資料介紹
使用P溝道金屬氧化物場效應(yīng)晶體管(MOSFET)的高端開關(guān)易于使用拓?fù)鋪韺?shí)現(xiàn)負(fù)載連接和斷開功能?;趎溝道MOSFET的高端開關(guān)優(yōu)于P溝道MOSFET,因?yàn)槠錈嵝矢?,解決方案尺寸更小。基于分立電荷泵的N溝道MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器是驅(qū)動(dòng)N溝道MOSFET的傳統(tǒng)方式。為了實(shí)現(xiàn)過壓保護(hù)等功能,通常會(huì)使用額外的分立元件來檢測電源電壓,并在過壓事件發(fā)生時(shí)關(guān)閉MOSFET。雖然基于分立元件的電路普遍采用N溝道MOSFET來實(shí)現(xiàn)高端開關(guān),但代價(jià)是元件數(shù)量增加、精度下降和故障率上升,這對(duì)于安全應(yīng)用尤其重要。
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