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      標(biāo)簽　>　功率器件

      功率器件

      功率器件

      +關(guān)注42人關(guān)注

      功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業(yè)，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測試，功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

      文章：1910個(gè) 瀏覽：94250次 帖子：51個(gè)

      功率器件資訊

      什么是第四代半導(dǎo)體？

      第四代半導(dǎo)體我們其實(shí)叫超禁帶半導(dǎo)體，它分兩個(gè)方向，一是超窄禁帶，禁帶寬度（指被束縛的價(jià)電子產(chǎn)生本征激發(fā)所需要的最小能量）在零點(diǎn)幾電子伏特（eV），比超窄...

      2022-08-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件氧化鎵 1.8萬 0

      氮化鎵功率器件：從消費(fèi)電子向數(shù)據(jù)中心邁進(jìn)

      氮化鎵功率器件：從消費(fèi)電子向數(shù)據(jù)中心邁進(jìn)

      電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）以碳化硅、氮化鎵為主的第三代半導(dǎo)體材料得以大力發(fā)展，譬如氮化鎵功率器件在充電器和手機(jī)等消費(fèi)類電子上得到越來越多的采用。在經(jīng)...

      2022-08-19 標(biāo)簽：消費(fèi)電子功率器件氮化鎵 5.3k 0

      MOSFET特性、種類與制造過程

      半導(dǎo)體逆全球化發(fā)展趨勢明顯，成熟制程芯片國產(chǎn)替代迎來難得的窗口期。又逢能源改革和國產(chǎn)電動(dòng)汽車產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展的歷史機(jī)遇，以MOSFET為代表的功率器件將率先...

      2022-08-19 標(biāo)簽：芯片MOSFET功率器件 2.7k 0

      長城簽約錫山經(jīng)開區(qū)打造鈣鈦礦產(chǎn)業(yè)基地及第三代半導(dǎo)體模組封測制造基地

      摘要 長城控股集團(tuán)攜手江蘇省錫山經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)，投資38億元； 第三代半導(dǎo)體模組封測制造基地項(xiàng)目，車規(guī)級(jí)模組規(guī)劃年產(chǎn)能達(dá)120萬套； 極電光能全球總部及...

      2022-08-17 標(biāo)簽：功率器件封測bipv 804 0

      瑞森碳化硅功率器件，國產(chǎn)替代的助推器

      瑞森碳化硅功率器件，國產(chǎn)替代的助推器

      瑞森第三代碳化硅MOS 助力雙向DC-DC轉(zhuǎn)換器高效率、高功率、高效率、低導(dǎo)通電阻的產(chǎn)品優(yōu)勢實(shí)現(xiàn)高達(dá)97%的能源效率

      2022-08-15 標(biāo)簽：功率器件碳化硅半導(dǎo)體企業(yè) 1.7k 0

      一文搞懂MOSFET

      功率半導(dǎo)體器件在工業(yè) 、消費(fèi) 、軍事等領(lǐng)域都有著廣泛應(yīng)用 ，具有很高的戰(zhàn)略地位，下面我們從一張圖看功率器件的全貌。

      2022-08-15 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體功率器件 5.9k 0

      SiC功率器件的柵極驅(qū)動(dòng)器電路優(yōu)化?

      SiC功率器件的柵極驅(qū)動(dòng)器電路優(yōu)化?

      隨著新型功率晶體管（例如 SiC Mosfets）越來越多地用于電力電子系統(tǒng)，因此有必要使用特殊的驅(qū)動(dòng)器。隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器通過提供對 IGBT 和 MO...

      2022-08-09 標(biāo)簽：功率器件SiC柵極驅(qū)動(dòng)器 3k 0

      碳化硅功率器件面臨的挑戰(zhàn)

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      碳化硅 （SiC） 器件與高功率應(yīng)用中常用的硅器件相比具有多項(xiàng)優(yōu)勢。SiC 功率器件仍然面臨一些大規(guī)模生產(chǎn)的挑戰(zhàn)，包括縮放的限制因素、與 SiC 器件較...

