資料介紹
PID效應(yīng)是一種在組件上面加上高強(qiáng)度負(fù)電壓而使組件性能降低的現(xiàn)象。在過(guò)去的幾十年里,由于系統(tǒng)偏壓而引起組件功率大幅衰減,有的衰減甚至超過(guò)50%, 而從組件外觀上卻看不到任何缺陷。傳統(tǒng)晶硅組件的認(rèn)證是根據(jù)IEC61215 和IEC 61730標(biāo)準(zhǔn)來(lái)進(jìn)行測(cè)試,而在這標(biāo)準(zhǔn)之中缺少了對(duì)組件長(zhǎng)期可靠性評(píng)估的相關(guān)要求。德國(guó)肖特太陽(yáng)能、德國(guó)Q-CELL公司、SOLON公司等均宣布稱其組 件通過(guò)PID測(cè)試,其組件屬于抗PID型。
所謂PID測(cè)試,將組件連接到1000伏特的電壓上,在一定的溫度和濕度條件下,連續(xù)通電一定的時(shí)間,最后監(jiān)測(cè)組件的前后功率的衰減和EL。
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