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功率半導(dǎo)體

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功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件，是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ)，也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。

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功率半導(dǎo)體技術(shù)

BM2P060MF-Z DC-DC轉(zhuǎn)換器文檔介紹

BM2P060MF-Z是一款A(yù)C-DC用PWM方式DC-DC轉(zhuǎn)換器，可為帶插座的各種產(chǎn)品提供理想的系統(tǒng)。本IC支持隔離式電源，使用本產(chǎn)品可輕松設(shè)計(jì)各種形...

2025-10-05 標(biāo)簽：DC-DC轉(zhuǎn)換器低功耗功率半導(dǎo)體 1k 0

泰克科技寬禁帶功率半導(dǎo)體雙脈沖測(cè)試解決方案

采用碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) MOSFET 器件構(gòu)建的新型功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)，需要精心的設(shè)計(jì)和測(cè)試以優(yōu)化性能。

2025-08-25 標(biāo)簽：示波器泰克功率半導(dǎo)體 1k 0

一文詳解功率半導(dǎo)體的封裝

不同包裝方法：電流范圍從幾安培到卡，電壓范圍從100 V到幾千伏。

2023-02-14 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體 1k 0

碳化硅在多種應(yīng)用場(chǎng)景中的影響

對(duì)碳化硅技術(shù)進(jìn)行商業(yè)化應(yīng)用時(shí)，需要持續(xù)關(guān)注材料缺陷、器件可靠性和相關(guān)封裝技術(shù)。本文還將向研究人員和專業(yè)人士介紹一些實(shí)用知識(shí)，幫助了解碳化硅如何為功率半導(dǎo)...

2025-06-13 標(biāo)簽：晶體管 SiC 功率半導(dǎo)體 986 0

浮思特 | 一文讀懂何為超結(jié)MOSFET (Super Junction MOSFET)?

在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，突破硅材料的物理極限一直是工程師們的終極挑戰(zhàn)。隨著電力電子設(shè)備向高壓、高效方向快速發(fā)展，傳統(tǒng)MOSFET結(jié)構(gòu)已逐漸觸及性能天花板。本文...

2025-06-25 標(biāo)簽：MOSFET 功率半導(dǎo)體超結(jié)器件 964 0

IGBT器件的防靜電注意事項(xiàng)

IGBT作為功率半導(dǎo)體器件，對(duì)靜電極為敏感。我將從其靜電敏感性原理入手，詳細(xì)闡述使用過(guò)程中防靜電的具體注意事項(xiàng)與防護(hù)措施，確保其安全穩(wěn)定運(yùn)行。

2025-05-15 標(biāo)簽：IGBT 防靜電功率半導(dǎo)體 961 0

開(kāi)關(guān)電源PCB板的電磁兼容性研究

　隨著功率半導(dǎo)體器件性能的提高和開(kāi)關(guān)變換技術(shù)的革新，電力電子技術(shù)已經(jīng)廣泛地應(yīng)用到了各式各樣的電源設(shè)備中。目前，開(kāi)關(guān)電源的產(chǎn)品越來(lái)越趨向于小型、高速和高密...

2023-11-09 標(biāo)簽：電磁兼容功率半導(dǎo)體電源設(shè)備 941 0

簡(jiǎn)單說(shuō)一下功率半導(dǎo)體的特色

『集成電路IC』，指采用半導(dǎo)體制備工藝，把一個(gè)電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，制作在一小塊晶片上，然后封裝好，成為具有一定功能...

2023-02-03 標(biāo)簽：集成電路 IGBT 功率半導(dǎo)體 937 0

概述安森美M 1 1200 V SiC MOSFET的關(guān)鍵特性及驅(qū)動(dòng)條件

SiC MOSFET 在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)中正迅速普及，因?yàn)樗畛醯囊恍┛煽啃詥?wèn)題已得到解決，并且價(jià)位已達(dá)到非常有吸引力的水平。

2023-06-16 標(biāo)簽：MOSFET SiC 功率半導(dǎo)體 919 0

合科泰MOS管在開(kāi)關(guān)電源中的應(yīng)用

隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展和環(huán)保意識(shí)的增強(qiáng)，高效、節(jié)能的電源系統(tǒng)成為市場(chǎng)的主流需求。開(kāi)關(guān)電源以其高效率、小體積等優(yōu)點(diǎn)在眾多領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。而MOS管作為...

