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標(biāo)簽 > 偏置電壓

偏置電壓

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  偏置電壓是指晶體管放大電路中使晶體管處于放大狀態(tài)時(shí),基極-射極之間,集電極-基極之間應(yīng)該設(shè)置的電壓。因?yàn)橐咕w管處于放大狀態(tài),其基極-射極之間的PN結(jié)應(yīng)該正偏,集電極-基極之間的PN結(jié)應(yīng)該反偏。

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偏置電壓技術(shù)

5V2A適配器電源ic U25135開(kāi)啟輕松模式

運(yùn)動(dòng)相機(jī)具有體積小、重量輕、攜帶方便、支持長(zhǎng)期廣角和高精度視頻錄制的特點(diǎn),使用的鏡頭往往是超廣角或魚(yú)眼鏡頭,通常沒(méi)有取景屏。

2023-08-03 標(biāo)簽:充電器適配器電源IC 763 0

運(yùn)算放大器基本原理圖 運(yùn)算放大器的基本特性

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集成元器件,顧名思義就是其內(nèi)部是由各類功能模塊電路組成,功能簡(jiǎn)單一點(diǎn)的集成芯片集成的模塊少一點(diǎn),功能復(fù)雜的就集成多一點(diǎn),我們這節(jié)內(nèi)容的主角運(yùn)算放大器就是...

2023-07-28 標(biāo)簽:運(yùn)算放大器差動(dòng)放大器運(yùn)放芯片 2.1k 0

10W適配器電源芯片U92143介紹

電子產(chǎn)品以迅雷不及掩耳之勢(shì)發(fā)展起來(lái),同時(shí),相關(guān)配件也迎來(lái)了發(fā)展的黃金期。

2023-07-26 標(biāo)簽:電源適配器電源芯片偏置電壓 822 0

三極管的三區(qū)含義介紹

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引言:BJT內(nèi)部含有兩個(gè)背靠背,互相影響的PN結(jié),當(dāng)這兩個(gè)PN結(jié)的偏置條件(正偏還是反偏)不同時(shí),BJT將呈現(xiàn)出不同的特性和功能,對(duì)應(yīng)四種工作狀態(tài):放大...

2023-07-08 標(biāo)簽:三極管二極管NPN晶體管 2.5k 0

如何用EKV模型秒掉拉扎維?

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我們給大家介紹了EKV模型的基本概念以及在大信號(hào)和小信號(hào)分析中的應(yīng)用。尤其在大信號(hào)分析中,EKV圖形化的方法簡(jiǎn)單直觀,有著得天獨(dú)厚的優(yōu)勢(shì)。

2023-07-07 標(biāo)簽:MOS管VDS偏置電壓 4.6k 0

帶你認(rèn)識(shí)帶隙基準(zhǔn)電路

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與溫度關(guān)系很小的電壓或者電流基準(zhǔn),在實(shí)際電路設(shè)計(jì)中具有重要的應(yīng)用,比如在電流鏡結(jié)構(gòu)中,需要對(duì)一“理想的”基準(zhǔn)電流進(jìn)行精確復(fù)制,這一“理想的”基準(zhǔn)電流,一...

2023-07-06 標(biāo)簽:運(yùn)算放大器電流鏡晶體管 7.1k 0

PIN Diode射頻開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)與調(diào)試

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在小功率無(wú)線產(chǎn)品射頻開(kāi)關(guān)電路設(shè)計(jì)中,我們常常選用CMOS,GaAs,SOI等工藝的射頻器件,其外圍電路很簡(jiǎn)單,通常只需要配合電阻電容就可以正常工作。

2023-07-04 標(biāo)簽:MOS管驅(qū)動(dòng)電路射頻開(kāi)關(guān) 5.5k 0

闡述ADS交流仿真的基本方法和流程

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交流仿真的概念:交流放著是射頻電路中最重要的仿真方式之一,主要用于分析電路的小信號(hào)特性和噪聲特性。

2023-06-29 標(biāo)簽:控制器濾波器ADS仿真 1.9萬(wàn) 1

5v1A充電器芯片U65113隨時(shí)補(bǔ)充能量

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當(dāng)電動(dòng)牙刷剛步入大眾視野時(shí),人們都不認(rèn)為它能代替普通牙刷,可當(dāng)人們真正的去接觸到電動(dòng)牙刷時(shí),就會(huì)感受到科技帶給人類的美好。

