功率半導(dǎo)體晶圓級封裝的發(fā)展趨勢

在功率半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，晶圓級芯片規(guī)模封裝技術(shù)正引領(lǐng)著分立功率器件向更高集成度、更低損耗及更優(yōu)熱性能方向演進。

2025-10-21 標簽：MOSFET封裝功率半導(dǎo)體 1.1k 0

BM2P060MF-Z DC-DC轉(zhuǎn)換器文檔介紹

BM2P060MF-Z是一款A(yù)C-DC用PWM方式DC-DC轉(zhuǎn)換器，可為帶插座的各種產(chǎn)品提供理想的系統(tǒng)。本IC支持隔離式電源，使用本產(chǎn)品可輕松設(shè)計各種形...

2025-10-05 標簽：DC-DC轉(zhuǎn)換器低功耗功率半導(dǎo)體 1k 0

一文讀懂功率半導(dǎo)體DESAT保護的來龍去脈

以下完整內(nèi)容發(fā)表在「SysPro電力電子技術(shù)」知識星球-關(guān)于功率電子系統(tǒng)Desat保護的解析-「SysPro電力電子」知識星球節(jié)選-原創(chuàng)文章，非授權(quán)不得...

2025-09-17 標簽：MOSFET功率半導(dǎo)體DESAT 427 0

上海貝嶺IGBT與MOSFET高效能功率器件產(chǎn)品介紹

在工業(yè)自動化、新能源應(yīng)用和高效電源系統(tǒng)蓬勃發(fā)展的今天，對功率半導(dǎo)體器件的性能、效率和可靠性提出了前所未有的高要求。上海貝嶺作為國內(nèi)領(lǐng)先的模擬及功率半導(dǎo)體...

2025-09-16 標簽：MOSFETIGBT功率器件 1.3k 0

SiC碳化硅MOSFET功率半導(dǎo)體熱設(shè)計深度分析報告

1. 引言：功率半導(dǎo)體熱管理的重要性與SiC技術(shù)的崛起 1.1 功率器件熱管理在電力電子中的核心地位 在現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中，功率半導(dǎo)體器件的熱管理已超越...

2025-09-15 標簽：MOSFET熱阻功率半導(dǎo)體 784 0

6AB0460T12-NR01六通道IGBT驅(qū)動器深度技術(shù)與應(yīng)用解讀

面向儲能系統(tǒng)的高可靠性驅(qū)動革新——6AB0460T12-NR01六通道IGBT驅(qū)動器深度技術(shù)與應(yīng)用解讀 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于...

2025-09-14 標簽：新能源汽車連接器功率半導(dǎo)體 689 0

一文讀懂電控系統(tǒng)核心——功率半導(dǎo)體IGBT模塊

前言功率半導(dǎo)體器件作為現(xiàn)代電子技術(shù)不可或缺的一部分，在電力轉(zhuǎn)換和控制中起著核心作用。而IGBT模塊作為其中一個極其高效、聽話且力量巨大的”電能開關(guān)“被廣...

2025-09-10 標簽：IGBT電控系統(tǒng)功率半導(dǎo)體 1.9k 0

散熱底板對 IGBT 模塊功率循環(huán)老化壽命的影響

摘要：功率半導(dǎo)體模塊通常采用減小結(jié)殼熱阻的方式來降低工作結(jié)溫，集成Pin-Fin基板代替平板基板是一種有效選擇。兩種封裝結(jié)構(gòu)的熱阻抗特性不同，可能對其失...

2025-09-09 標簽：IGBT散熱功率半導(dǎo)體 1.7k 0

浮思特 | IGBT 和 MOSFET 有啥區(qū)別?一文說清!

在做電力電子設(shè)計的朋友，經(jīng)常會遇到一個選擇題：IGBT和MOSFET，到底該用哪個?這兩個器件都是“功率半導(dǎo)體”的代表選手，常出現(xiàn)在變頻器、充電樁、電動...

