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標簽 > 光刻機
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集成電路制造關鍵裝備要求零部件材料具有高純度、高致密度、高強度、高彈性模量、高導熱系數(shù)和低熱膨脹系數(shù)等特點,且且結構件要具有極高的尺寸精度和結構復雜性,...
EUV光刻技術出現(xiàn)新的挑戰(zhàn):3nm節(jié)點的金屬間距約為22nm
22 nm 節(jié)距quasar illumination的較小部分使得最低衍射級避免了遮擋可以安全使用,但填充的pupil不到 20%,這再次意味著額外的...
高數(shù)值孔徑EUV光刻:引領下一代芯片制造的革命性技術
摩爾定律是指在給定面積的硅片上,晶體管的數(shù)量大約每兩年翻一番,這種增益推動了計算技術的發(fā)展。在過去半個世紀里,我們將該定律視為一種類似進化或衰老的不可避...
隨著光刻膠層變得更薄,整體光刻膠的特性變得不那么重要,并且光刻膠(暴露與否)與顯影劑和底層之間的界面變得更加重要。
中國電科宣布已實現(xiàn)國產離子注入機28納米工藝制程全覆蓋
離子注入機是芯片制造中的關鍵裝備。在芯片制造過程中,需要摻入不同種類的元素按預定方式改變材料的電性能,這些元素以帶電離子的形式被加速至預定能量并注入至特...
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