碳化硅 (SiC) 是一項創(chuàng)新技術(shù),將在許多應(yīng)用中取代硅 (Si)。將 SiC 用于電動汽車 (EV) 的想法誕生于努力提高此類車輛的效率和續(xù)航里程,同時降低整車的重量和成本,從而提高控制電子設(shè)備的功率密度。
2022-07-27 14:37:23
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碳化硅(SiC),通常被稱為金剛砂,是唯一由硅和碳構(gòu)成的合成物。雖然在自然界中以碳硅石礦物的形式存在,但其出現(xiàn)相對罕見。然而,自從1893年以來,粉狀碳化硅就已大規(guī)模生產(chǎn),用作研磨劑。碳化硅在研磨領(lǐng)域有著超過一百年的歷史,主要用于磨輪和多種其他研磨應(yīng)用。
2023-09-08 15:24:02
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第三代功率半導(dǎo)體碳化硅SiC具有高耐壓等級、開關(guān)速度快以及耐高溫的特點,能顯著提高電動汽車驅(qū)動系統(tǒng)的效率、功率密度和可靠性。
2023-12-28 16:08:18
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德爾福科技推出業(yè)界領(lǐng)先800伏碳化硅逆變器,將電動汽車充電時間減半
2019-09-20 14:55:53
1997 。據(jù)Canalys公布數(shù)據(jù)顯示,2021年全球新能源電動汽車銷售總量達(dá)650萬輛,同比增長109%,占比全球汽車銷量的9%。 ? 在電動汽車高速增長的市場背景下,市場對生產(chǎn)電動汽車所需相關(guān)零部件的需求持續(xù)擴(kuò)大,具有耐高溫、高壓、高效的碳化硅功率器
2022-02-22 09:27:57
3211 電氣設(shè)計專家和SiC功率模塊設(shè)計專家。 ? 這也意味著理想正在籌備自研碳化硅功率模塊,未來或可能建立功率模塊封測產(chǎn)線。 ? 電動汽車時代,功率模塊和碳化硅地位越來越高 ? 電動汽車與燃油汽車的成本結(jié)構(gòu)產(chǎn)生了很大差異,在電動汽車中,電池
2023-12-04 06:47:00
823 。尤其在高壓工作環(huán)境下,依然體現(xiàn)優(yōu)異的電氣特性,其高溫工作特性,大大提高了高溫穩(wěn)定性,也大幅度提高電氣設(shè)備的整體效率?! ‘a(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機控制器、UPS、充電樁、功率電源等領(lǐng)域?! ?200V碳化硅MOSFET系列選型
2020-09-24 16:23:17
極快反向恢復(fù)速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂技術(shù)600V碳化硅二極管現(xiàn)貨選型相比于Si半導(dǎo)體材料,SiC半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場較大、熱導(dǎo)率較高的特點,SiC
2019-10-24 14:25:15
碳化硅(SiC)具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、飽和電子漂移速度高、熱導(dǎo)率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強、化學(xué)穩(wěn)定性良好等特點,被認(rèn)為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導(dǎo)體材料
2020-09-24 16:22:14
隨著電動汽車的火熱發(fā)展,充電樁和車載充電器的方案已經(jīng)成為市場的熱點。 此類應(yīng)用中,其輸入電壓大都是三相交流輸入,經(jīng)過三相PFC后,直流母線電壓會高到7,800V, 如此高的直流母線電壓給后級
2018-10-17 16:55:50
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
多年增長。碳化硅器件一方面為中高端客戶提供了更為優(yōu)質(zhì)的駕乘體驗,另一方面有效緩解了電動汽車的續(xù)航焦慮問題,因此廣受新能源車企的青睞。 從功率半導(dǎo)體供應(yīng)商的角度來看,成本只是限制SiC大規(guī)模上車的一個
2022-12-27 15:05:47
面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應(yīng)用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能,特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中,它可提高逆變器的效率,從而延長續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
