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標(biāo)簽 > 刻蝕

刻蝕

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刻蝕,英文為Etch,它是半導(dǎo)體制造工藝,微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當(dāng)重要的步驟。是與光刻 [1] 相聯(lián)系的圖形化(pattern)處理的一種主要工藝。所謂刻蝕,實(shí)際上狹義理解就是光刻腐蝕,先通過光刻將光刻膠進(jìn)行光刻曝光處理,然后通過其它方式實(shí)現(xiàn)腐蝕處理掉所需除去的部分。

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刻蝕資訊

ZnO薄膜的濕法刻蝕研究報(bào)告—華林科納

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摘要 FeCl3·6h2o用于單晶氧化鋅薄膜的濕法蝕刻。該方法對(duì)抑制用酸蝕刻氧化鋅薄膜時(shí)通常觀察到的“W”形蝕刻輪廓有很大的影響。通過觸控筆輪廓儀和掃描...

2022-01-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體刻蝕 866 0

各向異性金剛石刻蝕的研究報(bào)告

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摘要 金剛石具有優(yōu)良的物理和電子性能,因此使用金剛石的各種應(yīng)用正在開發(fā)中。此外,通過蝕刻技術(shù)控制金剛石幾何形狀對(duì)于這類應(yīng)用至關(guān)重要。然而,用于蝕刻其他材...

2022-01-21 標(biāo)簽:半導(dǎo)體刻蝕 1.7k 0

關(guān)于AlN和GaN的刻蝕對(duì)比研究—江蘇華林科納半導(dǎo)體

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引言 AlN、GaN及其合金因其寬帶隙和獨(dú)特的性能被廣泛應(yīng)用于光電子領(lǐng)域,例如基于AlGaN的紫外線發(fā)光二極管(UV-LEDs) ,激光二極管(LD),...

2022-01-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體刻蝕 4.1k 0

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氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術(shù)的堿金屬氫氧化物,是用于微加工硅片的最常用的硅蝕刻化學(xué)物質(zhì)之一。各向異性蝕刻優(yōu)先侵蝕基底。也就是說,它們...

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LiNbO3選擇性刻蝕的研究

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引言 隨著制造技術(shù)的不斷進(jìn)步,特別是基于納米或微米結(jié)構(gòu)的制造,已經(jīng)研究出了具有強(qiáng)光學(xué)限制的各種制造工藝.兩種最廣泛使用的基于擴(kuò)散的制造波導(dǎo)的方法已經(jīng)在超...

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LiNbO3刻蝕速率與晶體取向的關(guān)系

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引言 鈮酸鋰是一種廣泛應(yīng)用于光學(xué)和聲表面波器件的鐵電材料。鈮酸鋰通常不用于微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)應(yīng)用,部分原因是鈮酸鋰的體微加工不如與其他材料的加工那樣...

2021-12-24 標(biāo)簽:半導(dǎo)體刻蝕 1.4k 0

表面增強(qiáng)拉曼散射(SERS)的相關(guān)應(yīng)用研究

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2021-12-03 標(biāo)簽:電磁場(chǎng)刻蝕 4.4k 0

memsstar在MEMS領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力,以及近期取得的進(jìn)展

雖然我們提供的產(chǎn)品是MEMS設(shè)備,但那只是我們技術(shù)和工藝的載體。我們的MEMS設(shè)備中包含的先進(jìn)MEMS工藝經(jīng)驗(yàn)和知識(shí),并且我們團(tuán)隊(duì)還專注于可能在10~1...

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半導(dǎo)體設(shè)備大廠Lam ResearchQ3營(yíng)收創(chuàng)紀(jì)錄 三分之一營(yíng)收來自中國(guó)

4月21日,半導(dǎo)體設(shè)備大廠Lam Research發(fā)布2021第三季度財(cái)報(bào),營(yíng)收創(chuàng)下新高,達(dá)到38.5億美元,高于此前37.2億美元的預(yù)期,達(dá)到單季的最...

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【芯聞精選】八寸晶圓廠狂漲價(jià),硅片單價(jià)突破 1000 美元?jiǎng)?chuàng)十年新高;中微公司刻蝕機(jī)已進(jìn)入國(guó)際客戶5nm產(chǎn)線

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2021-04-08 標(biāo)簽:晶圓物聯(lián)網(wǎng)刻蝕 4.6k 0

詳細(xì)分析碳化硅(SiC)器件制造工藝中的干法刻蝕技術(shù)

詳細(xì)分析碳化硅(SiC)器件制造工藝中的干法刻蝕技術(shù)

摘要:簡(jiǎn)述了在SiC材料半導(dǎo)體器件制造工藝中,對(duì)SiC材料采用干法刻蝕工藝的必要性.總結(jié)了近年來SiC干法刻蝕技術(shù)的工藝發(fā)展?fàn)顩r. 半導(dǎo)體器件已廣泛應(yīng)用...