      2022-08-09 標(biāo)簽：功率器件碳化硅sic器件 2.5k 0

      寬禁帶半導(dǎo)體的潛力

      寬禁帶半導(dǎo)體的潛力

      追求更高效的電子產(chǎn)品以功率器件為中心，而半導(dǎo)體材料則處于研發(fā)活動(dòng)的前沿。硅的低成本和廣泛的可用性使其在幾年前超越鍺成為主要的功率半導(dǎo)體材料。然而，今天，...

      2022-08-08 標(biāo)簽：功率器件半導(dǎo)體材料寬禁帶半導(dǎo)體 1.8k 0

      寬帶隙半導(dǎo)體提高新型功率器件的效率

      寬帶隙半導(dǎo)體提高新型功率器件的效率

      效率是所有工業(yè)部門的驅(qū)動(dòng)力，包括消費(fèi)部門。在電子系統(tǒng)中，效率會(huì)導(dǎo)致性能限制以及使用壽命縮短。然而，更高的效率推動(dòng)行業(yè)朝著更高的功率密度發(fā)展，并有可能擁有...

      2022-08-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件寬帶隙半導(dǎo)體 1k 0

      用于下一代功率器件的金剛石基 GaN

      用于下一代功率器件的金剛石基 GaN

      由佐治亞理工學(xué)院機(jī)械工程學(xué)院領(lǐng)導(dǎo)的一個(gè)團(tuán)隊(duì)實(shí)施了一系列基于室溫表面活化鍵合（SAB）的結(jié)果，以鍵合具有不同夾層厚度的 GaN 和單晶金剛石。新開發(fā)的技術(shù)...

      2022-08-08 標(biāo)簽：工業(yè)功率器件GaN 3k 0

      IGBT瑕疵事件影響現(xiàn)代“明星汽車”交付？亂局之下，國產(chǎn)IGBT迎來黃金期

      日前，全球最大的汽車芯片供應(yīng)商英飛凌出現(xiàn)產(chǎn)品瑕疵問題，致使該公司放棄了這批從今年4月初到6月初生產(chǎn)的IGBT芯片。據(jù)悉，這批芯片原計(jì)劃將被用于韓國現(xiàn)代汽...

      2022-08-08 標(biāo)簽：英飛凌IGBT功率器件 2.6k 0

      GaN下游：功率、射頻市場格局；國內(nèi)外產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

      【核芯觀察】是電子發(fā)燒友編輯部出品的深度系列專欄，目的是用最直觀的方式令讀者盡快理解電子產(chǎn)業(yè)架構(gòu)，理清上、中、下游的各個(gè)環(huán)節(jié)，同時(shí)迅速了解各大細(xì)分環(huán)節(jié)中...

      2022-08-07 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵GaN 8k 0

      簡要介紹篩選后器件經(jīng)過馬拉松（Marathon）實(shí)驗(yàn)的典型結(jié)果

      目前針對SiC的研究已相當(dāng)深入，仍有不少人關(guān)注SiC材料的柵氧能力，本文對此再做一個(gè)簡要介紹。如圖1所示，相較于Si基材料，SiC與SiO2柵氧層界面缺...

      2022-08-05 標(biāo)簽：功率器件SiC派恩杰 2.7k 0

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      對硅替代品的探索始于上個(gè)世紀(jì)的最后二十年，當(dāng)時(shí)研究人員和大學(xué)對幾種寬帶隙材料進(jìn)行了試驗(yàn)，這些材料顯示出在射頻、發(fā)光、傳感器和功率半導(dǎo)體等領(lǐng)域替代現(xiàn)有硅材...

