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刻蝕

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刻蝕，英文為Etch，它是半導(dǎo)體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當重要的步驟。是與光刻［1］相聯(lián)系的圖形化（pattern）處理的一種主要工藝。所謂刻蝕，實際上狹義理解就是光刻腐蝕，先通過光刻將光刻膠進行光刻曝光處理，然后通過其它方式實現(xiàn)腐蝕處理掉所需除去的部分。

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刻蝕技術(shù)

半導(dǎo)體前端工藝之沉積工藝

在前幾篇文章（點擊查看），我們一直在借用餅干烘焙過程來形象地說明半導(dǎo)體制程。在上一篇我們說到，為制作巧克力夾心，需通過“刻蝕工藝”挖出餅干的中間部分，...

2023-06-29 標簽：半導(dǎo)體晶圓工藝 2.3k 0

脊型GaAs基LD激光芯片工藝過程簡述

但是里面也有幾個關(guān)鍵的工藝參數(shù)需要控制的。同樣Etch GaAs也可以用ICP干法刻蝕的工藝，比濕法工藝效果要好些，側(cè)壁也垂直很多。

2023-11-14 標簽：封裝 GaAs 芯片工藝 2.2k 0

半導(dǎo)體制造之等離子工藝

由下圖可以看出當氣體密度較高時MFP較短(a);而當氣體密度較低時，MFP就較長(b)。大粒子的截面積較大，掃過的空間也較大。與一般或較小的離子相比，大...

2022-12-05 標簽：工藝等離子刻蝕 2.2k 0

半導(dǎo)體刻蝕工藝簡述(2)

嚴重的離子轟擊將產(chǎn)生大量的熱量，所以如果沒有適當?shù)睦鋮s系統(tǒng)，晶圓溫度就會提高。對于圖形化刻蝕，晶圓上涂有一層光刻膠薄膜作為圖形屏蔽層，如果晶圓溫度超過1...

2023-03-06 標簽：半導(dǎo)體等離子體晶圓 2.1k 0

InAs/GaSb II類超晶格長波焦平面陣列臺面ICP刻蝕技術(shù)研究

基于GaSb材料，包括InAs、GaSb、AlSb等材料可以靈活地設(shè)計成各種新型材料和器件，尤其是InAs/GaSb超晶格具有獨特的II型能帶結(jié)構(gòu)，可以...

2022-11-29 標簽：工藝晶格 ICP 2.1k 0

AlN和Sc0.2Al0.8N薄膜的濕法化學(xué)腐蝕

用鈧?cè)〈恍╀X可以增加壓電性能，但也使薄膜的沉積和圖案形成更具挑戰(zhàn)性。

2023-03-21 標簽：蝕刻工藝壓電材料刻蝕 2.1k 0

詳解化學(xué)鎳沉積技術(shù)的沉積過程

本文報道了這種化學(xué)鎳的形成，包括在100pm以下的模具,通過掃描電鏡檢查，研究了各種預(yù)處理刻蝕過程和鋅酸鹽活化對最終化學(xué)鎳碰撞質(zhì)量的影響，以幫助詳細了解...

2022-05-13 標簽：工藝晶片刻蝕 2.1k 0

一種用非金屬掩模層蝕刻碳化硅的方法

一種用非金屬掩模層蝕刻碳化硅的方法。該方法包括提供碳化硅基底；通過在基底上施加一層材料來形成非金屬掩模層；形成掩模層以暴露基底的底層區(qū)域；并以第一速率用...

2022-03-29 標簽：SiC 碳化硅刻蝕 2.1k 0

芯片制造中的濕法刻蝕和干法刻蝕

在芯片制造過程中的各工藝站點，有很多不同的工藝名稱用于除去晶圓上多余材料，如“清洗”、“刻蝕”、“研磨”等。如果說“清洗”工藝是把晶圓上多余的臟污、pa...