250V左右。對于能夠耐受500~600V以上反向電壓要求,人們開始使用碳化硅(SiC)制造器件,因為它能夠耐受較高的電壓?! 〕艘酝獾钠骷?shù)均相當(dāng)于或優(yōu)于硅肖特基二極管。詳見表2?! ∮捎?b class="flag-6" style="color: red">SiC器件的成本較高(是同類硅器件的3~5倍),除非性能上要求非用不可,還沒有用它來替代硅功率器件。`
2019-01-11 13:42:03
,熱導(dǎo)率是硅的10倍?! ?b class="flag-6" style="color: red">SiC在所有重要方面都優(yōu)于硅 這為碳化硅器件開辟了廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,在5G/數(shù)據(jù)中心等空間受限和節(jié)能領(lǐng)域,低損耗是應(yīng)用的推動力;在電動汽車領(lǐng)域,更高的牽引逆變器效率意味著更小
2023-02-27 14:28:47
應(yīng)用,處理此類應(yīng)用的唯一方法是使用IGBT器件。碳化硅或簡稱SiC已被證明是一種材料,可以用來構(gòu)建類似MOSFET的組件,使電路具有比以往IGBT更高的效率。如今,SiC受到了很多關(guān)注,不僅因為它
2023-02-24 15:03:59
5G將于2020年將邁入商用,加上汽車走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動化的趨勢,將帶動第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院估計,2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達(dá)1.8
2019-05-09 06:21:14
反向恢復(fù)電流,其關(guān)斷過程很快,開關(guān)損耗很小。由于碳化硅材料的臨界雪崩擊穿電場強度較高,可以制作出超過1000V的反向擊穿電壓。在3kV以上的整流器應(yīng)用領(lǐng)域,由于SiC PiN二極管與Si器件相比具有更快
2019-10-24 14:21:23
200V,但是碳化硅肖特基二極管能擁有較短恢復(fù)時間實踐,同時在正向電壓也減少,耐壓也大大超過200V,典型的電壓有650V、1200V等,另外在反向恢復(fù)造成的損耗方面碳化硅肖特基二極管也有很大優(yōu)勢。在
2020-06-28 17:30:27
碳化硅圓盤壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 (ZnO) 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復(fù)合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關(guān)于EAK碳化硅壓敏電阻我們
2024-03-08 08:37:49
進(jìn)一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
2021-03-16 08:00:04
上,對介電常數(shù)要求嚴(yán)格,雖然有低溫共燒陶瓷,仍然無法滿足他們的要求,需要一種性能更好的升級產(chǎn)品,建議可以使用富力天晟的碳化硅基板;因應(yīng)汽車需求而特別開發(fā)的產(chǎn)品(如IC 載板、軟板、銀膠貫孔等),也在向
2020-12-16 11:31:13
通碳化硅(SiC)陶瓷基板完全符合新能源汽車要求。碳化硅(SiC)陶基板小型化的特點可大幅削減新能源汽車的電力損失,使其在各種惡劣的環(huán)境下仍能正常工作。碳化硅基板除了在新能源汽車節(jié)能中占有重要地位外,在
2021-01-12 11:48:45
在設(shè)計功率轉(zhuǎn)換器時,碳化硅(SiC)等寬帶隙(WBG)技術(shù)現(xiàn)在是組件選擇過程中的現(xiàn)實選擇。 在設(shè)計功率轉(zhuǎn)換器時,碳化硅(SiC)等寬帶隙(WBG)技術(shù)現(xiàn)在是組件選擇過程中的現(xiàn)實選擇。650V
2023-02-23 17:11:32
。超硬度的材料包括:金剛石、立方氮化硼,碳化硼、碳化硅、氮化硅及碳化鈦等。3)高強度。在常溫和高溫下,碳化硅的機械強度都很高。25℃下,SiC的彈性模量,拉伸強度為1.75公斤/平方厘米,抗壓強度為
2019-07-04 04:20:22
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC),俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在,但十分稀少。不過,自1893 年以來,粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料,為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會受到部分限制呢?
