資料介紹
H橋電機驅(qū)動電路的核心包括4個MOSFET管和1個電機,如下圖所示。 1 電路工作原理如下:為了使電機運轉(zhuǎn),必須導通對角線上的一對MOSFET管。根據(jù)不同MOSFET管對的導通情況,電流可能會從左至右或從右至左流過電機,從而控制電機的轉(zhuǎn)向。當Q3管和Q6管導通 時,電流從電源正極經(jīng)Q3從左至右穿過電機,再經(jīng)Q6回到電源負極,該流向的電流將驅(qū)動電機順時針轉(zhuǎn)動。當MOSFET管Q4和Q5導通時,電流將從右至左流過電機,驅(qū)動電機逆時針轉(zhuǎn)動。通過控制 PWM波形的占空比,達到對電機調(diào)速的目的。我們使用單極性PWM波和方向信號控制電機的轉(zhuǎn)速和轉(zhuǎn)向。

H橋左邊的附加電路的作用是方便單極性PWM波控制H橋4個MOSFET管的通斷。其中V_GND模塊是測量電路中該點相對GND的電勢。分析可知通過R1,R11的上拉,電路在附加電路的MOSFET管未 導通時,輸出高電平。所以Dir1,Dir2輸入端口輸入LOW,HIGH信號即可使Ua端口輸出正值。 電路中所有的N溝道MOSFET飽和導通電壓閾值為1v,P溝道MOSFET飽和導通電壓閾值為-1;H橋中的二極管起到續(xù)流的作用。附加電路的二極管的作用是保證只接受正電壓。 我們將該電路封裝成一個子模塊如下圖。其中Vcc是電機能達到的最大工作電壓。

H橋左邊的附加電路的作用是方便單極性PWM波控制H橋4個MOSFET管的通斷。其中V_GND模塊是測量電路中該點相對GND的電勢。分析可知通過R1,R11的上拉,電路在附加電路的MOSFET管未 導通時,輸出高電平。所以Dir1,Dir2輸入端口輸入LOW,HIGH信號即可使Ua端口輸出正值。 電路中所有的N溝道MOSFET飽和導通電壓閾值為1v,P溝道MOSFET飽和導通電壓閾值為-1;H橋中的二極管起到續(xù)流的作用。附加電路的二極管的作用是保證只接受正電壓。 我們將該電路封裝成一個子模塊如下圖。其中Vcc是電機能達到的最大工作電壓。
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