SiC需求增長(zhǎng)快于供應(yīng)（內(nèi)附SiC器件主要供應(yīng)商）

寬禁帶半導(dǎo)體材料越來(lái)越受行業(yè)歡迎。在碳化硅（SiC）正處于大力擴(kuò)張之時(shí)，供應(yīng)商都在努力滿(mǎn)足SiC功率器件和硅片市場(chǎng)的潛在需求。 譬如，Cree計(jì)劃投資高...

2019-07-19 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 1.4萬(wàn) 0

什么是第三代半導(dǎo)體？哪些行業(yè)“渴望”第三代半導(dǎo)體？

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化之路已經(jīng)走了好多年，受困于技術(shù)和成本等因素，市場(chǎng)一直不溫不火。 但今年的市場(chǎng)形勢(shì)明顯不同，各大半導(dǎo)體元器件企業(yè)紛紛加大了新產(chǎn)品的推廣力...

2020-12-08 標(biāo)簽：電子元器件半導(dǎo)體功率器件 1.4萬(wàn) 0

美浦森：我們的碳化硅器件裕量高，產(chǎn)能足

在采訪(fǎng)中朱勇華介紹了美浦森的發(fā)展現(xiàn)狀，以及本次展會(huì)展示的特色產(chǎn)品，他還特別介紹了該公司碳化硅器件的特性。

2019-12-25 標(biāo)簽：MOSFET功率器件碳化硅 1.4萬(wàn) 0

華潤(rùn)微電子SiC二極管量產(chǎn)！覆蓋充電樁、通信、服務(wù)器電源等熱門(mén)領(lǐng)域

近日，華潤(rùn)微電子正式發(fā)布1200V 和650V 工業(yè)級(jí)SiC肖特基二極管系列產(chǎn)品，并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。其碳化硅二極管將主打充電樁、太陽(yáng)能、UPS、通信和服務(wù)器電...

2020-07-21 標(biāo)簽：功率器件華潤(rùn)微電子碳化硅 1.4萬(wàn) 0

IGBT在應(yīng)用中碰到的常見(jiàn)問(wèn)題解決方法

隨著現(xiàn)代電力電子技術(shù)的高頻大功率化的發(fā)展，開(kāi)關(guān)器件在應(yīng)用中潛在的問(wèn)題越來(lái)越凸出，開(kāi)關(guān)過(guò)程引起的電壓、電流過(guò)沖，影響到了逆變器的工作效率和工作可 靠性。為...

2012-12-24 標(biāo)簽：IGBT功率器件 1.4萬(wàn) 0

IGBT與SiC的性能對(duì)比

近幾年來(lái)，電動(dòng)汽車(chē)、電化學(xué)儲(chǔ)能、以及光伏和風(fēng)電等新能源市場(chǎng)的快速發(fā)展，市場(chǎng)對(duì)功率器件的需求量大增，特別是電動(dòng)汽車(chē)的興起，讓IGBT常年處于供應(yīng)緊張狀態(tài)，...

2022-09-07 標(biāo)簽：MOSFETIGBT功率器件 1.4萬(wàn) 1

功率器件市場(chǎng)現(xiàn)狀：歐美日把持，國(guó)內(nèi)仍需努力

縱觀(guān)整個(gè)功率器件市場(chǎng)，整體態(tài)勢(shì)是歐美日廠(chǎng)商三足鼎立。 其中美國(guó)功率器件處于世界領(lǐng)先地位，擁有一批具有全球影響力的廠(chǎng)商，例如 TI、Fairchild、M...

2018-09-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電源管理功率器件 1.4萬(wàn) 0

氮化鎵用途有哪些？氮化鎵用途和性質(zhì)是什么解讀

氮化鎵用途有哪些 氮化鎵是一種半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)良的電學(xué)和光學(xué)性質(zhì)，因此廣泛用于以下領(lǐng)域： 1. 發(fā)光二極管(LED)：氮化鎵是LED的主要工藝材料之一...

2023-06-02 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵 1.4萬(wàn) 0

功率器件雪崩耐量測(cè)試

2018-06-20 標(biāo)簽：功率器件IGBT模塊 1.4萬(wàn) 0

伺服驅(qū)動(dòng)器工作原理和控制方式

伺服驅(qū)動(dòng)器均采用數(shù)字信號(hào)處理器（DSP）作為控制核心，可以實(shí)現(xiàn)比較復(fù)雜的控制算法，實(shí)現(xiàn)數(shù)字化、網(wǎng)絡(luò)化和智能化。功率器件普遍采用以智能功率模塊（IPM）為...

2020-03-10 標(biāo)簽：智能化功率器件伺服驅(qū)動(dòng)器 1.3萬(wàn) 0

分立器件是什么，小信號(hào)器件和功率器件又是什么

隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的逐步發(fā)展，對(duì)芯片供電mA級(jí)別的電流需求、產(chǎn)品良率及成本制約下小功率器件無(wú)法集成、下游產(chǎn)品對(duì)半導(dǎo)體分立器件體積要求越來(lái)越苛刻等問(wèn)題逐步凸顯...

2022-06-29 標(biāo)簽：分立器件功率器件小信號(hào)電路 1.2萬(wàn) 0

揚(yáng)杰科技與SMEC達(dá)成深度合作，將持續(xù)擴(kuò)大高端功率器件產(chǎn)品版圖

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道 2月18日，揚(yáng)杰科技發(fā)布公告表示，因公司業(yè)務(wù)發(fā)展需要，已于 2020 年 2 月 14 日與中芯集成電路制造（紹興）有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)SM...

2020-02-21 標(biāo)簽：功率器件 1.2萬(wàn) 0

氮化鎵推動(dòng)無(wú)線(xiàn)充電應(yīng)用

無(wú)線(xiàn)充電在技術(shù)行業(yè)中變得越來(lái)越普遍，提供了一種更方便的設(shè)備充電方式，而無(wú)需使用電纜或插頭。隨著技術(shù)的進(jìn)步，由于氮化鎵（GaN）功率器件的使用，無(wú)線(xiàn)充電變...

2023-07-28 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)功率器件氮化鎵 1.2萬(wàn) 1

第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，是我國(guó)彎道超車(chē)的機(jī)會(huì)

近日，廣東省“寬禁帶半導(dǎo)體材料、功率器件及應(yīng)用技術(shù)創(chuàng)新中心”在松山湖成立，該創(chuàng)新中心由廣東省科技廳、東莞市政府支持及引導(dǎo)，易事特、中鎵半導(dǎo)體、天域半導(dǎo)體...

2018-06-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 1.1萬(wàn) 0

功率半導(dǎo)體井噴：IGBT模塊主流廠(chǎng)商與產(chǎn)品

功率器件產(chǎn)品線(xiàn)主要包括IGBT、MOSFET、晶閘管、二極管與TVS等，其中IGBT集成度最高，結(jié)構(gòu)最復(fù)雜，同硅基材料中能承受最高的工作電壓，具有最高價(jià)...

2020-07-27 標(biāo)簽：IGBT功率器件 1.1萬(wàn) 0