2021-08-19 17:39:39
,能夠有效降低產(chǎn)品成本、體積及重量?! ?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅具有載流子飽和速度高和熱導(dǎo)率大的特點,應(yīng)用開關(guān)頻率可達(dá)到1MHz,在高頻應(yīng)用中優(yōu)勢明顯,其中碳化硅肖特基二極管(SiC JBS)耐壓可以達(dá)到6000V以上
2023-02-28 16:34:16
用于一些高壓、高溫、高效率及高功率密度的應(yīng)用場合。碳化硅(SiC)材料因其優(yōu)越的物理特性,開始受到人們的關(guān)注和研究。自從碳化硅1824年被瑞典科學(xué)家Jns Jacob Berzelius發(fā)現(xiàn)以來,直到
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
小輕薄,小尺寸,大能量B1D04065E PD快充用碳化硅肖特基二極管。特性:?極低反向電流? 無反向恢復(fù)電流? 溫度無關(guān)開關(guān)? VF上的正溫度系數(shù)? 卓越的浪涌電流能力? 低電容電荷優(yōu)勢:?基本上
2021-11-06 09:26:20
,利用SiC MOSFET來作為永磁同步電機控制系統(tǒng)中的功率器件,可以降低驅(qū)動器損耗,提高開關(guān)頻率,降低電流諧波和轉(zhuǎn)矩脈動。本項目中三相逆變器擬打算使用貴公司的SiC MOSFET,驗證碳化硅功率器件
2020-04-21 16:04:04
前言
碳化硅(SiC)材料是功率半導(dǎo)體行業(yè)主要進(jìn)步發(fā)展方向,用于制作功率器件,可顯著提高電能利用率。SiC器件的典型應(yīng)用領(lǐng)域包括:新能源汽車、5G通訊、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)等現(xiàn)代工業(yè)領(lǐng)域,在
2023-10-07 10:12:26
Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可為各種器件提供高效率的功率傳輸應(yīng)用領(lǐng)域,如電動汽車快速充電、數(shù)據(jù)中心電源、可再生能源、能源等存儲系統(tǒng)、工業(yè)和電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04:07
什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的?
2021-06-18 08:32:43
。雖然碳化硅組件可望成為推動電力設(shè)備由機械轉(zhuǎn)向電子結(jié)構(gòu)的重要推手,但現(xiàn)階段碳化硅組件最主要的應(yīng)用市場,其實是電動汽車。電動汽車應(yīng)用之所以對碳化硅組件的需求如此殷切,主要原因在于可實現(xiàn)更輕巧的電源系統(tǒng)
2021-09-23 15:02:11
碳化硅 (SiC) 是一種下一代材料,可以顯著降低功率損耗并實現(xiàn)更高的功率密度、電壓、溫度和頻率,同時減少散熱。高溫可操作性降低了冷卻系統(tǒng)的復(fù)雜性,從而降低了電源系統(tǒng)的整體架構(gòu)。與過去幾十年相比
2022-06-13 11:27:24
電機驅(qū)動。碳化硅器件和碳化硅模組可用于太陽能發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電、電焊機、電力機車、遠(yuǎn)距離輸電、服務(wù)器、家電、電動汽車、充電樁等用途。創(chuàng)能動力于2015年在國內(nèi)開發(fā)出6英寸SiC制造技術(shù),2017年推出基于6
2023-02-22 15:27:51
和 500A,帶或不帶碳化硅肖特基續(xù)流 1200V 二極管?! ×硪粋€例子是MiniSKiiP,這是一種無底板電源模塊,使用賽米控的SPRiNG系統(tǒng)將電源和輔助端子連接到PCB。彈簧位置由外殼設(shè)計固定
2023-02-20 16:29:54
的混合碳化硅分立器件(Hybrid SiC Discrete Devices)將新型場截止IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管技術(shù)相結(jié)合,為硬開關(guān)拓?fù)浯蛟炝艘粋€兼顧品質(zhì)和性價比的完美方案?! ≡撈骷鹘y(tǒng)
