關(guān)于降壓轉(zhuǎn)換器中啟動(dòng)電阻器的設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)
2024-09-06 |
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資料介紹
隨著電源效率變得越來越重要,需要更快的開關(guān)速度來降低效率損失。但是,隨著開關(guān)速度的提高,必須考慮一 些權(quán)衡因素,例如顯著的過沖、開關(guān)節(jié)點(diǎn)上的振鈴電壓和電磁干擾 (EMI)。振鈴的幅度是高邊 NFET 的開關(guān)速度 以及布局和器件封裝中的寄生電感的函數(shù)。有多種方法可以減少振鈴,使 MOSFET 開關(guān)保持在安全工作區(qū)域內(nèi), 并減少因此造成的 EMI 噪聲,例如使用自舉電阻器、高邊柵極電阻器或 RC 緩沖器。 本應(yīng)用手冊(cè)重點(diǎn)介紹了使用自舉電阻器控制開關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴和優(yōu)化 EMI 時(shí)的設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)。
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