2025-03-24 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電源 MOS管功率半導(dǎo)體 919 0

功率半導(dǎo)體讓生活更美好

2024-09-20 標(biāo)簽：電機(jī)驅(qū)動(dòng)電力電子功率半導(dǎo)體 896 0

驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)（九）——柵極鉗位

驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)是功率半導(dǎo)體應(yīng)用的難點(diǎn)，涉及到功率半導(dǎo)體的動(dòng)態(tài)過(guò)程控制及器件的保護(hù)，實(shí)踐性很強(qiáng)。為了方便實(shí)現(xiàn)可靠的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，英飛凌的驅(qū)動(dòng)集成電路自帶了一些重...

2025-04-07 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)電路功率半導(dǎo)體 887 0

車(chē)規(guī)級(jí)SiC MOSFET制造技術(shù)進(jìn)展

隨著新能源汽車(chē)、光伏、充電樁等應(yīng)用對(duì)系統(tǒng)效率的不斷追求，SiC 功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將迎來(lái)前所未有的增速。

2023-11-07 標(biāo)簽：新能源汽車(chē)SiC 功率半導(dǎo)體 887 0

現(xiàn)代起亞電動(dòng)汽車(chē)ICCU故障分析

EMP平臺(tái)的電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力喪失事件與車(chē)輛的ICC（集成控制充電單元）故障之間存在明顯的關(guān)聯(lián)，ICCU負(fù)責(zé)為HV（高電壓）電池和LV（低電壓）12V電池供電...

2023-08-25 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)MOSFET 晶體管 885 0

氧化鎵有望成為超越SiC和GaN性能的材料

氧化鎵有望成為超越SiC和GaN性能的材料，有望成為下一代功率半導(dǎo)體，日本和海外正在進(jìn)行研究和開(kāi)發(fā)。

2023-04-14 標(biāo)簽：肖特基二極管 SiC GaN 872 0

氮化鎵半導(dǎo)體器件驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)

氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體技術(shù)和模塊式設(shè)計(jì)的進(jìn)步，使得微波頻率的高功率連續(xù)波(CW)和脈沖放大器成為可能。

2023-02-08 標(biāo)簽：氮化鎵功率半導(dǎo)體脈沖放大器 866 0

航裕電源核心產(chǎn)品解析

在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)日趨激烈、供應(yīng)鏈安全備受關(guān)注的背景下，功率半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備領(lǐng)域長(zhǎng)期依賴進(jìn)口的局面正在被打破。航裕電源憑借自主研發(fā)的HY-SMU 300...

2025-04-29 標(biāo)簽：二極管直流電源功率半導(dǎo)體 854 0

泰克科技功率器件雙脈沖測(cè)試解決方案

在當(dāng)今快速發(fā)展的電力電子技術(shù)領(lǐng)域，功率半導(dǎo)體器件的性能優(yōu)化至關(guān)重要。雙脈沖測(cè)試（DPT）作為一種關(guān)鍵的測(cè)試方法，為功率器件的動(dòng)態(tài)行為評(píng)估提供了精準(zhǔn)的手段...

2025-06-05 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器功率器件功率半導(dǎo)體 847 0

SiC碳化硅MOSFET功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)深度分析報(bào)告

1. 引言：功率半導(dǎo)體熱管理的重要性與SiC技術(shù)的崛起 1.1 功率器件熱管理在電力電子中的核心地位在現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中，功率半導(dǎo)體器件的熱管理已超越...

2025-09-15 標(biāo)簽：MOSFET 熱阻功率半導(dǎo)體 822 0

高效率功率變換成為開(kāi)關(guān)電源的主要選擇

開(kāi)關(guān)損耗一直困惑著開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)者，由于功率半導(dǎo)體器件在開(kāi)關(guān)過(guò)程中，器件上同時(shí)存在電流、電壓，因而不可避免地存在開(kāi)關(guān)損耗，如果開(kāi)關(guān)電源中開(kāi)關(guān)管和輸出整流二...

2023-06-24 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電源整流二極管功率半導(dǎo)體 816 0

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快充技術(shù)

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尼吉康

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trinamic

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無(wú)線供電

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無(wú)線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線供電。
寧德時(shí)代

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艾德克斯

艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類(lèi)：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車(chē)的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

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國(guó)際無(wú)線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚(yú)臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
Pebble

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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
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電池系統(tǒng)

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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過(guò)充電和過(guò)放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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手機(jī)快充電主要分為三大類(lèi)：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
USB PD

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PSR

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浪涌抑制器

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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過(guò)交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開(kāi)發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開(kāi)發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
USB-PD

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DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類(lèi)，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類(lèi)。例如車(chē)載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
共享充電寶

共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn)，用戶規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
醫(yī)療電源

醫(yī)療電源

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系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷(xiāo)人物”
LT8705

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