刻蝕

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刻蝕，英文為Etch，它是半導(dǎo)體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當(dāng)重要的步驟。是與光刻［1］相聯(lián)系的圖形化（pattern）處理的一種主要工藝。所謂刻蝕，實(shí)際上狹義理解就是光刻腐蝕，先通過光刻將光刻膠進(jìn)行光刻曝光處理，然后通過其它方式實(shí)現(xiàn)腐蝕處理掉所需除去的部分。

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刻蝕技術(shù)

脊型GaAs基LD激光芯片工藝過程簡(jiǎn)述

但是里面也有幾個(gè)關(guān)鍵的工藝參數(shù)需要控制的。同樣Etch GaAs也可以用ICP干法刻蝕的工藝，比濕法工藝效果要好些，側(cè)壁也垂直很多。

2023-11-14 標(biāo)簽：封裝 GaAs 芯片工藝 2.2k 0

淺談芯片制程工序中片內(nèi)&片間均勻性的定義和計(jì)算

均勻性是衡量工藝在晶圓上一致性的一個(gè)關(guān)鍵指標(biāo)。比如薄膜沉積工序中薄膜的厚度；刻蝕工序中被刻蝕材料的寬度，角度等等，都可以考慮其均勻性。

2023-11-01 標(biāo)簽：晶圓光刻半導(dǎo)體工藝 6k 0

什么是干法刻蝕的凹槽效應(yīng)？凹槽效應(yīng)的形成機(jī)理和抑制方法

但是，在刻蝕SOI襯底時(shí)，通常會(huì)發(fā)生一種凹槽效應(yīng)，導(dǎo)致刻蝕的形貌與預(yù)想的有很大出入。那么什么是凹槽效應(yīng)？什么原因引起的？怎么抑制這種異常效應(yīng)呢？

2023-10-20 標(biāo)簽：芯片 SOI 刻蝕 2.4k 0

基于銻化銦紅外焦平面探測(cè)器的微透鏡陣列方案

該微透鏡陣列的制作工藝簡(jiǎn)單，與探測(cè)器制作工藝相兼容。得到的微透鏡陣列的均勻性較好。直接在探測(cè)器背面用銻化銦材料制成，耦合精度高，不存在由于其他材料微透鏡...

2023-10-17 標(biāo)簽：探測(cè)器紅外探測(cè)器光電技術(shù) 952 0

FIB-TEM進(jìn)行微納加工和原位研究分析

聚焦離子束與電子束曝光系統(tǒng)相似，由發(fā)射源、離子光柱、工作臺(tái)、真空與控制系統(tǒng)等結(jié)構(gòu)組成，其核心為離子光學(xué)系統(tǒng)，適用的是液態(tài)金屬離子源（例如鎵離子源）。

2023-10-10 標(biāo)簽：SEM fib 光電探測(cè)器 4.6k 0

半導(dǎo)體制造之光刻原理、工藝流程

光刻膠作為影響光刻效果核心要素之一，是電子產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵材料。光刻膠由溶劑、光引發(fā)劑和成膜樹脂三種主要成分組成，是一種具有光化學(xué)敏感性的混合液體。其利用光化...

2023-10-09 標(biāo)簽：電路圖光刻光刻機(jī) 5k 0

泛林的等離子刻蝕介紹

通常，我們需要將巖性模式轉(zhuǎn)換為多個(gè)。一次蝕刻通道中的膠片類型

2023-09-26 標(biāo)簽：等離子泛林科技刻蝕 631 0

芯片封裝為什么要用到*** 封裝***與芯片***的區(qū)別

在芯片制造過程中，光刻機(jī)用于在硅片上形成光刻膠圖形，作為制造電路的模板。光刻機(jī)使用紫外光或其他光源照射硅片上的光刻膠，并通過投影光學(xué)系統(tǒng)將圖形投射到硅片...

2023-09-12 標(biāo)簽：芯片制造芯片封裝光學(xué)系統(tǒng) 3.4k 0

淺談PCB蝕刻質(zhì)量及先期存在的問題

要注意的是，蝕刻時(shí)的板子上面有兩層銅。在外層蝕刻工藝中僅僅有一層銅是必須被全部蝕刻掉的，其余的將形成最終所需要的電路。這種類型的圖形電鍍,其特點(diǎn)是鍍銅層...