      2022-08-05 標(biāo)簽：二極管功率器件GaN 1.2k 0

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      如今，我們生活在一個(gè)由電氣化和自動(dòng)化驅(qū)動(dòng)的時(shí)代，特別注重減少污染和提高效率，電力電子市場正在朝著這些目標(biāo)發(fā)展。需要減少高 CO 2排放量以實(shí)現(xiàn)更清潔的環(huán)...

      2022-08-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體工業(yè)功率器件 2.2k 0

      羅姆阿波羅工廠新建 SiC 功率器件生產(chǎn)設(shè)施

      羅姆阿波羅工廠新建 SiC 功率器件生產(chǎn)設(shè)施

      日本筑后羅門阿波羅工廠增建了一座新廠房，旨在提高碳化硅（SiC）功率器件的生產(chǎn)能力。這個(gè)新工廠包括工廠自動(dòng)化和可再生節(jié)能技術(shù)，以實(shí)現(xiàn)更綠色的制造過程。 ...

      2022-08-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件SiC 905 0

      集成汽車 GaN 功率器件

      集成汽車 GaN 功率器件

      意法半導(dǎo)體?在PCIM Europe?虛擬會(huì)議上首次向業(yè)界展示了該公司用于汽車應(yīng)用的集成式?STi 2 GaN系列 GaN 功率器件?。利用臺(tái)積電的 G...

      2022-08-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件GaN 1.2k 0

      中國視角下MOSFET行業(yè)供應(yīng)狀況簡析

      近期，由于東南亞持續(xù)爆發(fā)新冠病毒疫情，全球IDM（Integrated Devices Manufactures）工廠紛紛調(diào)整晶圓廠產(chǎn)能，減少消費(fèi)類電子...

      2022-08-03 標(biāo)簽：MOSFET晶體管功率器件 1.5k 0

      寬禁帶材料測試

      寬禁帶材料是指禁帶寬度大于2.3eV的半導(dǎo)體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料，SiC等最為常見。隨著電子電力的發(fā)展，功率器件的使用越來越多，SiC、GaN等被廣泛應(yīng)...

