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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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NP36N10SDE-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: NP36N10SDE-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 30mΩ@VGS=10V
  • ID 40A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、NP36N10SDE-VB 產(chǎn)品簡介  
NP36N10SDE-VB 是一款高性能 **N通道功率MOSFET**,采用 **TO252** 封裝,專為高電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件支持 **最大100V的漏源電壓 (VDS)** 和 ±20V的柵源電壓 (VGS),其 **閾值電壓 (Vth)** 為 **1.8V**,確保在低電壓環(huán)境下穩(wěn)定工作。NP36N10SDE-VB 具有較低的導(dǎo)通電阻,**在 VGS=4.5V 下為 35mΩ**,而在 **VGS=10V 下僅為 30mΩ**,這使得它在開關(guān)頻率較高的應(yīng)用中能夠有效降低功耗。該MOSFET 的 **最大漏極電流 (ID)** 達(dá)到 **40A**,使其適用于各種高功率要求的應(yīng)用,并且采用先進(jìn)的 **Trench技術(shù)**,以實(shí)現(xiàn)更優(yōu)的性能和熱管理。

---

### 二、NP36N10SDE-VB 詳細(xì)參數(shù)說明  
| **參數(shù)**              | **值**                   | **描述**                                           |
|-----------------------|--------------------------|----------------------------------------------------|
| **封裝 (Package)**    | TO252                    | 適合高功率密度應(yīng)用的貼片式封裝,便于散熱。         |
| **類型 (Configuration)** | 單通道 (Single-N-Channel) | 單一N通道MOSFET,適用于多種負(fù)載控制場合。          |
| **漏源電壓 (VDS)**    | 100V                     | 最大漏極-源極電壓,適合高壓應(yīng)用系統(tǒng)。             |
| **柵源電壓 (VGS)**    | ±20V                     | 最大柵源電壓,支持廣泛的控制電路設(shè)計(jì)。             |
| **閾值電壓 (Vth)**    | 1.8V                     | 保證在低電壓下穩(wěn)定開啟,適用于低功耗電路。         |
| **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))** | 35mΩ @ VGS=4.5V          | 在低柵壓下的導(dǎo)通電阻,幫助提升效率。               |
|                       | 30mΩ @ VGS=10V           | 在高柵壓下的導(dǎo)通電阻,適合大電流傳輸應(yīng)用。         |
| **漏極電流 (ID)**     | 40A                      | 支持大電流的負(fù)載,增強(qiáng)系統(tǒng)功率處理能力。           |
| **技術(shù) (Technology)**  | Trench                   | 溝槽技術(shù),提供更高的功率密度與更低的導(dǎo)通損耗。     |
| **工作溫度范圍**       | -55°C ~ +175°C           | 寬廣的工作溫度范圍,適用于各種環(huán)境條件。           |

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### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例  

1. **開關(guān)電源 (Switching Power Supplies)**  
  NP36N10SDE-VB 非常適合在開關(guān)電源中使用,特別是用于 **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**,可以提高電源效率并減少熱損耗。  
  **示例:** 在 **工業(yè)電源模塊** 中,提供高效的能量轉(zhuǎn)換,幫助優(yōu)化電力供應(yīng)系統(tǒng)。

2. **電動(dòng)工具和家電 (Power Tools and Appliances)**  
  在電動(dòng)工具和家電中,該MOSFET 可以用于 **電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制**,實(shí)現(xiàn)高效的動(dòng)力輸出和電源管理。  
  **示例:** 用于 **無刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)** 系統(tǒng),確保高效的功率傳遞和長時(shí)間工作能力。

3. **汽車電子 (Automotive Electronics)**  
  NP36N10SDE-VB 可用于汽車電子中的 **電池管理系統(tǒng) (BMS)** 和 **電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)**,其高電流能力和低導(dǎo)通損耗使其成為理想選擇。  
  **示例:** 在 **混合動(dòng)力汽車** 的電池充放電管理中,提供可靠的電流控制。

4. **LED驅(qū)動(dòng) (LED Drivers)**  
  該器件的低導(dǎo)通電阻使其適合用于 **高功率LED驅(qū)動(dòng)電路**,能有效提升光源的效率和穩(wěn)定性。  
  **示例:** 在 **LED照明模塊** 中,提升驅(qū)動(dòng)效率,延長LED使用壽命。

5. **功率管理集成電路 (Power Management ICs)**  
  在各種電源管理解決方案中,NP36N10SDE-VB 可作為 **負(fù)載開關(guān)** 或 **電源切換器** 使用,幫助實(shí)現(xiàn)更好的功率分配和控制。  
  **示例:** 在 **智能手機(jī)** 的電源管理系統(tǒng)中,確保低功耗和高效能量管理。

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NP36N10SDE-VB 以其優(yōu)異的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,成為現(xiàn)代高功率應(yīng)用中不可或缺的組件。其低導(dǎo)通電阻和高電流能力在多個(gè)行業(yè)中展現(xiàn)出卓越的價(jià)值,適合在高效電源管理和控制系統(tǒng)中發(fā)揮重要作用。

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