對于可穿戴設(shè)備的設(shè)計要求并不止步于封裝。由于容納電池的空間有限，產(chǎn)品在運行和待機(jī)模式下均需極為省電，但又需支持藍(lán)牙通信，可立刻啟動，還要能無縫運行用戶設(shè)定的應(yīng)用程序。沒有人會僅僅為了看時間而購買智能手表，但與漫畫書不同的是，很少有人希望用智能手表、互聯(lián)眼鏡或健身腕帶來取代智能手機(jī)，這在某種程度上降低了設(shè)計的難度。而智能手機(jī)也正在發(fā)展成為多用途中心，可支持、連接越來越多的可穿戴設(shè)備。這也意味著大多數(shù)可穿戴設(shè)備都不需要大容量永久性存儲或快速的多核處理器。因此，綜合考慮容量、尺寸和用電量要求，可穿戴設(shè)備是使用NOR閃存的理想平臺。

　　回到未來：NOR閃存最適用于可穿戴設(shè)備

　　在智能手機(jī)能夠存儲一季里值得收藏的電視秀或完整音樂庫之前，當(dāng)手機(jī)還只是部電話時， NOR閃存曾是手機(jī)首選的永久性存儲介質(zhì)。NAND成序列地存儲多個比特（bit），通過犧牲隨機(jī)存取的方式來獲得密度和寫入速度，而NOR則更像傳統(tǒng)的DRAM——可以分別讀寫每一個存儲單元，而不是一次讀寫整個塊。這意味著NOR適用于可在本地執(zhí)行而無需首先復(fù)制到另外的RAM緩存的應(yīng)用程序代碼。隨機(jī)存取還意味著NOR閃存具備高速寫入速度——對于串行設(shè)計（串行外設(shè)接口）可高達(dá)20MB/s，對于并行NOR設(shè)計可高達(dá)250MB/s。

　　在可穿戴設(shè)備中使用NOR閃存而不是NAND具有明顯的益處。NOR閃存的直接代碼執(zhí)行能力可顯著縮短啟動時間，可以讓設(shè)備立刻啟動。同樣，代碼執(zhí)行無需RAM就意味著待機(jī)時的用電量大大減少，因此在可穿戴設(shè)備必須使用微型電池的條件下，設(shè)備的使用時間可以得到延長。

　　由于可穿戴設(shè)備一般會連接到另一個設(shè)備上，通過該設(shè)備連接互聯(lián)網(wǎng)服務(wù)和數(shù)據(jù)庫，所以它們無需存儲太多本地數(shù)據(jù)。相對音頻和視頻文件的大小而言，就算是一整天的健康和健身測量數(shù)據(jù)都是極小的。鑒于可穿戴設(shè)備中的空間十分有限，NOR閃存容量與芯片尺寸比NAND更適合于應(yīng)用程序的需求。

　　第二點可能會讓人感到意外，因為NAND閃存陣列的密度要大大高于NOR。實際上，由于NAND閃存針對最大密度設(shè)計，所以產(chǎn)品一般會使用最小工藝節(jié)點，目前為16nm 。但問題是，除了存儲單元之外，所有存儲器器件都有一定的電路開銷，例如行地址解碼器、感應(yīng)放大器、位線控制電路、外圍I/O電路、電壓調(diào)節(jié)器和I/O針腳等子系統(tǒng)。芯片上的開銷區(qū)并不與存儲容量成線性增加?？s減存儲陣列的尺寸后，芯片上用于外圍邏輯的空間只會少量增加。這意味著即使使用上一代的25nm工藝尺寸，最小可行的NAND器件也是1Gbit。這對于大多數(shù)可穿戴應(yīng)用都是無法接受的，因為市場主要需要的是512Mbit或更小的存儲器件。

　　針對特定制程尺寸縮減NAND容量的局限性也讓封裝后的尺寸對于許多可穿戴應(yīng)用來說過大。例如，用作某些應(yīng)用的NOR替代品的1Gbit串行NAND采用了9×11毫米63球柵陣列封裝方式。與之相反，最小的串行NOR 512Mbit和1Gbit NOR產(chǎn)品采用4或5×6毫米封裝方式，不到NAND替代品的1/3，因此更適合于可穿戴設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)生態(tài)系統(tǒng)中其他聯(lián)網(wǎng)傳感器的微型電路板。

　　圖1：美光NOR閃存MCP尺寸比較。

　　NOR閃存也可被堆疊在設(shè)計有偽靜態(tài)PSRAM的多芯片封裝（MCP）中，已讓控制器芯片內(nèi)嵌入SRAM的應(yīng)用的容量大于那些系統(tǒng)芯片的常見的1Mbit。例如，含64Mbit NOR閃存和32Mbit PSRAM的52球MCP僅為4×6毫米，含高達(dá)512Mb NOR閃存和128Mb PSRAM的密度較高的MCP僅為8×8毫米。參見圖1美光NOR閃存MCP尺寸比較。其容量和耗電量對于大多數(shù)可穿戴設(shè)備來說可能都過大，但它或許可以應(yīng)用于錄制視頻，例如眼鏡或移動傳感設(shè)備中。

　　圖2：多芯片封裝能耗預(yù)估