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標(biāo)簽 > 功率半導(dǎo)體
功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件,是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ),也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。
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柵極驅(qū)動(dòng)器是一種功率放大器,它接受來自控制器IC的低功耗輸入,并為功率器件產(chǎn)生適當(dāng)?shù)母唠娏鳀艠O驅(qū)動(dòng)。隨著對(duì)電力電子器件的要求不斷提高,柵極驅(qū)動(dòng)器電路的設(shè)...
IGBT功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試解決方案
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是電力控制和電力轉(zhuǎn)換的核心器件,是由BJT(雙極型晶體管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體...
GT30J65MRB東芝分立IGBT將大幅提高空調(diào)和工業(yè)設(shè)備的效率
GT30J65MRB用于空調(diào)和工業(yè)設(shè)備大型電源的功率因數(shù)校正(PFC)電路[1]的650V分立IGBT。 功率半導(dǎo)體器件經(jīng)過業(yè)界驗(yàn)證,對(duì)于節(jié)能工作意義重...
二極管是最簡(jiǎn)單的功率器件,只允許電流在一個(gè)斱向上流動(dòng) 。二極管的作用相當(dāng)于電流的開關(guān), 常用作整流器,將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào),廣泛應(yīng)用于功率轉(zhuǎn)換 ,無...
IGBT主要參數(shù)與應(yīng)用特點(diǎn)
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種雙極性功率半導(dǎo)體器件,由BJT(雙極型三極管)和MOS管復(fù)合而成,兼...
2023-02-26 標(biāo)簽:MOS管IGBT功率半導(dǎo)體 1.4萬(wàn) 0
【導(dǎo)讀】與大多數(shù)功率半導(dǎo)體相比,IGBT 通常需要更復(fù)雜的一組計(jì)算來確定芯片溫度。 這是因?yàn)榇蠖鄶?shù) IGBT 都采用一體式封裝,同一封裝中同時(shí)包含 IG...
按照器件的導(dǎo)通類型分類:功率半導(dǎo)體分立器件可以分為開關(guān)型和線性型兩類。開關(guān)型器件通常用于電源開關(guān)、電機(jī)控制等領(lǐng)域,能夠?qū)崿F(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換;線性型器件則適...
2023-02-24 標(biāo)簽:電流分立器件功率半導(dǎo)體 1.6k 0
功率半導(dǎo)體大致可分為功率半導(dǎo)體分立器件(Power Discrete,包括功率模塊)和功率半導(dǎo)體集成電路(Power IC)兩大類,在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的結(jié)構(gòu)...
2023-02-24 標(biāo)簽:集成電路分立器件功率半導(dǎo)體 7.1k 0
功率半導(dǎo)體分立器件的主要工藝流程包括:在硅圓片上加工芯片(主要流程為薄膜制造、曝光和刻蝕),進(jìn)行芯片封裝,對(duì)加工完畢的芯片進(jìn)行技術(shù)性能指標(biāo)測(cè)試,其中主要...
2023-02-24 標(biāo)簽:芯片分立器件功率半導(dǎo)體 5.8k 0
功率半導(dǎo)體二極管,簡(jiǎn)稱為功率二極管,與其較小的結(jié)構(gòu)信號(hào)二極管相比具有更大的PN結(jié)面積,從而實(shí)現(xiàn)高達(dá)數(shù)百安培(KA)的高正向電流能力和高達(dá)數(shù)百安培的反...
IGBT功率半導(dǎo)體的主要引用領(lǐng)域有哪些?
可控硅:能夠被低功率的控制信號(hào)打開,但只能由主電路(功率電路)自身來關(guān)斷而不能被控制信號(hào)關(guān)斷,因此又被稱為半可控開關(guān)。
2023-02-23 標(biāo)簽:變壓器IGBT功率半導(dǎo)體 5.2k 0
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管...
2023-02-22 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 1.0萬(wàn) 0
功率半導(dǎo)體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心,主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等,是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心。功率半導(dǎo)體器件種...
2023-02-22 標(biāo)簽:功率模塊功率半導(dǎo)體電路控制 2k 0
IGBT功率半導(dǎo)體的主要應(yīng)用領(lǐng)域有哪些?
IGBT模塊可以分為低壓(600V以下),中壓(600V-1200V)和壓(1200V-6700V),IGBT主要用于變頻器逆變和其他逆變電路。將直流電...
2023-02-22 標(biāo)簽:變頻器IGBT功率半導(dǎo)體 2.3k 0
在功率器件中,IGBT模塊備受各行業(yè)青睞,甚至還入選了我國(guó)重大科技專項(xiàng)重點(diǎn)扶持項(xiàng)目。它兼具M(jìn)OSFET(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)及BJT(雙極型三極管)兩類器...
2023-02-22 標(biāo)簽:模塊IGBT功率半導(dǎo)體 1.6k 0
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)模塊是一種功率半導(dǎo)體器件,它是由多個(gè)IGBT芯片、反并聯(lián)二極管、驅(qū)動(dòng)電路、...
2023-02-20 標(biāo)簽:模塊IGBT功率半導(dǎo)體 8.1k 0
超大功率晶閘管(Ultra-large Power Thyristor,簡(jiǎn)稱ULTRA-T)是一種用于高電壓、高電流場(chǎng)合的功率半導(dǎo)體器件,通常應(yīng)用于工...
2023-02-20 標(biāo)簽:晶閘管高電壓功率半導(dǎo)體 3.1k 0
開關(guān)電源是采用功率半導(dǎo)體器件作為開關(guān)元件,通過周期性通斷開關(guān),控制開關(guān)元件的占空比來調(diào)整輸出電壓。開關(guān)電源的工作原理,簡(jiǎn)單的說是將交流電先整流成直流電,...
2023-02-20 標(biāo)簽:開關(guān)電源交流電功率半導(dǎo)體 8.8k 0
功率半導(dǎo)體是一類能夠控制和調(diào)節(jié)大電流和高電壓的半導(dǎo)體器件。它可以將小信號(hào)控制電流或電壓轉(zhuǎn)換成大信號(hào)輸出,廣泛應(yīng)用于電力電子、工業(yè)自動(dòng)化、交通運(yùn)輸、新能源...
2023-02-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件功率半導(dǎo)體 2.8k 0
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