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      標(biāo)簽　>　功率器件

      功率器件

      功率器件

      +關(guān)注42人關(guān)注

      功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業(yè)，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測試，功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

      文章：1910個(gè) 瀏覽：94261次 帖子：51個(gè)

      功率器件技術(shù)

      碳化硅SiC功率器件的技術(shù)特點(diǎn)及其應(yīng)用領(lǐng)域

      碳化硅SiC功率器件的技術(shù)特點(diǎn)及其應(yīng)用領(lǐng)域

      隨著能源轉(zhuǎn)換和輸電技術(shù)的發(fā)展，對高效、高速、高溫工作的半導(dǎo)體器件需求日益增長。

      2024-01-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管功率器件 2k 0

      常見的幾種功率半導(dǎo)體器件

      半導(dǎo)體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件，那么你對半導(dǎo)體有多少了解呢？今天我們就從最基礎(chǔ)的半導(dǎo)體功率器件入手，全面了解半導(dǎo)體的“前世今生”。

      2023-12-14 標(biāo)簽：二極管晶閘管功率器件 1.9k 0

      IGBT和SiC柵極驅(qū)動(dòng)器基礎(chǔ)知識（一）

      大家好，看到TI一篇關(guān)于IGBT和SiC器件柵極驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的文檔，雖然比較基礎(chǔ)，但是概括的比較好，適合電力電子專業(yè)的初學(xué)者，總體內(nèi)容如下。

      2022-11-25 標(biāo)簽：MOSFETIGBT功率器件 1.9k 0

      碳化硅功率器件的優(yōu)勢、應(yīng)用以及未來發(fā)展趨勢介紹

      碳化硅功率器件的優(yōu)勢、應(yīng)用以及未來發(fā)展趨勢介紹

      隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，碳化硅（SiC）作為一種優(yōu)秀的半導(dǎo)體材料，在功率器件領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。

      2024-01-03 標(biāo)簽：逆變器電機(jī)驅(qū)動(dòng)功率器件 1.9k 0

      瞻芯電子全新升級雙通道驅(qū)動(dòng)芯片IVCR2504介紹

      瞻芯電子全新升級雙通道驅(qū)動(dòng)芯片IVCR2504介紹

      近日，瞻芯電子推出了一款全新升級的雙通道驅(qū)動(dòng)芯片IVCR2504，它延續(xù)了經(jīng)典的IVCR240x系列芯片的高速、安全、緊湊的特點(diǎn)，并將拉灌電流峰值由4A...

      2023-11-03 標(biāo)簽：CMOSMOSFET功率器件 1.9k 0

      igbt柵極電阻太小會(huì)怎么樣

      IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率器件，其性能和可靠性在很大程度上取決于柵極電阻的選擇。如果IGBT的柵極電阻過小，可能會(huì)對...

      2024-07-25 標(biāo)簽：IGBT參數(shù)功率器件 1.9k 0

      功率二極管的優(yōu)點(diǎn)以及缺點(diǎn)

      功率二極管作為一種常用的電子元器件，具有以下優(yōu)點(diǎn)： 高速開關(guān)能力：功率二極管具有快速的開關(guān)速度和反向恢復(fù)時(shí)間，能夠在高頻率下進(jìn)行快速的開關(guān)操作，廣泛應(yīng)用...

      2023-02-18 標(biāo)簽：二極管功率二極管功率器件 1.9k 0

      碳化硅(SiC)功率器件的開關(guān)性能比較

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      過去十年，碳化硅(SiC)功率器件因其在功率轉(zhuǎn)換器中的高功率密度和高效率而備受關(guān)注。制造商們已經(jīng)開始采用碳化硅技術(shù)來開發(fā)基于各種半導(dǎo)體器件的功率模塊，如...

      2024-05-30 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 1.9k 0

      功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（四）——功率半導(dǎo)體芯片溫度和測試方法

      功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（四）——功率半導(dǎo)體芯片溫度和測試方法

      功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本...

      2024-11-12 標(biāo)簽：芯片功率器件功率半導(dǎo)體 1.9k 0

      《電動(dòng)汽車電力電子技術(shù)及市場-2023版》

      SiC MOSFET的采用是中期展望的主旋律，將迅速增長并主導(dǎo)市場份額，IDTechEx在報(bào)告中給出了各類器件的應(yīng)用時(shí)間表。雖然經(jīng)過驗(yàn)證的SiC MOS...

      2023-02-23 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車功率器件SiC MOSFET 1.9k 0

      IGBT的應(yīng)用可靠性與失效分析

      IGBT的應(yīng)用可靠性與失效分析

      包括器件固有可靠性和使用可靠性。固有可靠性問題包括安全工作區(qū)、閂鎖效應(yīng)、雪崩耐量、短路能力及功耗等，使用可靠性問題包括并聯(lián)均流、軟關(guān)斷、電磁干擾及散熱等。

      2025-04-25 標(biāo)簽：IGBT晶體管功率器件 1.9k 0

      功率器件晶圓測試及封裝成品測試介紹

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      ???? 本文主要介紹功率器件晶圓測試及封裝成品測試。?????? ? 晶圓測試（CP）???? 如圖所示為典型的碳化硅晶圓和分立器件電學(xué)測試的系統(tǒng)，主...