2023-09-07 標(biāo)簽：pcb 印刷電路板蝕刻 2.3k 0

pcb蝕刻是什么意思

　在印制板外層電路的加工工藝中，還有另外一種方法，就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內(nèi)層蝕刻工藝，可以參閱內(nèi)層制作工藝中的蝕刻。

2023-09-06 標(biāo)簽：pcb 蝕刻刻蝕 2.5k 0

干法刻蝕在工藝制程中的分類介紹（干法刻蝕關(guān)鍵因素研究）

濕法刻蝕由于精度較差，只適用于很粗糙的制程，但它還是有優(yōu)點(diǎn)的，比如價(jià)格便宜，適合批量處理，酸槽里可以一次浸泡25張硅片，所以有些高校和實(shí)驗(yàn)室，還在用濕法...

2023-08-28 標(biāo)簽：芯片集成電路刻蝕 5.6k 0

光伏刻蝕工藝流程光刻蝕刻加工原理是什么

光刻蝕（Photolithography）是一種在微電子和光電子制造中常用的加工技術(shù)，用于制造微細(xì)結(jié)構(gòu)和芯片元件。它的基本原理是利用光的化學(xué)和物理作用，...

2023-08-24 標(biāo)簽：太陽能電池光刻膠刻蝕 6k 0

刻蝕工藝主要分為哪幾種類型刻蝕的目的是什么？

PVP可以在刻蝕過程中形成一層保護(hù)性的膜，降低刻蝕劑對(duì)所需刻蝕材料的腐蝕作用。它可以填充材料表面的裂縫、孔洞和微小空隙，并防止刻蝕劑侵入。這樣可以減少不...

2023-08-17 標(biāo)簽：芯片封裝半導(dǎo)體器件刻蝕 8.1k 0

半導(dǎo)體制造工藝解析

WCMP是電子束檢測(cè)應(yīng)用最重要的一層，這一層的功能主要體現(xiàn)在：可以使工程師遇到器件的漏電和接觸不良問題。EBI的應(yīng)用可以幫助提升成品率，減少半導(dǎo)體ict...

2023-08-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管電子束 3.4k 0

全球封裝技術(shù)向先進(jìn)封裝邁進(jìn)的轉(zhuǎn)變

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2023-08-11 標(biāo)簽：芯片摩爾定律封裝技術(shù) 1.3k 0

刻蝕分為哪兩種方式刻蝕的目的和原理

刻蝕（Etching）的目的是在材料表面上刻出所需的圖案和結(jié)構(gòu)。刻蝕的原理是利用化學(xué)反應(yīng)或物理過程，通過移除材料表面的原子或分子，使材料發(fā)生形貌變化。

2023-08-01 標(biāo)簽：集成電路電子器件刻蝕 1.1萬 0

刻蝕工藝流程和步驟酸性蝕刻和堿性蝕刻的區(qū)別

刻蝕和蝕刻實(shí)質(zhì)上是同一過程的不同稱呼，常常用來描述在材料表面上進(jìn)行化學(xué)或物理腐蝕以去除或改變材料的特定部分的過程。在半導(dǎo)體制造中，這個(gè)過程常常用于雕刻芯...

2023-07-28 標(biāo)簽：集成電路蝕刻芯片封裝 1.1萬 0

一種孔徑小于10納米的固態(tài)納米孔制備新技術(shù)

高質(zhì)量固態(tài)納米孔的制備是DNA測(cè)序、納流器件以及納濾膜等應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)。當(dāng)前，在無機(jī)薄膜材料中制備固態(tài)納米孔的主流方法是聚焦離子/電子束刻蝕。

2023-07-04 標(biāo)簽：電子束刻蝕 634 0

半導(dǎo)體前端工藝之沉積工藝

在前幾篇文章（點(diǎn)擊查看），我們一直在借用餅干烘焙過程來形象地說明半導(dǎo)體制程。在上一篇我們說到，為制作巧克力夾心，需通過“刻蝕工藝”挖出餅干的中間部分，...

2023-06-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓工藝 2.3k 0

半導(dǎo)體圖案化工藝流程之刻蝕(一)

圖案化工藝包括曝光(Exposure)、顯影(Develope)、刻蝕(Etching)和離子注入等流程。其中，刻蝕工藝是光刻(Photo)工藝的下一步...

2023-06-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓光刻 2.7k 0

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