2020-12-30 標(biāo)簽:碳化硅刻蝕 1.0萬 0

基于ICP的金屬鈦深刻蝕,它的實(shí)驗(yàn)流程是怎樣的

摘要:MEMS應(yīng)用領(lǐng)域的擴(kuò)展要求開發(fā)硅材料之外其他新型材料的三維微細(xì)加工技術(shù).為此,對(duì)金屬鈦這一新型MEMS體材料的三維加工進(jìn)行了探索.金屬鈦不僅延展性...

2020-12-29 標(biāo)簽:ICP刻蝕 3.8k 0

干法刻蝕之鋁刻蝕的介紹,它的原理是怎樣的

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在集成電路的制造過程中,刻蝕就是利用化學(xué)或物理方法有選擇性地從硅片表面去除不需要的材料的過程。從工藝上區(qū)分,刻蝕可以分為濕法刻蝕和干法刻蝕。前者的主要特...

2020-12-29 標(biāo)簽:集成電路刻蝕 1.1萬 0

半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化機(jī)遇來臨,但半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)還是需要全球合作

目前,國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料與設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化率平均還不到20%,但經(jīng)過15~20多年的技術(shù)積累,以及企業(yè)和國(guó)家的大力投入,半導(dǎo)體材料與設(shè)備在2020年將會(huì)獲得實(shí)質(zhì)...

2020-05-28 標(biāo)簽:光刻機(jī)刻蝕半導(dǎo)體設(shè)備 1.4萬 0

我國(guó)芯片刻蝕機(jī)再獲技術(shù)突破,技術(shù)全球領(lǐng)先

眾所周知,我國(guó)芯片制造技術(shù)與國(guó)際先進(jìn)水平有著不小的差距。芯片制造的關(guān)鍵設(shè)備--光刻機(jī),與國(guó)際領(lǐng)先水平差距更大:世界最先進(jìn)水平已經(jīng)到了5nm水平,而我國(guó)才...

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隨著MEMS研究的深入,電化學(xué)刻蝕研究顯得越來越重要

長(zhǎng)期以來 ,微加工研究主要是針對(duì)微電子工業(yè)的應(yīng)用而開展的 ,其加工對(duì)象大都是半導(dǎo)體材料 ,如對(duì) Si、Ge、GaAs 及各種金屬氧化物膜等材料的刻蝕 ,...

2020-04-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體刻蝕 6.3k 0

半導(dǎo)體先進(jìn)制程加速,國(guó)內(nèi)刻蝕設(shè)備有望突破國(guó)際壟斷

在芯片制造中,“光刻”和“刻蝕”是兩個(gè)緊密相連的步驟,也是非常關(guān)鍵的步驟?!肮饪獭本拖喈?dāng)于用投影的方式把電路圖“畫”在晶圓上。注意,這個(gè)時(shí)候,電路圖其實(shí)...

2020-04-14 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體刻蝕 2.7k 0

泛林發(fā)布半導(dǎo)體刻蝕技術(shù)解決方案

近日,泛林集團(tuán)發(fā)布了革新性的等離子刻蝕技術(shù)及系統(tǒng)解決方案Sense.i? 平臺(tái),旨在為芯片制造商提供先進(jìn)的功能和可擴(kuò)展性,以滿足未來的創(chuàng)新需求。

2020-03-12 標(biāo)簽:半導(dǎo)體刻蝕 3.3k 0

泛林集團(tuán)發(fā)布了一項(xiàng)等離子刻蝕技術(shù)及系統(tǒng)解決方案

近日,泛林集團(tuán)發(fā)布了一項(xiàng)革新性的等離子刻蝕技術(shù)及系統(tǒng)解決方案,旨在為芯片制造商提供先進(jìn)的功能和可擴(kuò)展性,以滿足未來的創(chuàng)新需求。泛林集團(tuán)開創(chuàng)性的Sense...

2020-03-10 標(biāo)簽:智能設(shè)備刻蝕泛林集團(tuán) 2.7k 0

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