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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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世強硬創(chuàng)已獲545家全球知名原廠授權(quán)代理
近日,世強先進(深圳)科技股份有限公司(下稱“世強先進”)與三家芯片供應(yīng)商——沁恒、中科億海微、恒沁微,一家集成電路供應(yīng)商——華冠半導(dǎo)體,以及一家功率器...
當(dāng)硅和寬禁帶器件(如碳化硅和垂直 GaN)的溫度下降時,會出現(xiàn)兩個重要現(xiàn)象,如文章中所述:載流子遷移率隨著高性能參數(shù)電子-聲子相互作用的降低而上升。此外...
包括汽車、工業(yè)、數(shù)據(jù)中心和能源行業(yè)在內(nèi)的多種電子應(yīng)用對大功率設(shè)備的需求正在增加。如今,功率器件必須滿足高效率、高功率密度、低功耗和出色的熱管理等嚴格要求...
在電氣領(lǐng)域,漏極和源極之間的漏電流 (I DSS ) 或柵極和源極之間的漏電流 (I GSS ) 是功率 MOSFET 故障的一般類別。將故障分析集中在...
2022-07-29 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)晶體管功率器件 1.3k 0
適用于CSP GaN FET的簡單且高性能的熱管理解決方案?
本文將展示芯片級封裝 (CSP) GaN FET 如何提供至少與硅 MOSFET 相同(如果不優(yōu)于)的熱性能。由于其卓越的電氣性能,GaN FET 的尺...
射頻功率電路的熱管理本質(zhì)上包括從電路的元件和敏感區(qū)域去除多余的熱量,以保證在所有操作條件下的最佳性能并避免電路退化或故障。
(文/程文智)根據(jù)乘聯(lián)會的統(tǒng)計,6月份新能源汽車零售量53.2萬輛,同比增長187%,滲透率達到了27.4%,預(yù)計2022年中國新能源汽車出貨量可達58...
2022-07-28 標(biāo)簽:功率器件 3.5k 0
國產(chǎn)的車規(guī)級功率器件有哪些廠商可以提供
據(jù)市場反饋,應(yīng)用于高壓的超結(jié)MOSFET和IGBT需求旺盛,安森美已經(jīng)停止了車用IGBT的接單,英飛凌、ST等IGBT交期超過了一年。根據(jù)富昌電子202...
直接導(dǎo)線鍵合結(jié)構(gòu)最大的特點就是利用焊料,將銅導(dǎo)線與芯片表面直接連接在一起,相對引線鍵合技術(shù),該技術(shù)使用的銅導(dǎo)線可有效降低寄生電感,同時由于銅導(dǎo)線與芯片表...
羅姆的創(chuàng)新工廠將增加 SiC 功率器件的產(chǎn)量
羅姆最近在日本筑后市的羅姆阿波羅工廠完成了一座新建筑。該設(shè)施旨在提高碳化硅(SiC)功率器件的生產(chǎn)能力。這座創(chuàng)新建筑采用工廠自動化和可再生節(jié)能技術(shù),從生...
提高功率密度的路線圖從降低傳導(dǎo)動態(tài)損耗開始。與碳化硅相比,氮化鎵可以顯著降低動態(tài)損耗,因此可以降低整體損耗。因此,這是未來實現(xiàn)高功率密度的一種方法。
我們知道,GaN在充電器等應(yīng)用上,主要是通過GaN材料的特性,使得使用GaN材料的功率開關(guān)器件在開關(guān)頻率、開關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗等相比硅MOSFET有明顯優(yōu)...
SiC MOSFET的廠商現(xiàn)狀以及產(chǎn)品差別
隨著新能源市場的爆發(fā),電動汽車、光伏、儲能等下游應(yīng)用驅(qū)動下,碳化硅功率器件迎來了新一輪增長期。特別是電動汽車上SiC MOSFET的大規(guī)模應(yīng)用后,在近幾...
2022-07-25 標(biāo)簽:功率器件SiC MOSFET 1.8k 0
整個電力電子行業(yè),包括射頻應(yīng)用和涉及高速信號的系統(tǒng),都在朝著在越來越小的空間內(nèi)提供越來越復(fù)雜的功能的解決方案發(fā)展。設(shè)計人員在滿足系統(tǒng)尺寸、重量和功率要求...
有線電視提供商在升級網(wǎng)絡(luò)時要把握好分寸。他們需要在不降低性能和可靠性的情況下,滿足客戶對容量的需求。很多提供商借助 GaN 技術(shù)來保持平衡,原因如下。
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