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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電源技術(shù)>基于PI的角度分析電源噪聲測試中可能遇到的問題和相應的解決方法

      基于PI的角度分析電源噪聲測試中可能遇到的問題和相應的解決方法

      2015-01-13 | pdf | 306KB | 次下載 | 1積分

      資料介紹

      當今的計算機、PAD、手機、通信系統(tǒng)設(shè)備等電子產(chǎn)品，處理速度越來越快，運算能力越來越強，其電源的設(shè)計也越來越復雜。進入21世紀后，芯片的制作工藝由0.18um逐步升級到了95nm、65nm、45nm，晶體管的集成度更高、主頻更高、供電電壓更低，這給產(chǎn)品的電路設(shè)計與調(diào)試帶來了更大的挑戰(zhàn)。在90年代，芯片的供電通常是5V和3.3V，使用CMOS或TTL電平，而現(xiàn)在，很多數(shù)字電路芯片的核心電壓以及IO電平都小于3.3V，以最常用的內(nèi)存芯片為例，最古老的SDR SDRAM供電電壓為3.3V，DDR SDRAM為2.5V，DDR2為1.8V，DDR3為1.5V，而最新的DDR4的供電電壓為1.2V，其VREF只有0.6V。這些電路的供電電壓越來越小，對電源噪聲的要求也更加嚴格，如何設(shè)計低噪聲的電源、并且準確測量其電源噪聲非常關(guān)鍵，本文將從電源完整性（Power Integrity，簡稱PI）的角度，簡要分析電源噪聲測試中可能遇到的問題和相應的解決方法。
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