2024-12-16 標簽：芯片芯片制造刻蝕 2k 0

ZnO上ZnCdO的選擇性濕法刻蝕南通華林科納

最近在外延膜的導(dǎo)電率控制和高質(zhì)量塊狀氧化鋅襯底的可用性方面的進展重新引起了我們對用于紫外光發(fā)射器和透明電子器件的氧化鋅/氧化鋅/氧化鋅異質(zhì)結(jié)構(gòu)系統(tǒng)的興趣。

2021-12-13 標簽：半導(dǎo)體襯底光刻膠 2k 0

綜述：MEMS制造工藝研究進展

據(jù)麥姆斯咨詢報道，近期，來自南京理工大學(xué)的研究人員于《新型工業(yè)化》期刊發(fā)表綜述文章，總結(jié)了體微加工技術(shù)和表面微加工常用的MEMS加工工藝的原理、加工方法...

2022-11-30 標簽：mems 制造工藝刻蝕 1.9k 0

通過濕法化學(xué)刻蝕制備多孔氧化鋅薄膜

本文用濕化學(xué)腐蝕法制備多孔氧化鋅的研究。通過射頻磁控濺射在擇優(yōu)取向的p型硅上沉積ZnO薄膜。在本工作中使用的蝕刻劑是0.1％和1％硝酸（HNO）溶液，Z...

2022-04-24 標簽：薄膜刻蝕 1.8k 0

如何在刻蝕鋁之后保護鋁不被腐蝕？

需要鋁金屬的地方太多了，在DRAM和flash等存儲器產(chǎn)品中，鋁連線由于成本低廉和加工簡便仍被廣泛使用。這些存儲器設(shè)備通常不像高性能邏輯芯片那樣對電阻和...

2023-12-25 標簽：存儲器等離子體半導(dǎo)體封裝 1.7k 0

什么是線刻蝕干法線刻蝕的常見形貌介紹

刻蝕過程中形成幾乎完全垂直于晶圓表面的側(cè)壁，是一種各向異性的刻蝕。刻蝕后的側(cè)壁非常垂直，底部平坦。這是理想的刻蝕形態(tài)，它能夠非常精確地復(fù)制掩膜上的圖案。

2024-03-27 標簽：晶圓刻蝕 1.7k 0

半導(dǎo)體制造之離子工藝

其中，AB是分子，而A和B是由分解碰撞產(chǎn)生的自由基，自由基至少帶有一個不成對的電子, 因此并不穩(wěn)定。自由基在化學(xué)上非?；钴S，能奪取其他原子或分子的電子形...

2022-11-28 標簽：等離子體工藝 CVD 1.7k 0

集成電路制造中薄膜刻蝕的概念和工藝流程

薄膜刻蝕與薄膜淀積是集成電路制造中功能相反的核心工藝：若將薄膜淀積視為 “加法工藝”（通過材料堆積形成薄膜），則薄膜刻蝕可稱為 “減法工藝”（通過材料去...

2025-10-16 標簽：集成電路工藝刻蝕 1.6k 0

干法蝕刻異向機制的原理解析

無偏差的刻蝕過程，我們稱之為各向異性刻蝕。為了更清晰地理解這一過程，我們可以將其拆解為幾個基本環(huán)節(jié)。首先，第一個環(huán)節(jié)是刻蝕氣體的處理，這些氣體在等離子體...

2024-12-17 標簽：晶圓刻蝕 1.6k 0

微機械中的各向異性蝕刻技術(shù)與發(fā)展方向

單晶S1，作為IC、LSI的電子材料，用于微小機械部件的材料，也就是說，作為結(jié)構(gòu)材料的新用途已經(jīng)開發(fā)出來了。其理由是，除了單晶SI或機械性強之外，...

2022-03-29 標簽：晶圓單晶硅刻蝕 1.6k 0

通過化學(xué)濕法刻蝕工藝制備氮化鎵基發(fā)光二極管

最近，氮化鎵基藍色、綠色和紫外線發(fā)光二極管取得了巨大進展。這些氮化物基發(fā)光二極管也有可能用于固態(tài)照明。然而，為了實現(xiàn)固態(tài)照明，需要進一步提高這些發(fā)光二極...

2022-04-12 標簽：工藝發(fā)光二極管刻蝕 1.6k 0

淺談刻蝕的終點控制

當?shù)入x子體轉(zhuǎn)變到這種狀態(tài)時，電子密度處于最低水平。一般來說，等離子體密度下降的水平取決于占空比和脈沖頻率。通過調(diào)整脈沖的占空比，可以將時間平均離子能量分...

2024-04-09 標簽：集成電路等離子體芯片制造 1.5k 0

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