2025-08-26 標簽：MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 1.7k 0

一文了解功率半導(dǎo)體的可靠性測試

功率半導(dǎo)體概述功率半導(dǎo)體是一種特殊的半導(dǎo)體器件，它們在電力系統(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色。這些器件能夠高效地控制和調(diào)節(jié)電力的流動，包括電壓和頻率的轉(zhuǎn)換，以及...

2025-08-25 標簽：功率半導(dǎo)體可靠性測試功率循環(huán) 404 0

泰克科技寬禁帶功率半導(dǎo)體雙脈沖測試解決方案

采用碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) MOSFET 器件構(gòu)建的新型功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計，需要精心的設(shè)計和測試以優(yōu)化性能。

2025-08-25 標簽：示波器泰克功率半導(dǎo)體 969 0

材料電壓電流動態(tài)特性測試解決方案

在新能源電池、功率半導(dǎo)體、柔性電子等前沿應(yīng)用場景中，材料常被置于快速脈沖、電壓尖峰或大電流沖擊的復(fù)雜工況下，其導(dǎo)電路徑、發(fā)熱行為乃至失效機理都會隨瞬態(tài)電...

2025-08-05 標簽：數(shù)據(jù)采集功率半導(dǎo)體動態(tài)特性 495 0

RIGOL功率半導(dǎo)體動態(tài)性能測試解決方案

功率變換器是電能利用的重要裝置，其性能主要取決于其核心—功率半導(dǎo)體器件，常見類型有 MOSFET、IGBT 和二極管。傳統(tǒng) Si 器件已逼近材料極限，成...

2025-07-29 標簽：MOSFETSiC功率半導(dǎo)體 2k 0

浮思特 | 一文讀懂何為超結(jié)MOSFET (Super Junction MOSFET)?

在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，突破硅材料的物理極限一直是工程師們的終極挑戰(zhàn)。隨著電力電子設(shè)備向高壓、高效方向快速發(fā)展，傳統(tǒng)MOSFET結(jié)構(gòu)已逐漸觸及性能天花板。本文...

2025-06-25 標簽：MOSFET功率半導(dǎo)體超結(jié)器件 925 0

半導(dǎo)體中載流子的運動

半導(dǎo)體中電子和空穴運動方式有很多種，比如熱運動引起的布朗運動、電場作用下的漂移運動和由濃度梯度引起的擴散運動等等。它們都對半導(dǎo)體的導(dǎo)電性造成不同的影響，...

2025-06-23 標簽：電流功率半導(dǎo)體載流子 1.3k 0

羅姆新SPICE模型助力優(yōu)化功率半導(dǎo)體性能

在SiC（碳化硅）等功率半導(dǎo)體的電氣仿真中，以往的行為模型存在收斂性差、仿真速度慢的問題。但是，這次開發(fā)并發(fā)布了提高仿真速度的新模型。

2025-06-23 標簽：SPICE功率半導(dǎo)體碳化硅 767 0

碳化硅在多種應(yīng)用場景中的影響

對碳化硅技術(shù)進行商業(yè)化應(yīng)用時，需要持續(xù)關(guān)注材料缺陷、器件可靠性和相關(guān)封裝技術(shù)。本文還將向研究人員和專業(yè)人士介紹一些實用知識，幫助了解碳化硅如何為功率半導(dǎo)...

2025-06-13 標簽：晶體管SiC功率半導(dǎo)體 973 0

功率器件電鍍的原理和步驟

在功率半導(dǎo)體制程里，電鍍扮演著舉足輕重的角色，從芯片前端制程到后端封裝，均離不開這一關(guān)鍵工序。目前，我國中高檔功率器件在晶圓背面金屬化方面存在技術(shù)短板，...

2025-06-09 標簽：晶圓電鍍功率器件 1.6k 0

泰克科技功率器件雙脈沖測試解決方案

在當今快速發(fā)展的電力電子技術(shù)領(lǐng)域，功率半導(dǎo)體器件的性能優(yōu)化至關(guān)重要。雙脈沖測試（DPT）作為一種關(guān)鍵的測試方法，為功率器件的動態(tài)行為評估提供了精準的手段...

2025-06-05 標簽：轉(zhuǎn)換器功率器件功率半導(dǎo)體 826 0