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功率半導(dǎo)體

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功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件，是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ)，也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。

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功率半導(dǎo)體技術(shù)

功率半導(dǎo)體是指用于高電壓、高電流應(yīng)用的半導(dǎo)體器件，其功能包括但不限于以下幾個(gè)方面：開關(guān)控制：功率半導(dǎo)體器件常常用于開關(guān)控制電路中，通過控制其導(dǎo)通和截止...

2023-02-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件功率半導(dǎo)體 2.8k 0

氮化鎵技術(shù)是誰突破的技術(shù)

氮化鎵技術(shù)是誰突破的技術(shù) 作為支撐“新基建”建設(shè)的關(guān)鍵核心器件，氮化鎵應(yīng)用范圍非常廣泛，氮化鎵在數(shù)據(jù)中心，新能源汽車等領(lǐng)域都有運(yùn)用。那么這么牛的氮化鎵技...

2023-02-16 標(biāo)簽：晶體氮化鎵 GaN 5.5k 0

什么是氮化鎵技術(shù)指標(biāo)體系分解

小編在這里給大家分享一下什么是氮化鎵技術(shù)指標(biāo)？什么是氮化鎵技術(shù)指標(biāo)體系？以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體，具有高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、...

2023-02-16 標(biāo)簽：SiC 氮化鎵 GaN 2.8k 0

功率半導(dǎo)體類型及特點(diǎn)

功率半導(dǎo)體的類型有多種，其中最常用的是MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）、IGBT（可控硅晶體管）和SCR（可控整流器）。MOSFET是一種可...

2023-02-15 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 功率半導(dǎo)體 1.8k 0

一文詳解功率半導(dǎo)體的封裝

不同包裝方法：電流范圍從幾安培到卡，電壓范圍從100 V到幾千伏。

2023-02-14 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體 1k 0

淺談各種SiC IGBT器件的制作過程與相關(guān)性能

通常來講，全控型半導(dǎo)體器件可以依照其導(dǎo)通狀態(tài)下的載流子類型分為單極型半導(dǎo)體器件和雙極型半導(dǎo)體器件，在每一類中又可以分為電流控制型和電壓控制型。

2023-02-13 標(biāo)簽：IGBT SiC 功率半導(dǎo)體 2.8k 0

為何碳化硅比氮化鎵更早用于耐高壓應(yīng)用？

僅從物理特性來看，氮化鎵比碳化硅更適合做功率半導(dǎo)體的材料。研究人員還將碳化硅與氮化鎵的“Baliga特性指標(biāo)（與硅相比，硅是1）相比，4H-SiC是50...

2023-02-10 標(biāo)簽：氮化鎵功率半導(dǎo)體 2.7k 0

功率器件的應(yīng)用場景及制造流程

　　功率半導(dǎo)體是電能轉(zhuǎn)換的載體，22 年全球功率器件市場約為281億美元，2022- 25年CAGR 8.2%。功率半導(dǎo)體是功率器件與電源管理IC的集合...

2023-02-09 標(biāo)簽：二極管 MOSFET IGBT 757 0

多種功率半導(dǎo)體在不同領(lǐng)域具有的優(yōu)勢

　　功率半導(dǎo)體器件是電力電子電路的重要組成部分，理想的功率半導(dǎo)體器件應(yīng)具有良好的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性，在截止?fàn)顟B(tài)下能夠承受高電壓和小泄漏電流。在接通狀態(tài)下，可...

2023-02-08 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 功率半導(dǎo)體 1.4k 0

氮化鎵半導(dǎo)體器件驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)

氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體技術(shù)和模塊式設(shè)計(jì)的進(jìn)步，使得微波頻率的高功率連續(xù)波(CW)和脈沖放大器成為可能。

2023-02-08 標(biāo)簽：氮化鎵功率半導(dǎo)體脈沖放大器 864 0

碳化硅二極管的應(yīng)用及作用

　　碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，與傳統(tǒng)的硅基器件相比，具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶(3.26eV)、高臨界場(3×106V/cm)和高導(dǎo)熱系數(shù)(...

