資料介紹
本論文完成了一種應(yīng)用于集成于射頻芯片的LDO的分析與設(shè)計。本文主要從穩(wěn)定性、負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)、電源抑制比和噪聲四個方面進行了分析。然后,采用SMIC 0.18μm CMOS工藝完成了包括功率調(diào)整管、電阻反饋網(wǎng)絡(luò)和誤差放大器三個部分的電路設(shè)計,并用Cadence Spectre對設(shè)計的整體電路進行了仿真和優(yōu)化,最終實現(xiàn)電路的設(shè)計要求,而且可以在片內(nèi)集成??稍?.1mA~300mA的負(fù)載電流范圍內(nèi)穩(wěn)定工作,電路正常工作時溫度范圍:-55℃ ~+125℃,該電路工作電壓范圍為2.1~3.6V,輸出電壓1.8V,輸出電壓在全范圍的波動: ≤4mV,輸出電壓準(zhǔn)精度:≤10mV,最小壓差在300mV以下,靜態(tài)電流≤60uA;在10Hz~100KHz 范圍內(nèi)的內(nèi)部輸出噪聲積分約為,≤20μVRMS@20mA、≤50μVRMS@80mA、≤100μVRMS @300mA;電源抑制比(PSRR,在10KHZ以下):≥60dB@20mA、≥60dB@80mA、≥60dB@300mA;線性調(diào)整率:≤0.1%;負(fù)載調(diào)整率:≤1%;啟動時間:≤100us;電壓瞬態(tài)響應(yīng):≤30us;負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng): ≤50us;輸出啟動電壓過沖:≤100mV;集成輸入欠壓過壓保護、輸出斷路保護。另外集成過溫保護以及輸入軟啟動電路。
LDO 芯片的特點
低靜態(tài)電流
0.1mA~300mA的負(fù)載電流范圍內(nèi)穩(wěn)定工作,帶載能力強
在10Hz~100KHz范圍內(nèi)的內(nèi)部輸出噪聲小
高電源抑制比(PSRR,在100KHZ以下)
可全片內(nèi)集成
LDO 芯片的詳細(xì)性能參數(shù)
下面將集中講述一下此次芯片電路設(shè)計應(yīng)該滿足的條件,以便于在電路設(shè)計過程中有一個總體的設(shè)計框架和設(shè)計思路。
衡量LDO的性能參數(shù)較多,下面介紹主要的幾種性能參數(shù)。從對這些性能的分析過程中,可以看到各個性能之間不是獨立的,性能和性能之間會相互影響和制約。因此,在設(shè)計時,要根據(jù)具體要求來具體分析。
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