{GS}\)) 范圍為 ±30V,閾值電壓 (V\(_{th}\)) 為 3.5V,確保在較低的柵極電壓下能夠快速開啟。該器件在 V\(_{GS}\) 為 4.5V 時(shí)的導(dǎo)通電阻 (R\(_{DS(on)}\)) 為 2750mΩ,而在 V\(_{GS}\) 為 10V 時(shí)降低至 2200mΩ,提供了相對(duì)較低的導(dǎo)通損耗。盡管最大漏極電流 (I\(_D\)) 為 4A,但 NDD04N60ZT4G-VB 仍能在高電壓應(yīng)用中保持穩(wěn)定和高效的性能。它采用平面技術(shù),具有良好的熱性能,適合各種要求高可靠性的電源管理和控制應(yīng)用。

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### 二、NDD04N60ZT4G-VB 詳細(xì)參數(shù)說明  

| **參數(shù)**               | **值**                          | **描述**                                 |
|-----------------------|--------------------------------|-----------------------------------------|
| **封裝類型**            | TO252                         | 緊湊設(shè)計(jì),適合多種電源和控制應(yīng)用       |
| **溝道類型**            | 單 N 溝道                     | 支持高效電流傳導(dǎo)                         |
| **漏源電壓 V\(_{DS}\)** | 650V                          | 適合高壓電源管理和負(fù)載開關(guān)             |
| **柵源電壓 V\(_{GS}\)** | ±30V                          | 提供靈活的柵電壓控制范圍                |
| **閾值電壓 V\(_{th}\)** | 3.5V                          | 低柵壓下快速開啟,適應(yīng)多種應(yīng)用         |
| **導(dǎo)通電阻 R\(_{DS(on)}\)** | 2750mΩ @ V\(_{GS}\)=4.5V
2200mΩ @ V\(_{GS}\)=10V | 低電阻確保能效,減少發(fā)熱                |
| **漏極電流 I\(_D\)**    | 4A                            | 適合中等電流負(fù)載的需求                   |
| **工藝技術(shù)**             | Plannar                       | 提供良好的熱性能和開關(guān)特性               |

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### 三、NDD04N60ZT4G-VB 的應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例  

1. **開關(guān)電源 (SMPS)**  
  NDD04N60ZT4G-VB 在開關(guān)電源設(shè)計(jì)中廣泛應(yīng)用,特別是在高壓轉(zhuǎn)換器中。由于其高電壓能力和適度的導(dǎo)通電阻,能夠有效控制能量損耗,提高整體能效,尤其適合于計(jì)算機(jī)電源和工業(yè)電源模塊。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用**  
  在電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)電路中,NDD04N60ZT4G-VB 可作為高電壓開關(guān)器件,控制電機(jī)的啟動(dòng)和停止。其快速的開關(guān)特性和穩(wěn)定的性能使其成為電動(dòng)工具和家用電器中理想的選擇。

3. **照明控制系統(tǒng)**  
  此 MOSFET 也適用于 LED 照明驅(qū)動(dòng)模塊,能夠在高壓條件下有效控制 LED 燈的功率,確保穩(wěn)定的亮度輸出,適合于商業(yè)照明和戶外照明系統(tǒng)。

4. **逆變器和功率調(diào)節(jié)器**  
  NDD04N60ZT4G-VB 適用于太陽能逆變器和電源調(diào)節(jié)器等應(yīng)用,能夠在高電壓下穩(wěn)定工作,有助于提高可再生能源系統(tǒng)的整體效率和可靠性。

5. **電源管理和保護(hù)電路**  
  在各種電源管理和保護(hù)電路中,該器件可用作保護(hù)開關(guān)和重置開關(guān),確保系統(tǒng)在高電壓情況下的安全和穩(wěn)定性,是電池管理系統(tǒng)和不間斷電源 (UPS) 的重要組成部分。

通過將高電壓能力與優(yōu)越的性能結(jié)合,NDD04N60ZT4G-VB 為多種電源和控制應(yīng)用提供了可靠的解決方案,確保高效的能量管理和安全的操作環(huán)境。

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