      2025-01-14 標(biāo)簽：晶圓封裝功率器件 1.9k 0

      雜散電感對碳化硅功率器件動(dòng)態(tài)測試的影響

      雜散電感對碳化硅功率器件動(dòng)態(tài)測試的影響

      電感是導(dǎo)體的一種特性，會(huì)阻礙電流的變化。電感阻礙電流的變化并不會(huì)消耗電能，而是以磁場/電磁感應(yīng)的方式存儲釋放能量，以達(dá)到阻礙電流變化的目的。

      2023-06-30 標(biāo)簽：功率器件動(dòng)態(tài)測試碳化硅 1.9k 0

      雙面散熱IGBT功率器件 | DOH 封裝工藝

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      IGBT全稱為絕緣柵雙極型晶體管，特點(diǎn)是可以使用電壓控制、耐壓高、飽和壓降小、切換速度快、節(jié)能等。功率模塊是電動(dòng)汽車逆變器的核心部件，其封裝技術(shù)對系統(tǒng)性...

      2025-01-11 標(biāo)簽：封裝IGBT功率器件 1.9k 0

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      　手機(jī)、便攜音樂播放器、便攜式游戲機(jī)、筆記本電腦等各種便攜式電子產(chǎn)品存在于我們的日常生活中。這些便攜式電子產(chǎn)品由電池供電，各個(gè)機(jī)器內(nèi)部都裝載著多個(gè)電源電...

      2014-08-01 標(biāo)簽：智能手機(jī)DC/DC功率器件 1.9k 1

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      尤其是在目前功率器件高電壓、大電流和封裝 體積緊湊化的發(fā)展背景下，封裝器件的散熱問題已 變得尤為突出且更具挑戰(zhàn)性。芯片產(chǎn)生的熱量 會(huì)影響載流子遷移率而降...

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      垂直型GaN-on-GaN功率二極管浪涌特性研究

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      近日，中國科大微電子學(xué)院兩篇論文入選第35屆功率半導(dǎo)體器件和集成電路國際會(huì)議（IEEE ISPSD）。IEEE ISPSD是功率半導(dǎo)體器件和集成電路領(lǐng)域...

      2023-06-13 標(biāo)簽：二極管MOSFET半導(dǎo)體 1.9k 0

      碳化硅功率器件封裝關(guān)鍵技術(shù)

      二十多年來，碳化硅(Silicon Carbide，SiC)作為一種寬禁帶功率器件，受到人們越來越多的關(guān)注。與硅相比，碳化硅具有很多優(yōu)點(diǎn)，如：碳化硅的禁...

      2022-11-12 標(biāo)簽：封裝功率器件碳化硅 1.9k 0

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      IGBT 是應(yīng)用最廣泛的可控功率電子開關(guān)，一個(gè)200A 1200V的IGBT4芯片只有指甲大小。你能想象嗎？它可以每個(gè)周期快速關(guān)斷600安培的電流，電流...

      2023-11-27 標(biāo)簽：英飛凌晶圓IGBT 1.8k 0

      IGBT關(guān)鍵特性參數(shù)應(yīng)用實(shí)踐筆記 v3.0

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      以下內(nèi)容發(fā)表在「SysPro系統(tǒng)工程智庫」知識星球-關(guān)于IGBT關(guān)鍵特性參數(shù)應(yīng)用指南v3.0版本-「SysPro|動(dòng)力系統(tǒng)功能解讀」專欄內(nèi)容，全文155...

      2025-08-08 標(biāo)簽：IGBT晶體管功率器件 1.8k 0

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        工業(yè)4.0是由德國政府《德國2020高技術(shù)戰(zhàn)略》中所提出的十大未來項(xiàng)目之一。該項(xiàng)目由德國聯(lián)邦教育局及研究部和聯(lián)邦經(jīng)濟(jì)技術(shù)部聯(lián)合資助，投資預(yù)計(jì)達(dá)2億歐元。旨在提升制造業(yè)的智能化水平，建立具有適應(yīng)性、資源效率及基因工程學(xué)的智慧工廠，在商業(yè)流程及價(jià)值流程中整合客戶及商業(yè)伙伴。
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        ARM架構(gòu)過去稱作進(jìn)階精簡指令集機(jī)器（Advanced RISC Machine，更早稱作：Acorn RISC Machine），是一個(gè)32位精簡指令集（RISC）處理器架構(gòu)，其廣泛地使用在許多嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
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        OpenCL是一個(gè)為異構(gòu)平臺編寫程序的框架，此異構(gòu)平臺可由CPU，GPU或其他類型的處理器組成。OpenCL由一門用于編寫kernels （在OpenCL設(shè)備上運(yùn)行的函數(shù)）的語言（基于C99）和一組用于定義并控制平臺的API組成。
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        Windows CE
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        　Windows Embedded Compact（即 Windows CE）是微軟公司嵌入式、移動(dòng)計(jì)算平臺的基礎(chǔ)，它是一個(gè)開放的、可升級的32位嵌入式操作系統(tǒng)，是基于掌上型電腦類的電子設(shè)備操作系統(tǒng)。
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        JDI
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        JDI（Java Debug Interface）是 JPDA 三層模塊中最高層的接口，定義了調(diào)試器（Debugger）所需要的一些調(diào)試接口?；谶@些接口，調(diào)試器可以及時(shí)地了解目標(biāo)虛擬機(jī)的狀態(tài)，例如查看目標(biāo)虛擬機(jī)上有哪些類和實(shí)例等。
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        　　網(wǎng)絡(luò)文件系統(tǒng)，英文Network File System（NFS），是由SUN公司研制的UNIX表示層協(xié)議（presentation layer protocol），能使使用者訪問網(wǎng)絡(luò)上別處的文件就像在使用自己的計(jì)算機(jī)一樣。
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        麒麟960（kirin 960）是海思半導(dǎo)體有限公司推出的新一代移動(dòng)設(shè)備芯片，麒麟960首次配備ARM Cortex-A73 CPU核心，小核心為A53，組成四大四小的big.LITTLE組合，GPU為Mali G71 MP8。
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