刻蝕

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刻蝕，英文為Etch，它是半導(dǎo)體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當(dāng)重要的步驟。是與光刻［1］相聯(lián)系的圖形化（pattern）處理的一種主要工藝。所謂刻蝕，實(shí)際上狹義理解就是光刻腐蝕，先通過光刻將光刻膠進(jìn)行光刻曝光處理，然后通過其它方式實(shí)現(xiàn)腐蝕處理掉所需除去的部分。

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刻蝕技術(shù)

偉大的工程之芯片制造

縱觀整個(gè)制造業(yè)，芯片的制造流程可以說是最復(fù)雜的之一，這項(xiàng)點(diǎn)石成金術(shù)可分為八個(gè)大步驟，如下圖所示，這些步驟又可細(xì)分為上百道工序。

2022-11-11 標(biāo)簽：晶圓芯片制造刻蝕 3.2k 0

揭秘半導(dǎo)體制造全流程（中篇）

本期，我們將繼續(xù)探索半導(dǎo)體制造過程中的兩大關(guān)鍵步驟：刻蝕和薄膜沉積。

2022-08-01 標(biāo)簽：晶圓半導(dǎo)體制造刻蝕 5.8k 0

揭秘半導(dǎo)體制造全流程（下篇）

在今天的推文中，我們將繼續(xù)介紹最后三個(gè)步驟：互連、測試和封裝，以完成半導(dǎo)體芯片的制造。

2022-08-01 標(biāo)簽：晶圓半導(dǎo)體制造刻蝕 4.5k 0

污染和清洗順序?qū)A性紋理化的影響

本文介紹了我們?nèi)A林科納研究了污染和清洗順序?qū)A性紋理化的影響。硅表面專門暴露在有機(jī)和金屬污染中，以研究它們對(duì)堿性紋理化過程的影響，由此可見，無機(jī)污染對(duì)金...

2022-05-18 標(biāo)簽：晶片清洗刻蝕 1k 0

詳解化學(xué)鎳沉積技術(shù)的沉積過程

本文報(bào)道了這種化學(xué)鎳的形成，包括在100pm以下的模具,通過掃描電鏡檢查，研究了各種預(yù)處理刻蝕過程和鋅酸鹽活化對(duì)最終化學(xué)鎳碰撞質(zhì)量的影響，以幫助詳細(xì)了解...

2022-05-13 標(biāo)簽：工藝晶片刻蝕 2.1k 0

通過濕法化學(xué)刻蝕制備多孔氧化鋅薄膜

本文用濕化學(xué)腐蝕法制備多孔氧化鋅的研究。通過射頻磁控濺射在擇優(yōu)取向的p型硅上沉積ZnO薄膜。在本工作中使用的蝕刻劑是0.1％和1％硝酸（HNO）溶液，Z...

2022-04-24 標(biāo)簽：薄膜刻蝕 1.8k 0

晶片濕法刻蝕工藝詳解

　　濕式蝕刻過程的原理是利用化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物，選擇性非常高，因?yàn)樗褂玫幕瘜W(xué)物質(zhì)可以非常精確地適應(yīng)于單個(gè)薄膜。對(duì)于大多數(shù)溶液的選擇性大...

2022-04-15 標(biāo)簽：工藝晶片刻蝕 3.4k 0

單晶SiC晶圓加工過程中的低溫濕法蝕刻

硅片在大口徑化的同時(shí)，要求規(guī)格的嚴(yán)格化迅速發(fā)展。特別是由于平坦度要求變得極其嚴(yán)格，因此超精密磨削技術(shù)得以開發(fā)，實(shí)現(xiàn)了無蝕刻化，無拋光化。雖然在單晶SiC...

2022-04-15 標(biāo)簽：晶圓 SiC 刻蝕 2.4k 0

通過化學(xué)濕法刻蝕工藝制備氮化鎵基發(fā)光二極管

最近，氮化鎵基藍(lán)色、綠色和紫外線發(fā)光二極管取得了巨大進(jìn)展。這些氮化物基發(fā)光二極管也有可能用于固態(tài)照明。然而，為了實(shí)現(xiàn)固態(tài)照明，需要進(jìn)一步提高這些發(fā)光二極...

2022-04-12 標(biāo)簽：工藝發(fā)光二極管刻蝕 1.6k 0

硅晶圓蝕刻過程中的流程和化學(xué)反應(yīng)

引言硅晶圓作為硅半導(dǎo)體制造的基礎(chǔ)材料，是極其重要的，將作為鑄錠成長的硅單晶加工成晶圓階段的切斷、研磨、研磨中，晶圓表面會(huì)產(chǎn)生加工變質(zhì)層。為了去除該加工...

