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發(fā)視頻了解金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）產(chǎn)品說明書，第4部分 —— 脈沖電流額定值
2022-11-04 |
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資料介紹
產(chǎn)品說明書”博客系列的第四部分！今天，筆者將談?wù)撁}沖電流額定值、它們的計算方法以及在FET產(chǎn)品說明書的安全工作區(qū)圖中是如何描繪它們的。
產(chǎn)品說明書首頁上出現(xiàn)的脈沖電流額定值（IDM）與連續(xù)電流額定值很相似，因為它是一個理論上的計算值。然而，與連續(xù)電流額定值不同的是，IDM只是作為熱約束條件（從正在標準化的RθJC到給定的脈沖持續(xù)時間以及“絕對最大額定值”表的腳注中明確規(guī)定的占空比）的函數(shù)被計算出來的。
以最近發(fā)布的CSD17579Q5A 30V N通道MOSFET為例。該部件的產(chǎn)品說明書規(guī)定了105A的最大脈沖電流額定值，基本條件是脈沖持續(xù)時間小于或等于100μs，占空比小于或等于1％。為確定用于計算IDM的瞬態(tài)熱阻抗，我們將參閱下面圖1所示的標準化熱阻抗曲線。如果我們在脈沖持續(xù)時間為100μs時看1…
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