2023-06-28 標(biāo)簽:充電器芯片偏置電壓VDD 1.8k 0

天線與晶體管發(fā)展歷程

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天線與晶體管是人類歷史上兩項(xiàng)最偉大的發(fā)明。天線開(kāi)啟了無(wú)線電的時(shí)代,晶體管開(kāi)辟了電子學(xué)的新世界。

2023-06-19 標(biāo)簽:MOS管晶體管無(wú)線電 1.8k 0

CLASS-AB輸出級(jí)及偏置設(shè)計(jì)淺析

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采用Class-AB輸出級(jí)設(shè)計(jì)的運(yùn)放可在較低的靜態(tài)電流下實(shí)現(xiàn)軌對(duì)軌輸出,推挽的輸出方式使得其在大信號(hào)建立時(shí)的電流不受靜態(tài)電流的限制,可以實(shí)現(xiàn)更好的壓擺率。

2023-06-18 標(biāo)簽:NMOS電流鏡偏置電壓 5.1k 0

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利用分子器件實(shí)現(xiàn)傳統(tǒng)電子元件的基本功能已被認(rèn)為是分子電子學(xué)的研究目標(biāo),因而該研究領(lǐng)域備受關(guān)注,并發(fā)現(xiàn)了許多有趣的物理特性,如分子整流、分子開(kāi)關(guān)

2023-06-05 標(biāo)簽:DFTPVR偏置電壓 1.5k 0

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調(diào)幅電路是把調(diào)制信號(hào)和載波信號(hào)同時(shí)加在一個(gè)非線性元件上(例如晶體二極管或三極管)經(jīng)非線性變換成新的頻率分量,再利用諧振回路選出所需的頻率成分。調(diào)幅電路分...

2023-06-02 標(biāo)簽:二極管仿真Multisim 8k 2

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應(yīng)用指南主要面向iXblue強(qiáng)度調(diào)制器的用戶,介紹如何為調(diào)制器選擇合適的RF和偏置電壓。 **簡(jiǎn)介**** :** 基于鈮酸鋰(LiNbO ...

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APD 是光學(xué)應(yīng)用中經(jīng)常使用的光敏元件,在以硅或者鍺為材料制成的光電二極管的 P-N 結(jié)上加反偏電壓后,射入的光被 P-N 結(jié)吸收后會(huì)形成光電流。增大反...

2023-04-27 標(biāo)簽:二極管控制器APD 1.8k 0

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IDQ單光子系列產(chǎn)品ID100,ID120,IDQube,ID221和ID230是基于SPAD(單光子雪崩二極管)的模塊。

2023-04-24 標(biāo)簽:探測(cè)器連接器雪崩二極管 5.5k 0

充電器芯片U6773H表現(xiàn)非凡

023年第一季度全球智能手機(jī)市場(chǎng)同比繼續(xù)下跌12%,目前來(lái)看,手機(jī)市場(chǎng)依然還未開(kāi)始恢復(fù),不過(guò)已經(jīng)趨向平穩(wěn)。

2023-04-20 標(biāo)簽:充電器芯片偏置電壓VDD 1.3k 0

一文詳解MOS電容器

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MOSFET是工業(yè)上應(yīng)用最成功的固態(tài)器件,是構(gòu)成高集成度的基本單元,而MOS電容器是MOSFET的核心,理解該電容器的特性是理解MOSFET工作原理的基...

2023-04-17 標(biāo)簽:電容器MOSFETMOS 1.3萬(wàn) 0

單電源運(yùn)放電路的偏置方法

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大家好,我們使用運(yùn)放的大多數(shù)情況都是以雙電源的方式供電,因?yàn)檫@樣就能夠擴(kuò)大輸入信號(hào)的電壓范圍,且輸入輸出信號(hào)能夠呈現(xiàn)正負(fù)對(duì)稱的形式。但是,在一些特殊情況...

2023-03-21 標(biāo)簽:運(yùn)放電路adc運(yùn)放 1.5萬(wàn) 0

二極管可以設(shè)計(jì)出好玩的電路

利用二極管的單向?qū)щ娦钥梢栽O(shè)計(jì)出好玩、實(shí)用的電路。

2023-03-17 標(biāo)簽:二極管保護(hù)電路限幅電路 1.2k 0

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    從背景上看,28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響,當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是,在這之后的幾年,包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力,將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
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