2022-04-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體硅晶圓刻蝕 2.7k 0

濕式蝕刻過程的原理是什么

濕式蝕刻過程的原理是利用化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物，選擇性非常高，因?yàn)樗褂玫幕瘜W(xué)物質(zhì)可以非常精確地適應(yīng)于單個(gè)薄膜。對(duì)于大多數(shù)溶液的選擇性大于1...

2022-04-07 標(biāo)簽：工藝刻蝕 3.3k 0

采用三種刻蝕方法制備黑硅材料

本文采用飛秒激光蝕刻法、深反應(yīng)離子蝕刻法和金屬催化化學(xué)蝕刻法制備了黑硅，研究發(fā)現(xiàn)，在400~2200nm的波長內(nèi)，光的吸收顯著增強(qiáng)，其中飛秒激光用六氟化...

2022-04-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓刻蝕 3.5k 0

采用濕蝕刻技術(shù)制備黑硅

本文介紹了我們?nèi)A林科納采用氮化硅膜作為掩膜，采用濕蝕刻技術(shù)制備黑硅，樣品在250~1000nm波長下的吸收率接近90%。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，氮化硅膜作為掩模濕...

2022-03-29 標(biāo)簽：測試材料刻蝕 1.3k 0

通過兩步濕法刻蝕法制備黑硅

本研究對(duì)黑硅的形成進(jìn)行了兩步短濕蝕刻處理,所建議的結(jié)構(gòu)包括兩個(gè)步驟。第一步：濕酸性蝕刻凹坑狀形態(tài)，具有降低紋理化溫度的新解決方案；第二步：通過金屬輔助蝕...

2022-03-29 標(biāo)簽：工藝晶片刻蝕 1.4k 0

微機(jī)械中的各向異性蝕刻技術(shù)與發(fā)展方向

單晶S1，作為IC、LSI的電子材料，用于微小機(jī)械部件的材料，也就是說，作為結(jié)構(gòu)材料的新用途已經(jīng)開發(fā)出來了。其理由是，除了單晶SI或機(jī)械性強(qiáng)之外，...

2022-03-29 標(biāo)簽：晶圓單晶硅刻蝕 1.6k 0

一種用非金屬掩模層蝕刻碳化硅的方法

一種用非金屬掩模層蝕刻碳化硅的方法。該方法包括提供碳化硅基底；通過在基底上施加一層材料來形成非金屬掩模層；形成掩模層以暴露基底的底層區(qū)域；并以第一速率用...

2022-03-29 標(biāo)簽：SiC 碳化硅刻蝕 2.1k 0

n型多孔硅刻蝕時(shí)間的效應(yīng)分析

引言硅在歷史上一直是電子產(chǎn)品的主要材料，而光電子領(lǐng)域的工作幾乎完全依賴于GaAs和磷化銦等ⅲ-ⅴ族化合物材料。這種材料系統(tǒng)二分法的主要原因是硅的間接帶...

2022-03-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體刻蝕 4k 0

用于刻蝕多晶硅表面的HF-HNO3-H2SO4/H2O混合物

硅表面常用的HF-HNO3-H2O蝕刻混合物的反應(yīng)行為因?yàn)榱蛩峒尤攵艿斤@著影響。HF (40%)-HNO3 (65%)-H2SO4 (97%)混合物的...

2022-01-13 標(biāo)簽：多晶硅半導(dǎo)體晶圓 4.4k 0

碳化硅在堿性溶液中的陽極刻蝕

引言人們對(duì)用于器件應(yīng)用的碳化硅(SiC)重新產(chǎn)生了濃厚的興趣。它具有良好的晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)，可以作為第三族氮化物外延生長的襯底。在許多應(yīng)用領(lǐng)域，例...

2022-01-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 2.6k 0

二氧化硅玻璃陶瓷刻蝕化學(xué)及HF輔助刻蝕的觀察

關(guān)鍵詞:玻璃陶瓷；氫氟酸；蝕刻條件；蝕刻速率；機(jī)制引言我們江蘇華林科納研究了氧化鎂-氧化鋁-二氧化硅玻璃陶瓷在氫氟酸中的腐蝕條件和機(jī)理。結(jié)果表明，在...

2022-01-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓刻蝕 3k 0

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。

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