Qorvo 的 QPD0005M 是一款 GaN on SiC 晶體管，工作頻率范圍為 2.5 至 5 GHz。它提供 37.7 dBm (~6 W) 的飽和輸出功率，增益為 18.6 dB，漏極效率為 74.1%。該晶體管需要 48 V 的直流電源并消耗 20 mA 的電流。它采用符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)的塑料包覆成型 DFN 封裝，尺寸為 4.5 x 4.0 mm，適用于 WCDMA/LTE、宏蜂窩基站、微蜂窩基站、小型蜂窩、有源天線、5G 大規(guī)模 MIMO 和通用應(yīng)用。

產(chǎn)品規(guī)格

產(chǎn)品詳情

零件號(hào)                QPD0005M

制造商                科爾沃

描述                    2.5 至 5 GHz 的 6 W GaN 晶體管

一般參數(shù)

晶體管類型          HEMT

技術(shù)                   氮化鎵、碳化硅上氮化鎵

應(yīng)用行業(yè)             基站

應(yīng)用                   5G Massive MIMO、有源天線、通用、宏蜂窩基站驅(qū)動(dòng)器、微蜂窩基站、小蜂窩、WCDMA

頻率                   2500 至 5000 兆赫

力量                   37.78 分貝

功率(W)              6 瓦

飽和功率             37.7 瓦

獲得                   18.6分貝

電源電壓            48 伏

排水效率            74.1 %

靜態(tài)漏極電流    20毫安

包裹                  東風(fēng)

方面                  4.5 x 4.0 毫米

RoHS               是的

相關(guān)型號(hào)

RFLA9002        SPF5122Z         RFLA1022       SPF5189Z          SPF5344Z

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