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標簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,傳統(tǒng)的硅基功率器件因其物理特性的限制,已經(jīng)逐漸難以滿足日益增長的高性能、高效率、高可靠性的應(yīng)用需求。在這一背景下,碳化硅(S...
隨著全球能源結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)型和電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,碳化硅(SiC)功率器件作為新一代半導(dǎo)體材料,正逐漸成為電力電子領(lǐng)域的璀璨明星。其獨特的物理和化學(xué)屬性,...
SiC MOSFET(碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)和SiC SBD(碳化硅肖特基勢壘二極管)是兩種基于碳化硅(SiC)材料的功率半導(dǎo)體器件,它們...
SiC(碳化硅)功率器件是一種基于碳化硅材料制造的功率半導(dǎo)體器件,它是繼硅(Si)和氮化鎵(GaN)之后的第三代半導(dǎo)體材料的重要應(yīng)用之一。SiC以其優(yōu)異...
MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是電子工...
2024-10-06 標簽:MOSFET電壓場效應(yīng)晶體管 8.4k 0
CoolGaN和增強型GaN(通常指的是增強型高電子遷移率晶體管,即e-mode HEMT)在概念上有所重疊,但具體來說,它們之間的區(qū)別主要體現(xiàn)在以下幾...
如何通過創(chuàng)新封裝技術(shù)提升功率器件性能
由于對提高功率密度的需求,功率器件、封裝和冷卻技術(shù)面臨獨特的挑戰(zhàn)。在功率轉(zhuǎn)換過程中,高溫和溫度波動限制了設(shè)備的最大功率能力、系統(tǒng)性能和可靠性。本文將總結(jié)...
第一代半導(dǎo)體材料以硅(Si)和鍺(Ge)為代表,它們?yōu)榘雽?dǎo)體行業(yè)奠定了堅實的基礎(chǔ)。隨著技術(shù)的發(fā)展,第二代半導(dǎo)體材料以砷化鎵(GaAs)和銻化銦(InSb...
探究電驅(qū)動系統(tǒng)中碳化硅功率器件封裝的三大核心技術(shù)
在電動汽車、風(fēng)力發(fā)電等電驅(qū)動系統(tǒng)中,碳化硅功率器件以其優(yōu)異的性能逐漸取代了傳統(tǒng)的硅基功率器件。然而,要充分發(fā)揮碳化硅功率器件的優(yōu)勢,其封裝技術(shù)尤為關(guān)鍵。...
2024-08-19 標簽:電感驅(qū)動系統(tǒng)功率器件 940 0
推挽式開關(guān)電源是一種常見的電源拓撲結(jié)構(gòu),廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。在推挽式開關(guān)電源中,MOS管是核心的功率器件之一,其性能直接影響到整個電源系統(tǒng)的穩(wěn)定性...
DTS技術(shù)提高功率模塊可靠性方面發(fā)揮的關(guān)鍵作用
派恩杰半導(dǎo)體,中國第三代半導(dǎo)體功率器件的領(lǐng)先品牌,主營碳化硅MOSFET、碳化硅SBD和氮化鎵HEMT等功率器件產(chǎn)品。在新能源汽車、光伏儲能、白色家電、...
功率半導(dǎo)體器件,特別是絕緣柵雙極型晶體管(IGBT),在新能源、軌道交通、電動汽車、工業(yè)應(yīng)用和家用電器等諸多應(yīng)用中都是不可或缺的核心部件。尤其在新能源電...
PWM變換器驅(qū)動電路是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的技術(shù),它通過調(diào)節(jié)脈沖寬度來控制功率器件的開關(guān)狀態(tài),從而實現(xiàn)對輸出電壓和電流的精確控制。 PWM變換器驅(qū)...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率器件。IGBT的寄生電容是指在IGBT內(nèi)部由于結(jié)構(gòu)原因產(chǎn)生的電容,這些電容會影響IGBT的...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極晶體管)是現(xiàn)代電力電子設(shè)備中常用的功率器件,廣泛應(yīng)用于焊機、變頻...
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