2023-02-07 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體功率器件 2.2k 0

什么是功率半導(dǎo)體？

功率半導(dǎo)體包括兩部分：功率器件和功率IC，功率器件是功率半導(dǎo)體分立器件的分支，而功率IC則是將功率半導(dǎo)體分立器件與各種功能的外圍電路集成而得來。

2023-02-06 標(biāo)簽：功率器件功率半導(dǎo)體功率IC 4.6k 0

功率器件的功率密度

功率半導(dǎo)體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度是功率半導(dǎo)體重要的設(shè)計(jì)目標(biāo)。

2023-02-06 標(biāo)簽：器件功率半導(dǎo)體功率密度 3.2k 0

功率半導(dǎo)體的概述

功率半導(dǎo)體又稱作電力半導(dǎo)體，是用來對電能進(jìn)行轉(zhuǎn)換，對電路進(jìn)行控制，改變電力變換裝置中的電壓或電流的波形?幅值?相位?頻率等參數(shù)的一種半導(dǎo)體器件。

2023-02-06 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件電力半導(dǎo)體 5.4k 0

功率半導(dǎo)體分析

功率半導(dǎo)體是對功率進(jìn)行變頻、變壓、變流、功率放大及管理的半導(dǎo)體器件，不但實(shí)施電能的存儲(chǔ)、傳輸、處理和控制，保障電能安全、可靠、高效和經(jīng)濟(jì)的運(yùn)行，而且將能...

2023-02-06 標(biāo)簽：功率功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件 2.2k 0

功率半導(dǎo)體器件IGBT結(jié)溫測試方法

功率循環(huán)試驗(yàn)中最重要的是準(zhǔn)確在線測量結(jié)溫，直接影響試驗(yàn)結(jié)果和結(jié)論。比較總結(jié)了各種溫度測量方法的一致性、線性、靈敏度、難度和物理意義?；谕☉B(tài)特性的電學(xué)參...

2023-02-06 標(biāo)簽：IGBT 功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件 2.6k 0

淺析氮化鎵技術(shù)原理及技術(shù)突破路線

　通過種種信息，我們應(yīng)該都能發(fā)現(xiàn)，氮化鎵充電器目前已經(jīng)快要與普通充電器市場持平，而且，氮化鎵充電器是近幾年新開發(fā)出來的，從剛開始出現(xiàn)的30W到現(xiàn)在的14...

2023-02-03 標(biāo)簽：充電器氮化鎵 GaN 1.1萬 0

簡述碳化硅材料特點(diǎn)及優(yōu)勢

碳化硅作為寬禁帶半導(dǎo)體的代表性材料之一，其材料本征特性與硅材料相比具有諸多優(yōu)勢。以現(xiàn)階段最適合用于做功率半導(dǎo)體的4H型碳化硅材料為例，其禁帶寬度是硅材料...

2023-02-03 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體硅材料碳化硅 3.4k 0

簡單說一下功率半導(dǎo)體的特色

『集成電路IC』，指采用半導(dǎo)體制備工藝，把一個(gè)電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，制作在一小塊晶片上，然后封裝好，成為具有一定功能...

2023-02-03 標(biāo)簽：集成電路 IGBT 功率半導(dǎo)體 936 0

到底什么是功率半導(dǎo)體？

功率半導(dǎo)體的功能主要是對電能進(jìn)行轉(zhuǎn)換，對電路進(jìn)行控制，改變電子裝置中的電壓和頻率，直流或交流等，均具有處理高電壓，大電流的能力。

2023-02-03 標(biāo)簽：大電流 IGBT 功率半導(dǎo)體 4.3k 0

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場帶來的能源。
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DC/DC表示的是將某一電壓等級的直流電源變換其他電壓等級直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號對模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費(fèi)者對共享充電寶的價(jià)格變得越來越敏感。
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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級、中國社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日報(bào)《中國經(jīng)濟(jì)周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
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功率半導(dǎo)體

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