2023-02-28 16:48:24
場效應(yīng)管(Si MOSFET)以前從未考慮過的應(yīng)用而變得更具有吸引力。 碳化硅MOSFET越來越多用于千瓦級功率水平應(yīng)用,涵蓋如通電源,和服務(wù)器電源,和快速增長的電動汽車電池充電器市場等領(lǐng)域。碳化硅
2023-03-14 14:05:02
對于高壓開關(guān)電源應(yīng)用,碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢。在這里我們看看在設(shè)計高性能門極驅(qū)動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
/混合動力汽車半導(dǎo)體領(lǐng)袖,緊跟市場趨勢,提供全面的高性能方案,包括超級結(jié)SuperFET? III MOSFET、碳化硅(SiC)二極管、IGBT、隔離型門極驅(qū)動器、電流檢測放大器、快恢復(fù)二極管,滿足電動汽車充電樁市場需求并推動創(chuàng)新。
2019-08-06 06:39:15
組的不良放電性能?如何監(jiān)測 BMS 系統(tǒng)?在牽引逆變器中使用碳化硅(SiC)或氮化鎵(GaN)車載設(shè)備有何優(yōu)勢?如何防止?fàn)恳孀兤鬟^熱?為何需要溫度傳感器來確保牽引逆變器系統(tǒng)的可靠性?
2021-06-17 10:40:11
和 1200V SiC 功率芯片集成在同一塊 DBC 板上,使半橋模塊面積僅為 TO-247 單管大小,極大地減小了驅(qū)動回路和功率回路的寄生電感參數(shù)。阿肯色大學(xué)則針對碳化硅芯片開發(fā)了相關(guān)的 SiC CMOS 驅(qū)動
2023-02-22 16:06:08
雖然電動和混合動力電動汽車(EV]從作為功率控制器件的標(biāo)準(zhǔn)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)到基于碳化硅(SiC)襯底和工藝技術(shù)的FET的轉(zhuǎn)變代表了提高EV的效率和整體系統(tǒng)級特性的重要步驟
2019-08-11 15:46:45
的碳化硅功率器件?! 《鳛檐囕d產(chǎn)品,且承擔(dān)的是充電這一功率變換部分,整車廠對于產(chǎn)品中元器件使用的要求,也相應(yīng)提高。為了更好的滿足這樣的要求提升,車規(guī)級器件則成了首選。泰科天潤作為中國碳化硅(SiC
2023-02-27 14:35:13
范圍-5V~-15V,客戶根據(jù)需求選擇合適值,常用值有-8V、-10V、-15V; · 優(yōu)先穩(wěn)定正電壓,保證開通穩(wěn)定?! ?)碳化硅MOSFET:不同廠家碳化硅MOSFET對開關(guān)電壓要求不盡相同
2023-02-27 16:03:36
之一和全球第二大功率分立器件和模塊半導(dǎo)體供應(yīng)商,提供廣泛的高能效和高可靠性的系統(tǒng)方案,并采用新型的寬禁帶材料如碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等進(jìn)行新產(chǎn)品開發(fā),用于汽車功能電子化和HEV/EV應(yīng)用。
2019-07-23 07:30:07
碳化硅(SiC)等寬帶隙技術(shù)為功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計人員開辟了一系列新的可能性。與現(xiàn)有的IGBT器件相比,SiC顯著降低了導(dǎo)通和關(guān)斷損耗,并改善了導(dǎo)通和二極管損耗。對其開關(guān)特性的仔細(xì)分析表明,SiC
2023-02-22 16:34:53
)和發(fā)射極可關(guān)斷晶閘管(ETO)等。1、SiC 肖特基二極管肖特基二極管最顯著的特點是反向恢復(fù)時間短,但是就傳統(tǒng)的肖特基二極管它的耐壓一般不超過200V,但是碳化硅肖特基二極管能擁有較短恢復(fù)時間實踐
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅,采用的是ICP系列設(shè)備,刻蝕氣體使用的是SF6+O2,碳化硅上面沒有做任何掩膜,就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
描述此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 柵極驅(qū)動器參考設(shè)計為驅(qū)動 UPS、交流逆變器和電動汽車充電樁(電動汽車充電站)應(yīng)用的功率級提供了藍(lán)圖。此設(shè)計基于 TI 的 UCC53xx
