Microchip的數(shù)字 信號 控制 器（DSC）dsPIC30F系列是 單片嵌 入 式控 制器 ，它 集成 了 單片 機(jī)（MCU）的控 制功 能 以及 數(shù)字 信 號處 理器 （DSP）的 計(jì)算 能 力和 數(shù) 據(jù)吞吐能 力 。dsPIC30F數(shù) 字信 號控 制器 提供 了功 能強(qiáng) 大 的 16位 單 片機(jī)所 具備 的所 有功 能 ：快 速 、復(fù) 雜和 靈活 的中斷處理 ，豐 富的數(shù) 字和 模擬 外設(shè) ，電源管理 ，可靈 活的選擇 多種 時(shí)鐘 模式 ，上 電復(fù) 位 ，欠壓 保護(hù) ，看 門狗定時(shí)器 ，代 碼加密 ，全速 實(shí)時(shí) 仿真 以及 全速 在 線調(diào)試 解決 方 案 。 dsPIC30F6014數(shù) 字信 號處 理器 是 dsPIC30F系 列功能齊 全的一 款 ，在 用 dsPIC30F6014數(shù) 字信 號 處理器 做密 碼 保 存 和 LCD 數(shù) 據(jù) 顯 示 時(shí) ，經(jīng) 常 要 對 其 內(nèi)部 的 EEPROM 進(jìn) 行讀寫 。

　　dsPIC30F6014數(shù) 字信號 處理 器有4KByte的 內(nèi)部 數(shù)據(jù) EEPROM 。 在 VDD 正 常 電壓 范 圍 內(nèi) ， 對 dsPIC30F6014內(nèi)部 EEPROM 的操 作有 讀 、寫和 擦 除 ， dsPIC30F6014的EEPROM存儲 器直 接映 射到程 序存 儲器 的地址 空 問 。圖 1為 數(shù)據(jù) EEPROM 陣列 圖 。用于 讀寫 EEPROM 存 儲器 的 4個(gè)特 殊功 能寄 存器 SFR（SpecialFunctionRegister）是 ： ·NVM CON ·NV M ADR ·NVM ADRU ·NVM KEY NVMCON寄 存器 控制 要擦 除的 塊 ，要 燒寫 的存儲器 類 型 以及 燒 寫周期 的起 始時(shí) 刻 。 NVMADR寄存器 用 于保持 有效 地址 的低兩 位 ，捕捉執(zhí) 行過 的末尾表 指令 的EA［15：0】位并 選擇要 寫的行 。 NVMADRU 寄存器 用 于保 持有 效地 址 的高 兩位 ，捕 捉執(zhí) 行過 的末 尾表 指令 的 EA［23：16］位 。 NVMKEY寄 存器 是只 寫寄 存器 ，用 于寫 保護(hù) 。在開 始 寫 或者 擦 除操 作 時(shí) ，用 戶 必須 連 續(xù) 的寫 0x55和 0xAA 到 NVMKEY 寄存器 。 dsPIC30F6014內(nèi)部 EEPROM存儲 器允 許讀 寫單個(gè)字 或 者 含 有 16個(gè) 字 的 塊 ， 寄 存 器 NVMADR 和 NVMADRU用于訪 問EEPROM 的地 址 ，指令 TBLRDL 和 TBLw TL 用于 對 EEPROM 的 讀 寫 。在 相 應(yīng) 的 EEPROM 存儲 器 位置 做擦 除操 作 后必 須執(zhí) 行寫 保護(hù) ，寫保 護(hù) 通常 需要 2ms時(shí) 問來 完成 。在對 EEPROM 進(jìn)行擦 除操 作時(shí) ，用戶 不 能同 時(shí)對 EEPROM 進(jìn) 行 讀和 寫。