      2022-08-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件SiC 1.5k 0

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        工業(yè)4.0是由德國政府《德國2020高技術(shù)戰(zhàn)略》中所提出的十大未來項(xiàng)目之一。該項(xiàng)目由德國聯(lián)邦教育局及研究部和聯(lián)邦經(jīng)濟(jì)技術(shù)部聯(lián)合資助，投資預(yù)計(jì)達(dá)2億歐元。旨在提升制造業(yè)的智能化水平，建立具有適應(yīng)性、資源效率及基因工程學(xué)的智慧工廠，在商業(yè)流程及價(jià)值流程中整合客戶及商業(yè)伙伴。
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        Nvidia 是全球圖形技術(shù)和數(shù)字媒體處理器行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)廠商，NVIDIA的總部設(shè)在美國加利福尼亞州的圣克拉拉市，在20多個(gè)國家和地區(qū)擁有約5700名員工。公司在可編程圖形處理器方面擁有先進(jìn)的專業(yè)技術(shù)，在并行處理方面實(shí)現(xiàn)了諸多突破。公司創(chuàng)立于1993年1月，總部位于美國加利福尼亞州圣克拉拉市。
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        以無人駕駛來說，城市中將建造一個(gè)巨大的交通共享網(wǎng)，只要拿出手機(jī)就能隨時(shí)呼叫無人駕駛汽車服務(wù)；交警能精準(zhǔn)判斷每一輛汽車去向，更有效地管理交通……
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        OpenWrt 可以被描述為一個(gè)嵌入式的 Linux 發(fā)行版。（主流路由器固件有 dd-wrt，tomato，openwrt，padavan四類）對比一個(gè)單一的、靜態(tài)的系統(tǒng)，OpenWrt的包管理提供了一個(gè)完全可寫的文件系統(tǒng)，從應(yīng)用程序供應(yīng)商提供的選擇和配置，并允許您自定義的設(shè)備，以適應(yīng)任何應(yīng)用程序。
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        ARM架構(gòu)過去稱作進(jìn)階精簡指令集機(jī)器（Advanced RISC Machine，更早稱作：Acorn RISC Machine），是一個(gè)32位精簡指令集（RISC）處理器架構(gòu)，其廣泛地使用在許多嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
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        OpenCL是一個(gè)為異構(gòu)平臺(tái)編寫程序的框架，此異構(gòu)平臺(tái)可由CPU，GPU或其他類型的處理器組成。OpenCL由一門用于編寫kernels （在OpenCL設(shè)備上運(yùn)行的函數(shù)）的語言（基于C99）和一組用于定義并控制平臺(tái)的API組成。
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        嵌入式操作系統(tǒng)
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        嵌入式操作系統(tǒng)（Embedded Operating System，簡稱：EOS）是指用于嵌入式系統(tǒng)的操作系統(tǒng)。嵌入式操作系統(tǒng)是一種用途廣泛的系統(tǒng)軟件，通常包括與硬件相關(guān)的底層驅(qū)動(dòng)軟件、系統(tǒng)內(nèi)核、設(shè)備驅(qū)動(dòng)接口、通信協(xié)議、圖形界面、標(biāo)準(zhǔn)化瀏覽器等。
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        Windows CE
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        　Windows Embedded Compact（即 Windows CE）是微軟公司嵌入式、移動(dòng)計(jì)算平臺(tái)的基礎(chǔ)，它是一個(gè)開放的、可升級(jí)的32位嵌入式操作系統(tǒng)，是基于掌上型電腦類的電子設(shè)備操作系統(tǒng)。
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        JDI
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        JDI（Java Debug Interface）是 JPDA 三層模塊中最高層的接口，定義了調(diào)試器（Debugger）所需要的一些調(diào)試接口?；谶@些接口，調(diào)試器可以及時(shí)地了解目標(biāo)虛擬機(jī)的狀態(tài)，例如查看目標(biāo)虛擬機(jī)上有哪些類和實(shí)例等。
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        　　網(wǎng)絡(luò)文件系統(tǒng)，英文Network File System（NFS），是由SUN公司研制的UNIX表示層協(xié)議（presentation layer protocol），能使使用者訪問網(wǎng)絡(luò)上別處的文件就像在使用自己的計(jì)算機(jī)一樣。
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        ARM公司是一家知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）供應(yīng)商，它與一般的半導(dǎo)體公司最大的不同就是不制造芯片且不向終端用戶出售芯片，而是通過轉(zhuǎn)讓設(shè)計(jì)方案，由合作伙伴生產(chǎn)出各具特色的芯片。
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        MMU是中文名是內(nèi)存管理單元，有時(shí)稱作分頁內(nèi)存管理單元，它是一種負(fù)責(zé)處理中央處理器（CPU）的內(nèi)存訪問請求的計(jì)算機(jī)硬件。它的功能包括虛擬地址到物理地址的轉(zhuǎn)換（即虛擬內(nèi)存管理）、內(nèi)存保護(hù)、中央處理器高速緩存的控制，在較為簡單的計(jì)算機(jī)體系結(jié)構(gòu)中，負(fù)責(zé)總線的仲裁以及存儲(chǔ)體切換。
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        OMAP-L138是美國德州儀器（TI）推出全新DSP+ARM工業(yè)處理器 ，這款芯片也是業(yè)界功耗最低的浮點(diǎn)數(shù)字信號(hào)處理器 （DSP） + ARM9處理器，大大降低了雙核通訊的開發(fā)難度，可充分滿足工業(yè)應(yīng)用的高能效、連通性設(shè)計(jì)對高集成度外設(shè)、更低熱量耗散以及更長電池使用壽命的需求。
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      jf_65683686 jf_67121739 jf_04710643 q7q7124 xiaochi_dd 五星之光 jf_30061372 jf_71413164 sharex jf_16903376 jf_39221762 jf_67930263

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