2018-09-30 09:23:41
IGBT 的三相電機半橋的高側(cè)和低側(cè)功率級,并能夠監(jiān)控和保護(hù)各種故障情況。圖1:電動汽車牽引逆變器框圖碳化硅 MOSFET 米勒平臺和高強度柵極驅(qū)動器的優(yōu)勢特別是對于SiC MOSFET,柵極驅(qū)動器IC
2022-11-02 12:02:05
碳化硅(SiC)基地知識
碳化硅又稱金鋼砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料
2009-11-17 09:41:49
1241 硅與碳的唯一合成物就是碳化硅 (SiC),俗稱金剛砂。 SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在,但十分稀少。 不過,自 1893 年以來,粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。 碳化硅用作研磨劑已有一百多年的歷史,主要用于磨輪和眾多其他研磨應(yīng)用
2017-05-06 11:32:45
54 硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC),俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在,但十分稀少。不過,自1893 年以來,粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2018-04-11 11:37:00
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先進(jìn)的制造園區(qū),將加速從Si硅向SiC碳化硅的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型,滿足EV電動汽車和5G市場需求。
2019-05-10 17:53:57
4352 ,以支持電動汽車 (EV)、4G/5G 通信和工業(yè)市場的不斷增長,我們于去年秋季宣布公司將在美國東海岸打造碳化硅 (SiC) 走廊。
2020-09-15 13:56:16
2294 碳化硅器件在電動汽車中的應(yīng)用介紹說明。
2021-06-10 10:51:08
72 設(shè)計和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導(dǎo)體材料的全球領(lǐng)軍企業(yè) Soitec 宣布,與全球電力和先進(jìn)材料領(lǐng)域?qū)<颐罓柹_(dá)成戰(zhàn)略合作,攜手為電動汽車市場開發(fā)多晶碳化硅(poly-SiC)系列襯底。
2021-12-08 11:18:17
638 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/李彎彎)近年來,電動汽車產(chǎn)銷量不斷增長,同時越來越多車企將碳化硅產(chǎn)品用于電動汽車上,碳化硅功率半導(dǎo)體的未來市場被極度看好,為此,近日博世、東芝、羅姆等廠商紛紛表示,將大量擴(kuò)大
2021-12-09 17:40:56
2506 
意法半導(dǎo)體最新一代碳化硅(SiC)功率器件,提升了產(chǎn)品性能和可靠性,保持慣有領(lǐng)先地位,更加適合電動汽車和高能效工業(yè)應(yīng)用
2021-12-17 17:23:25
2462 意法半導(dǎo)體最新一代碳化硅(SiC)功率器件,提升了產(chǎn)品性能和可靠性,保持慣有領(lǐng)先地位,更加適合電動汽車和高能效工業(yè)應(yīng)用
2022-01-17 14:13:29
3382 雖然硅幾乎達(dá)到了它的理論極限,但碳化硅功率器件已經(jīng)實現(xiàn)了高度的可靠性和成熟度,在汽車領(lǐng)域提供了快速開關(guān)和前所未有的效率水平。本文基于PGC Consultancy 進(jìn)行的分析,解釋了 SiC 將如何在從 400V 到 800V(及以上)電動汽車系統(tǒng)的過渡中發(fā)揮重要作用。
2022-07-29 16:56:24
448 
碳化硅 (SiC) 具有提高電動汽車整體系統(tǒng)效率的潛力。在太陽能行業(yè),碳化硅逆變器優(yōu)化在成本節(jié)約方面也發(fā)揮著很大的作用。在這個與俄亥俄州立大學(xué)電氣與計算機工程系 IEEE 院士教授 Anant
