EMI常規(guī)知識(shí)以及在開(kāi)關(guān)電源中使用:1 EMI 常識(shí)
在開(kāi)關(guān)電源中，功率器件高頻開(kāi)通關(guān)斷的操作導(dǎo)致電流和電壓的快速的變化是產(chǎn)生EMI的主要原因。在電路中的電感及寄生電感中快速的電流變化產(chǎn)生磁場(chǎng)從而產(chǎn)生較高的電壓尖峰：u Ldi dt L L = /在電路中的電容及寄生電容中快速的電壓變化產(chǎn)生電場(chǎng)從而產(chǎn)生較高的電流尖峰:磁場(chǎng)和電場(chǎng)的噪聲與變化的電壓和電流及耦合通道如寄生的電感和電容直接相關(guān)。直觀的理解， 減小電壓率du/dt和電流變化率di/dt及減小相應(yīng)的雜散電感和電容值可以減小由于上述磁場(chǎng)和電場(chǎng)產(chǎn)生的噪聲，從而減小EMI干擾。
1.1 減小電壓率du/dt和電流變化率di/dt減小電壓率du/dt和電流變化率di/dt可以通過(guò)以下的方法來(lái)實(shí)現(xiàn)：改變柵極的電阻值和增加緩沖吸引電路，如圖2和圖3所示。增加?xùn)艠O的電阻值可以降低開(kāi)通時(shí)功率器件的電壓變化率。圖3中，基本的RCD箝位電路用于抑止由于變壓器的初級(jí)漏感在開(kāi)關(guān)管關(guān)斷過(guò)程中產(chǎn)生的電壓尖峰。L1，L2 和L3可以降低高頻的電流的變化率。L1和L2只對(duì)特定的頻帶起作用。L3對(duì)于工作于CCM模式才有效。 R1C1，R2C2，R3C3，R4C4 和 C5可以降低相應(yīng)的功率器件兩端的高頻電壓的變化率。所有的這些緩沖吸引電路都需要消耗一定功率，產(chǎn)生附加的功率損耗，降低系統(tǒng)的效率；同時(shí)也增加元件的數(shù)日和PCB的尺寸及系統(tǒng)的成本，因此要根據(jù)實(shí)際的需要選擇使用