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簡(jiǎn)介：電源轉(zhuǎn)換器的封裝密度日益提高和節(jié)能標(biāo)準(zhǔn)越來(lái)越嚴(yán)格，要求不斷提高電源級(jí)的能效。隔離式電源轉(zhuǎn)換器的次級(jí)整流產(chǎn)生的嚴(yán)重的二極管正向損耗是主要的損耗，因此，只有利用同步整流（SR）才可能達(dá)到這些標(biāo)準(zhǔn)要求的能效水平。用MOSFET替代二極管引發(fā)了新的挑戰(zhàn)——優(yōu)化系統(tǒng)能效和控制電壓過(guò)沖。本應(yīng)用筆記介紹了通過(guò)利用英飛凌OptiMOS?3解決方案的優(yōu)化表（適用于30 V、40 V、60 V、75 V、80 V、100 V、120 V和150 V等應(yīng)用）幫助選擇最佳MOSFET的方法
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