2022-08-03 17:07:35
1385 連接到交流電源的車載充電系統(tǒng) (OBC) 通常每次充電至少需要四個小時。相反,以直流電運行的快速充電系統(tǒng)可以將充電時間減少到 30 分鐘以內(nèi)。在充電系統(tǒng)中,基于碳化硅 (SiC) 的功率 MOSFET 發(fā)揮著重要作用。碳化硅是一種寬帶隙半導(dǎo)體,與硅相比,具
2022-08-03 09:20:21
2015 
碳化硅正在影響整個電動汽車行業(yè),并將與另一種寬帶隙材料氮化鎵一起成為電子產(chǎn)品的核心。在APEC期間,Exawatt 首席執(zhí)行官 Simon Price 分析了 SiC 及其在電池電動汽車 (BEV) 環(huán)境中的積極發(fā)展。
2022-08-04 16:27:50
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隨著對電動汽車(EV)需求的持續(xù)增長,制造商正在比較兩種半導(dǎo)體技術(shù),即碳化硅和硅,用于電力電子應(yīng)用。碳化硅(SiC)具有耐高溫、低功耗、剛性,并支持EV電力電子設(shè)備所需的更小、更薄的設(shè)計。SiC當(dāng)前應(yīng)用的示例包括車載DC/DC轉(zhuǎn)換器、非車載直流快速充電器、車載電池充電器、電動汽車動力總成和LED汽車照明。
2022-11-15 10:22:55
655 SiC碳化硅功率半導(dǎo)體器件具有耐壓高、熱穩(wěn)定好、開關(guān)損耗低、功率密度高等特點,被廣泛應(yīng)用在電動汽車、風(fēng)能發(fā)電、光伏發(fā)電等新能源領(lǐng)域。 近年來,全球半導(dǎo)體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國轉(zhuǎn)移。目前
2023-01-13 11:16:44
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汽車碳化硅技術(shù)原理圖 相比硅基功率半導(dǎo)體,碳化硅功率半導(dǎo)體在開關(guān)頻率、損耗、散熱、小型化等方面存在優(yōu)勢,隨著特斯拉大規(guī)模量產(chǎn)碳化硅逆變器之后,更多的企業(yè)也開始落地碳化硅產(chǎn)品。 功率半導(dǎo)體碳化硅
2023-02-02 15:10:00
467 碳化硅(SiC)是第三代化合物半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體材料可用于制造芯片,這是半導(dǎo)體行業(yè)的基石。碳化硅是通過在電阻爐中高溫熔化石英砂,石油焦,鋸末等原材料而制造的。
2023-02-02 16:23:44
20973 隨著技術(shù)的發(fā)展,電動汽車對電力電子功率驅(qū)動等系統(tǒng)提出了更高的要求,即更輕、更緊湊、更高效、更可靠等,但是傳統(tǒng)的硅基功率器件由于材料的限制,其各方面的特性已經(jīng)逐漸無法滿足電動汽車的技術(shù)要求,所以需要
2023-02-12 16:10:25
770 電動汽車碳化硅可以提高電動汽車的動力性能,減少汽車的油耗,提高汽車的續(xù)航能力,減少汽車的噪音,提高汽車的可靠性,減少汽車的維護(hù)成本,提高汽車的安全性,以及提高汽車的環(huán)保性能。
2023-02-15 14:38:24
261 我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件:碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開說明。碳和硅進(jìn)過化合先合成碳化硅,然后碳化硅打磨成為粉末,碳化硅粉末經(jīng)過碳化硅單晶生長成為碳化硅晶錠;碳化硅
2023-02-21 10:04:11
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什么是第三代半導(dǎo)體?我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統(tǒng)稱為第三代半導(dǎo)體,這個是相對以硅基為核心的第二代半導(dǎo)體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件,也就是SiC碳化硅二極管
2023-02-21 10:16:47
2091 碳化硅二極管是什么 碳化硅二極管是一種半導(dǎo)體器件,它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐壓能力和高的溫度耐受性,因此碳化硅二極管具有較低的反向漏電流、高溫下穩(wěn)定性良好、響應(yīng)速度快等特點,廣泛用于高功率、高頻率、高溫、高壓等領(lǐng)域,如電源、變頻器、太陽能、電動汽車等。
2023-06-02 14:10:32
747 當(dāng)前從光伏到新能源汽車,碳化硅下游市場需求旺盛,特別是隨著電動汽車和新能源需求的持續(xù)增長,對SiC材料的需求呈現(xiàn)出井噴式增長的態(tài)勢。國產(chǎn)碳化硅正在從產(chǎn)業(yè)化向商業(yè)化加速邁進(jìn)。
2023-06-27 15:47:04
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碳化硅 (SiC) 可為電動汽車 (EV) 領(lǐng)域帶來許多優(yōu)勢:更高的額定電壓、出色的功率轉(zhuǎn)換效率以及應(yīng)對高溫的能力等,也因此一直備受推崇。本博文將討論電動汽車的設(shè)計考慮因素,并探討各種 SiC 技術(shù)
2023-06-30 09:35:02
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隨著新能源汽車市場的爆發(fā),電動汽車已經(jīng)成為碳化硅最大的下游應(yīng)用市場,行業(yè)普遍預(yù)估,2027年車用碳化硅功率器件市場規(guī)模能達(dá)到60億美元。
2023-09-11 11:52:50
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隨著對電動汽車(EV)需求的持續(xù)增長,制造商正在比較兩種半導(dǎo)體技術(shù),即碳化硅和硅,用于電力電子應(yīng)用。碳化硅(SiC)具有耐高溫、低功耗、剛性,并支持EV電力電子設(shè)備所需的更小、更薄的設(shè)計。SiC當(dāng)前
2023-09-27 09:48:18
326 碳化硅(SiC)功率器件是由硅和碳制成的半導(dǎo)體,用于制造電動汽車、電源、電機控制電路和逆變器等高壓應(yīng)用的功率器件。
2023-10-17 09:43:16
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在電動汽車領(lǐng)域,純電動汽車BEV、混合動力HEV、插電式混合動力電動汽車PHEV、400伏/800伏的系統(tǒng)將直接影響碳化硅(SiC)相對采用率,800伏的純電動汽車動力系統(tǒng)最有可能采用SiC器件。
2023-11-21 15:46:26
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基于碳化硅 (SiC)的25 kW電動汽車直流快充開發(fā)指南-結(jié)構(gòu)和規(guī)格
2023-11-27 16:15:55
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碳化硅(SiC),又名碳化硅,是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導(dǎo)通電阻。
2023-12-12 09:47:33
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碳化硅二極管和碳化硅晶體管。由于其出色的性能,碳化硅功率器件在電動汽車、可再生能源系統(tǒng)、智能電網(wǎng)、軌道交通等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。
2024-01-09 09:26:49
382 等。這些特性使得碳化硅逆變器在電力電子領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景,特別是在新能源、電動汽車、軌道交通等領(lǐng)域。碳化硅逆變器的工作原理是利用碳化硅半導(dǎo)體材料的高載流子遷移率和低導(dǎo)通電阻特性,實現(xiàn)對電能的高效轉(zhuǎn)換。具體
2024-01-10 13:55:54
272 碳化硅在功率半導(dǎo)體市場(尤其是電動汽車)中越來越受歡迎,但對于許多應(yīng)用來說仍然過于昂貴。
2024-01-29 14:46:11
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